SiN_x:Tb^(3+)薄膜中Tb^(3+)与银表面等离激元耦合

本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx,并利用离子注入方法在SiNx中注入Tb3+离子。然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜,研究了银表面等离激元和SiNx:Tb3+发光的相互作用。研究发现,银岛膜的存在降低了SiNx:Tb3+发光荧光寿命,而且SiNx:Tb3+发光荧光寿命随着银岛膜厚度的增加而减小。而氮化硅薄膜中的硅纳米晶也会影响Tb3+的光模密度,并对SiNx:Tb3+发光荧光寿命产生影响。

Tb^(3+)∶KY(WO_(4))_(2)薄膜的制备及其荧光性能的研究

采用浸渍提拉法以SiO_(2)为缓冲层在石英基片上制备Tb^(3+)∶KY(WO_(4))_(2)薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜和荧光光谱进行表征。结果表明:加入缓冲层薄膜具有垂直于c轴的择优取向,石英基片与薄膜之间的晶格失配为9.7%,薄膜的结晶度为87.9%,厚度在10~15nm之间,表面粗糙度Ra=13.346nm。激发光谱和发射光谱显示,254nm激发光可发射545nm的绿光,545nm处的荧光寿命是0.69ms。