SiN_x钝化膜厚度对pHEMT的性能影响

深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响，实验结果表明，pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降；当膜厚超过200nm时，将影响pHEMT器件电特性。