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具有低噪声及高线性度的高性能MOCVD-SiN_(x)/AlN/GaN毫米波MIS-HEMTs
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作者 袁静 景冠军 +7 位作者 王建超 汪柳 高润华 张一川 姚毅旭 魏珂 李艳奎 陈晓娟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期200-206,共7页
文章在超薄势垒AlN/GaN异质结构上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)原位生长SiN_(x)栅介质,成功制备了高性能的SiN_(x)/AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。深能级瞬态谱(DLTS)技术测试SiN_(x)/AlN的界面信息,显... 文章在超薄势垒AlN/GaN异质结构上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)原位生长SiN_(x)栅介质,成功制备了高性能的SiN_(x)/AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。深能级瞬态谱(DLTS)技术测试SiN_(x)/AlN的界面信息,显示其缺陷能级深度为0.236 eV,俘获截面为3.06×10^(-19)cm^(-2),提取的界面态密度为10^(10)~10^(12)cm^(-2)eV^(-1),表明MOCVD原位生长的SiN_(x)可以有效降低界面态。同时器件表现出优越的直流、小信号和噪声性能。栅长为0.15μm的器件在2 V的栅极电压(Vgs)下具有2.2 A/mm的最大饱和输出电流,峰值跨导为506 mS/mm,最大电流截止频率(fT)和最大功率截止频率(fMAX)分别达到了65 GHz和123 GHz,40 GHz下的最小噪声系数(NFmin)为1.07 dB,增益为9.93 dB。Vds=6 V时对器件进行双音测试,器件的三阶交调输出功率(OIP3)为32.6 dBm,OIP3/Pdc达到11.2 dB。得益于高质量的SiN_(x)/AlN界面,SiN_(x)/AlN/GaN MISHEMT显示出了卓越的低噪声及高线性度,在毫米波领域具有一定的应用潜力。 展开更多
关键词 sin_(x)栅介质 MOCVD MIS-HEMTs 界面态 低噪声 线性度 毫米波
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SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔中Ti超导薄膜特性的研究
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作者 刘海燕 孙潇莹 +5 位作者 李劲劲 王雪深 陈建 高鹤 周哲海 徐骁龙 《计量学报》 CSCD 北大核心 2023年第4期549-554,共6页
设计良好的光学谐振腔是提高超导转变边沿传感器(TES)光学效率的有效手段,光学谐振腔结构厚度的变化,不仅对TES的光学效率有影响,而且会产生不同的残余应力进而影响TES的超导特性。研究了以超导Ti膜为TES功能层材料,同时选用SiO_(2)-SiN... 设计良好的光学谐振腔是提高超导转变边沿传感器(TES)光学效率的有效手段,光学谐振腔结构厚度的变化,不仅对TES的光学效率有影响,而且会产生不同的残余应力进而影响TES的超导特性。研究了以超导Ti膜为TES功能层材料,同时选用SiO_(2)-SiN_(x)体系作为光学谐振腔薄膜。通过对数值仿真,确定了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔薄膜厚度变化对Ti-TES光学吸收效率的影响。分析了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔不同薄膜厚度的变化自身应力随之变化的趋势,最后制备了不同厚度SiO_(2)-SiN_(x)光学谐振腔的TES,并进行光学吸收效率的测试,验证了SiO_(2)-SiN_(x)体系光学谐振腔薄膜厚度对Ti-TES光学吸收效率变化的规律。 展开更多
关键词 计量学 TES 超导薄膜 光学谐振腔 SiO_(2)-sin_(x)体系 Ti膜
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基于Si/SiN_(x)双层波导的偏振无关光功分器
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作者 刘海广 张跃腾 +3 位作者 宋雨辰 沈晗潇 陈鹤鸣 汪静丽 《光通信研究》 2022年第4期42-46,共5页
针对目前大部分偏振无关光功分器结构复杂和损耗大的问题,文章设计了一种基于Si/SiN_(x)双层波导的偏振无关光功分器,用于1550 nm波长光信号的1×2均匀功分。通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法调节Si/SiN_(x)层的折射率,使... 针对目前大部分偏振无关光功分器结构复杂和损耗大的问题,文章设计了一种基于Si/SiN_(x)双层波导的偏振无关光功分器,用于1550 nm波长光信号的1×2均匀功分。通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法调节Si/SiN_(x)层的折射率,使同一波长下横电(TE)和横磁(TM)偏振模的二重像点位置相等,实现偏振无关功能。同时,通过对多模干涉波导宽度的合理选择,减小器件尺寸。通过优化锥形波导,进一步降低器件的插入损耗和反射损耗。运用三维(3D)有限时域差分方法进行建模仿真,仿真结果表明,文章所提偏振无关光功分器尺寸仅为3.0μm×16.8μm,插入损耗和反射损耗分别低至0.04和-48.80 dB,分光比达到了1.00033,插入损耗小于1 dB,带宽可达380 nm,在未来的集成光路中具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 光功分器 多模干涉 sin_(x) 偏振无关
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Effect of pressure and space between electrodes on the deposition of SiN_(x)H_(y)films in a capacitively coupled plasma reactor
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作者 Meryem Grari CifAllah Zoheir +1 位作者 Yasser Yousfi Abdelhak Benbrik 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第5期507-512,共6页
The fluid model,also called the macroscopic model,is commonly used to simulate low temperature and low pressure radiofrequency plasma discharges.By varying the parameters of the model,numerical simulation allows us to... The fluid model,also called the macroscopic model,is commonly used to simulate low temperature and low pressure radiofrequency plasma discharges.By varying the parameters of the model,numerical simulation allows us to study several cases,providing us the physico-chemical information that is often difficult to obtain experimentally.In this work,using the fluid model,we employ numerical simulation to show the effect of pressure and space between the reactor electrodes on the fundamental properties of silicon plasma diluted with ammonia and hydrogen.The results show the evolution of the fundamental characteristics of the plasma discharge as a function of the variation of the pressure and the distance between the electrodes.By examining the pressure-distance product in a range between 0.3 Torr 2.7 cm and 0.7 Torr 4 cm,we have determined the optimal pressure-distance product that allows better deposition of hydrogenated silicon nitride(SiN_(x)H_(y))films which is 0.7 Torr 2.7 cm. 展开更多
关键词 fluid model numerical simulation sin_(x)H_(y) capacitively coupled plasma reactor
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应用于宽带的AlGaN/GaN MIS-HEMT高效率器件
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作者 陈晓娟 张昇 +4 位作者 张一川 李艳奎 高润华 刘新宇 魏珂 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期339-344,共6页
本文采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)生长的SiN_(x)栅介质制备了宽带应用的AlGaN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs),并在直流、小信号及大信号测试中评估了该介质层对器件性能的提升。测试结果表明改进器件具有高... 本文采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)生长的SiN_(x)栅介质制备了宽带应用的AlGaN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs),并在直流、小信号及大信号测试中评估了该介质层对器件性能的提升。测试结果表明改进器件具有高质量界面、宽栅极控制范围、良好的电流崩塌控制等优势,并确认了其在超过5 GHz下工作时仍能保持较高的功率附加效率(PAE)。在5 GHz连续波模式下,漏极电压V_(DS)=10 V时,MIS HEMT输出功率密度为1.4 W/mm,PAE可达到74.7%;V_(DS)增加到30 V时,功率密度提升到5.9 W/mm,PAE可保持在63.2%的水平;测试频率增加30 GHz,在相同的输出功率水平下,器件的PAE达到50.4%。同时,高质量栅极介电层还可允许器件承受高的栅极电压摆动:在功率增益压缩6 dB时,栅极电流保持在10^(-4)A/mm。上述结果证实了该SiN_(x)栅介质对器件性能的提升,使其满足宽带应用的高效率、高功率和可靠性要求,为系统和电路的宽带设计提供器件级的保障。 展开更多
关键词 MIS-HEMTs sin_(x)栅介质 功率附加效率 栅压摆幅 宽带
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SiN_(x)填充的定向耦合器型偏振无关解复用器
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作者 汪静丽 刘海广 +3 位作者 张跃腾 宋雨辰 沈晗潇 陈鹤鸣 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第19期167-175,共9页
设计了一种基于SiN_(x)填充的定向耦合器(DC)型偏振无关解复用器,用于分离1310 nm和1550 nm两个波长的光信号。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法调节DC波导间隙内填充的SiN_(x)材料的折射率,使同一波长下横电(TE)偏振模和横磁(... 设计了一种基于SiN_(x)填充的定向耦合器(DC)型偏振无关解复用器,用于分离1310 nm和1550 nm两个波长的光信号。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法调节DC波导间隙内填充的SiN_(x)材料的折射率,使同一波长下横电(TE)偏振模和横磁(TM)偏振模的耦合长度相等,实现器件的偏振无关功能。通过优化波导间隙,调整两个波长光信号所对应的耦合长度比,选择合适的值可使其分别从两个端口输出,实现波长分离功能。运用三维有限时域差分方法进行建模仿真,对器件进行参数优化和性能分析。结果表明:所提出的解复用器的耦合区长度仅为22.8μm,插入损耗和串扰(CT)分别低至0.05 dB和-21.58 dB,CT小于-10 dB的带宽可达79 nm,且总体容差性良好。所设计的器件在未来的集成光路系统中具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 光学器件 定向耦合器 偏振无关 sin_(x) 解复用器
原文传递
基于MIS电容器的Al_(2)O_(3)与In_(0.74)Al_(0.26)As的界面特性
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作者 万露红 邵秀梅 +3 位作者 李雪 顾溢 马英杰 李淘 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期384-388,共5页
采用In_(0.74)Al_(0.26)As/In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(x)Al_(1-x)As异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器。其中,SiN_(x)和SiN_(x)/Al_(2)O_(3)分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X... 采用In_(0.74)Al_(0.26)As/In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(x)Al_(1-x)As异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器。其中,SiN_(x)和SiN_(x)/Al_(2)O_(3)分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X射线光电子能谱的测试结果表明,与通过电感耦合等离子体化学气相沉积生长的SiN_(x)相比,通过原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)可以有效地抑制Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As界面的In2O3的含量。根据MIS电容器的电容-电压测量结果,计算得到SiN_(x)/Al_(2)O_(3)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度比SiN_(x)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度低一个数量级。因此,采用原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)作为钝化膜可以有效地降低Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As之间的快界面态密度,从而降低In_(0.74)Ga_(0.26)As探测器的暗电流。 展开更多
关键词 INALAS 原子层沉积 Al_(2)O_(3) sin_(x)金属-绝缘体-半导体电容器 界面态密度
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Enhanced ion conductivity and electrode–electrolyte interphase stability of porous Si anodes enabled by silicon nitride nanocoating for high-performance Li-ion batteries 被引量:3
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作者 Shixiong Mei Siguang Guo +7 位作者 Ben Xiang Jiaguo Deng Jijiang Fu Xuming Zhang Yang Zheng Biao Gao Paul K Chu Kaifu Huo 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第6期616-625,I0017,共11页
Silicon (Si) is a promising anode material for next-generation high-energy lithium-ion batteries (LIBs) due to its high capacity.However,the large volumetric expansion,poor ion conductivity and unstable solid electrol... Silicon (Si) is a promising anode material for next-generation high-energy lithium-ion batteries (LIBs) due to its high capacity.However,the large volumetric expansion,poor ion conductivity and unstable solid electrolyte interface (SEI) lead to rapid capacity fading and low rate performance.Herein,we report Si nitride (SiN) comprising stoichiometric Si_(3)N_(4) and Li-active anazotic SiN_(x) coated porous Si (p-Si@SiN)for high-performance anodes in LIBs.The ant-nest-like porous Si consisting of 3D interconnected Si nanoligaments and bicontinuous nanopores prevents pulverization and accommodates volume expansion during cycling.The Si_(3)N_(4) offers mechanically protective coating to endow highly structural integrity and inhibit superfluous formation of SEI.The fast ion conducting Li_(3)N generated in situ from lithiation of active SiN_(x) facilitates Li ion transport.Consequently,the p-Si@SiN anode has appealing electrochemical properties such as a high capacity of 2180 mAh g^(-1)at 0.5 A g^(-1) with 84%capacity retention after 200cycles and excellent rate capacity with discharge capacity of 721 mAh g^(-1) after 500 cycles at 5.0 A g^(-1).This work provides insights into the rational design of active/inactive nanocoating on Si-based anode materials for fast-charging and highly stable LIBs. 展开更多
关键词 Silicon anode Ion conductivity Si_(3)N_(4) sin_(x) Lithium-ion battery
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基于平面硅的晶硅异质结太阳电池表面减反膜的优化 被引量:1
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作者 韩少文 孙喜莲 +2 位作者 林本才 黄海宾 周浪 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期248-255,共8页
目前晶硅异质结太阳电池大多采用刻蚀绒面来减小光学损耗,但该方法工艺繁琐,且重复性和后期镀膜均匀性不佳;同时,绒面增加了载流子的传输路径和复合概率,限制了电池性能的提高。本文利用太阳电池模拟软件OPAL和光学膜系设计软件TFCalc,... 目前晶硅异质结太阳电池大多采用刻蚀绒面来减小光学损耗,但该方法工艺繁琐,且重复性和后期镀膜均匀性不佳;同时,绒面增加了载流子的传输路径和复合概率,限制了电池性能的提高。本文利用太阳电池模拟软件OPAL和光学膜系设计软件TFCalc,以平面硅为衬底,设计了一种双层TiO_(2)/SiN_(x)减反膜。考虑到太阳光谱分布和异质结太阳电池的光谱响应,本文以加权平均光学损耗作为评价函数,将TiO_(2)/SiN_(x)双层减反膜与玻璃、衬底作为一体进行了优化,并将本文设计的减反膜与绒面硅上单层ITO减反膜的加权平均光学损耗进行了对比。结果表明,与绒面硅上单层ITO减反膜相比,所设计的双层减反膜的加权平均光学损耗更小,为4.69%,较单层ITO减反膜减小了1.97个百分点,且吸收损耗显著降低。本文研究为平面硅替代绒面硅提供了理论支持。 展开更多
关键词 薄膜 晶硅异质结太阳电池 ITO 平面硅 TiO2/sinx 光学损耗
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