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SiO分子的基态(X^1Σ^+)势能函数的研究 被引量:14
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作者 伍冬兰 曾学锋 +3 位作者 阮文 赵俊 程新路 杨向东 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期485-487,共3页
运用Gaussian03程序,使用从头算方法计算了S iO分子基态(X1Σ+)的平衡结构和离解能,利用单点能计算的结果,采用正规方程组拟合Murrell-Sorb ie函数,得出S iO分子的基态分析势能函数,并且计算出S iO分子的光谱常数ωe、ωeeχ、Be和αe的... 运用Gaussian03程序,使用从头算方法计算了S iO分子基态(X1Σ+)的平衡结构和离解能,利用单点能计算的结果,采用正规方程组拟合Murrell-Sorb ie函数,得出S iO分子的基态分析势能函数,并且计算出S iO分子的光谱常数ωe、ωeeχ、Be和αe的值,计算结果与实验值符合得较好. 展开更多
关键词 从头算 sio(x^1∑^+) 分析势能函数 Murrell—Sorbie函数
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掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光 被引量:4
2
作者 陈维德 马智训 +3 位作者 许振嘉 何杰 顾诠 梁建军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期55-59,共5页
采用等离子化学汽相淀积方法,改变SiH4和N2O的流量比制备含有不同氧浓度的SiOx.用离子注入方法将铒掺入SiOx,经300~935℃快速热退火,在波长1.54μm处观察到很强的室温光致发光(PL).发光强度随氧含... 采用等离子化学汽相淀积方法,改变SiH4和N2O的流量比制备含有不同氧浓度的SiOx.用离子注入方法将铒掺入SiOx,经300~935℃快速热退火,在波长1.54μm处观察到很强的室温光致发光(PL).发光强度随氧含量和激发功率增加而增加,与SiOx的微结构有非常密切的关系. 展开更多
关键词 掺铒 光致发光 室温 氧化硅
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纳米SiO_X改性不饱和聚酯树脂 被引量:10
3
作者 周文英 李海东 +1 位作者 牛国良 张娴 《纤维复合材料》 CAS 2003年第4期14-17,共4页
用纳米SiOX 粒子对 2 98# 不饱和聚脂 (UPR)进行增强、增韧改性 ,发现随粒子用量增加 ,树脂凝胶时间、粘度增大 ;粒子用量为 0 .5 %时树脂有脆韧转变现象 ;用量为 3%时 ,拉伸强度和断裂延伸率分别提高约 33%和 6 0 %。用KH - 5 70偶联... 用纳米SiOX 粒子对 2 98# 不饱和聚脂 (UPR)进行增强、增韧改性 ,发现随粒子用量增加 ,树脂凝胶时间、粘度增大 ;粒子用量为 0 .5 %时树脂有脆韧转变现象 ;用量为 3%时 ,拉伸强度和断裂延伸率分别提高约 33%和 6 0 %。用KH - 5 70偶联剂进行表面处理有助于提高纳米SiOX 粒子在UPR中的均匀分散。 展开更多
关键词 纳米siox 改性 不饱和聚酯树脂 增强 增韧 脆韧转变
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富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性 被引量:1
4
作者 陈蒲生 张昊 +3 位作者 冯文修 田小峰 刘小阳 曾绍鸿 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期31-34,共4页
通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱... 通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 . 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相淀积 俄歇电子能谱 红外光谱 电学参数 富氮sioxNY膜 抗电子注入能力
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α-SiO_x∶C薄膜的结构与发光特性研究 被引量:1
5
作者 李群 诸葛兰剑 +1 位作者 吴雪梅 项苏留 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期92-94,共3页
采用双离子束共溅射法制备了SiOx∶C薄膜。对样品的XRD和TEM测试结果表明薄膜为非晶结构 ;PL谱图显示有两个发光峰分别位于 4 2 0nm(紫光 )、4 70nm(蓝绿光 )处 ;4 70nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷 (O3 Si- S... 采用双离子束共溅射法制备了SiOx∶C薄膜。对样品的XRD和TEM测试结果表明薄膜为非晶结构 ;PL谱图显示有两个发光峰分别位于 4 2 0nm(紫光 )、4 70nm(蓝绿光 )处 ;4 70nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷 (O3 Si- SiO3 ) ,是由与氧原子配位的二价硅的单态以及三态 单态之间的跃迁所致 ,而与掺碳无关。进一步的XPS测试分析表明 ,4 2 0nm处的PL峰位可能来自于Si、C。 展开更多
关键词 发光特性 双离子束共溅射法 α-siox:C薄膜 非晶结构 PL谱图
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温度对非晶SiO_x薄膜的光致发光特性的影响 被引量:1
6
作者 罗经国 吴雪梅 +2 位作者 诸葛兰剑 宁兆元 姚伟国 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第3期65-70,共6页
采用双离子束共溅射法制备的SiOx 薄膜为非晶结构 ,在室温下观察到了可见光致发光 (PL)现象 ,探测到样品有四个PL峰 ,它们的峰位分别为~ 32 0nm ,~ 4 10nm ,~5 6 0nm和~ 6 30nm ,且峰位和峰强随温度 (基片温度Ts 和退火温度Ta)的变... 采用双离子束共溅射法制备的SiOx 薄膜为非晶结构 ,在室温下观察到了可见光致发光 (PL)现象 ,探测到样品有四个PL峰 ,它们的峰位分别为~ 32 0nm ,~ 4 10nm ,~5 6 0nm和~ 6 30nm ,且峰位和峰强随温度 (基片温度Ts 和退火温度Ta)的变化而发生变化 。 展开更多
关键词 siox薄膜 光致发光 非晶硅氧化合物薄膜 双离子束共溅射法 温度 峰位 峰强
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强脉冲X射线辐照Si-SiO_2界面对C-V和I-V特性曲线的影响 被引量:1
7
作者 杨志安 靳涛 +3 位作者 杨祖慎 姚育娟 罗尹虹 戴慧莹 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期302-306,共5页
利用强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行了辐照 ,测量了 C-V曲线和 I-V曲线。实验发现 ,经过强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行的辐照 ,使 C-V曲线产生了正向漂移 ,这一点与低剂量率辐射结果不同 ;辐射后 ,感生 I-V曲线产生畸变 ;特别地 ... 利用强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行了辐照 ,测量了 C-V曲线和 I-V曲线。实验发现 ,经过强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行的辐照 ,使 C-V曲线产生了正向漂移 ,这一点与低剂量率辐射结果不同 ;辐射后 ,感生 I-V曲线产生畸变 ;特别地 ,从 I-V曲线上还反映出强脉冲 X射线辐照的总剂量效应造成电特性参数明显退化 ,最后甚至失效。讨论了强脉冲 X射线辐照对 Si-Si O2 界面产生损伤的机理 。 展开更多
关键词 强脉冲x射线 Si-sio2界面 辐射损伤 C-V曲线 I-V曲线 损伤机理 MOS器件
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纳米SiOx对微发泡天然乳胶材料力学性能影响的研究 被引量:3
8
作者 刘东辉 李星 +1 位作者 王春莉 张健 《特种橡胶制品》 2002年第3期19-21,16,共4页
通过用复合分散剂对纳米SiOx进行表面改性处理后 ,将不同份数的纳米SiOx均匀分散于微发泡天然乳胶配方材料中 ,经硫化后 ,对其力学性能所受到的影响做了相应的研究。得出如下的结论 :当纳米SiOx用量为 1 5~ 2 0份时 。
关键词 纳米siox 微发泡 天然乳胶 力学性能 影响 研究 复合分散剂
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注铒a-SiO_x∶H中Er^(3+)发光与薄膜微观结构的关系
9
作者 陈长勇 陈维德 +3 位作者 王永谦 宋淑芳 许振嘉 郭少令 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期930-934,共5页
采用光致发光 (PL )谱和傅里叶变换红外 (FTIR)谱研究了掺铒 a- Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H〈 Er〉)薄膜在不同退火温度下光学性质和微观结构的变化 .PL 谱的测量结果表明 :薄膜在 1.5 4 μm的 Er3+发光和 75 0 nm处的可见发光随退火温度... 采用光致发光 (PL )谱和傅里叶变换红外 (FTIR)谱研究了掺铒 a- Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H〈 Er〉)薄膜在不同退火温度下光学性质和微观结构的变化 .PL 谱的测量结果表明 :薄膜在 1.5 4 μm的 Er3+发光和 75 0 nm处的可见发光随退火温度有相同的变化趋势 ,这种变化和薄膜在退火过程中微观结构的变化有着密切关系 .FTIR谱的分析表明 :a- Si Ox∶ H薄膜是一种两相结构 ,富硅相镶嵌在富氧相中 .两者的成分可近似用 a- Si Ox≈ 0 .3∶ H和 a- Si Ox≈ 1 .5∶ H表示 ,前者性质接近于氢化非晶硅 (a- Si∶ H ) ,后者性质接近于 a- Si O2 .富硅相在退火中的变化对 Er3+ 的发光强度有重要影响 . 展开更多
关键词 注铒a-siox:H ER^3+ 微观结构 光致发光 光学性质
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非晶SiO_X薄膜的制备及光学特性的研究 被引量:1
10
作者 吴雪梅 汤乃云 +4 位作者 叶春暖 董业民 诸葛兰剑 宁兆元 姚伟国 《微细加工技术》 2001年第4期39-43,共5页
采用双离子束共溅射方法制备了SiOX 薄膜 ,XRD和TEM的分析表明SiOX 薄膜为非晶结构 ,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90 的形式存在于薄膜中。其光吸收谱呈现了明显的吸收边蓝移现象 ,且随薄膜厚度的增加 ,光吸收谱中出现了较明显的宽化... 采用双离子束共溅射方法制备了SiOX 薄膜 ,XRD和TEM的分析表明SiOX 薄膜为非晶结构 ,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90 的形式存在于薄膜中。其光吸收谱呈现了明显的吸收边蓝移现象 ,且随薄膜厚度的增加 ,光吸收谱中出现了较明显的宽化的吸收峰。在室温下观察到了可见光致发光 (PL)现象 ,探测到样品有四个PL峰 ,它们的峰位分别为~ 32 0nm、~ 4 1 0nm、~ 56 0nm和~ 6 30nm 。 展开更多
关键词 非晶氧化碳薄膜 光学特性 半导体工艺
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反应蒸发制备nmSi-SiO_x发光薄膜
11
作者 张仕国 樊瑞新 +2 位作者 邓晓清 袁骏 陈伟 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 1999年第5期331-335,共5页
报道了用真空反应蒸发制备nmSi/SiOx 薄膜 ,制备出含有不同纳米尺寸硅颗粒的薄膜 ,研究了不同条件下得到的nmSi SiOx 薄膜的结构和组分。实验发现以SiO为蒸发源制备的薄膜能够实现光致发光。初步分析nmSi SiOx 薄膜发光机制可能是由纳... 报道了用真空反应蒸发制备nmSi/SiOx 薄膜 ,制备出含有不同纳米尺寸硅颗粒的薄膜 ,研究了不同条件下得到的nmSi SiOx 薄膜的结构和组分。实验发现以SiO为蒸发源制备的薄膜能够实现光致发光。初步分析nmSi SiOx 薄膜发光机制可能是由纳米硅量子效应引起的 ,界面效应和缺陷对薄膜PL可能没有贡献 。 展开更多
关键词 反应蒸发 发光 薄膜 纳米硅 氧化硅
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X射线荧光光谱法测定石灰石中CaO、MgO和SiO_2 被引量:15
12
作者 常玉文 李永忠 汪鄂东 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期43-44,共2页
试样用硼酸镶边衬底压片 ,以铑靶的瑞利散射线强度为内标 ,X射线荧光光谱法测定石灰石中的CaO、MgO和SiO2 ,取得满意的结果。
关键词 x射线荧光光谱法 石灰石 氧化钙 氧化镁 二氧化硅 测定
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纳米SiO_x/LDPE复合材料电导机理的研究 被引量:2
13
作者 陈炯 尹毅 +1 位作者 李喆 肖登明 《电线电缆》 2009年第6期21-24,共4页
以双溶液共混的方法制备了不同浓度的纳米SiOx/LDPE聚合物复合材料,并利用x射线衍射(XRD)对复合材料的结晶形态进行了测量。测量结果表明,纳米SiOx粒子的添加,使低密度聚乙烯(LDPE)的晶粒尺寸变小、结晶度变大。利用微电流计对... 以双溶液共混的方法制备了不同浓度的纳米SiOx/LDPE聚合物复合材料,并利用x射线衍射(XRD)对复合材料的结晶形态进行了测量。测量结果表明,纳米SiOx粒子的添加,使低密度聚乙烯(LDPE)的晶粒尺寸变小、结晶度变大。利用微电流计对不同浓度的纳米SiOx/LDPE聚合物复合材料在293-353K的温度范围内进行电导测量。结合计算机曲线拟舍技术,对空间电荷限制电流、肖特基效应、普尔.弗兰凯尔效应、离子跳跃电导模型进行了研究。研究表明,纯LDPE的电导模型以空间电荷限制电流为主,纳米SiOx/LDPE复合材料的电导以离子跳跃电导为主,并且其跳跃距离随温度的增加而增加。 展开更多
关键词 低密度聚乙烯 纳米siox 强场电导 x射线衍射
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纳米SiO_x改性苯丙乳胶涂料的试验研究 被引量:1
14
作者 谭为群 《低温建筑技术》 2003年第3期13-14,共2页
Based on proper selection of nano materials and disperse processes,one type of styrene-acrylate copolymer latex paint with excellent performances was developed through lots of experimental studies.
关键词 纳米 siox 改性 涂料
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锂离子电池负极材料Si-SiO_x-Sn/C的制备及电化学性质
15
作者 陈丽 张宁 高立军 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2011年第3期228-231,共4页
采用碳热还原法在氮气保护下于管式炉中焙烧SiO、SnO2和碳的混合物,制备复合负极材料Si-SiOx-Sn/C。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对材料的结构进行表征,通过电化学阻抗谱(EIS)和充放电测试对材料的电化学性能进行测试和分析。结... 采用碳热还原法在氮气保护下于管式炉中焙烧SiO、SnO2和碳的混合物,制备复合负极材料Si-SiOx-Sn/C。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对材料的结构进行表征,通过电化学阻抗谱(EIS)和充放电测试对材料的电化学性能进行测试和分析。结果表明:900℃焙烧2 h的样品由晶体锡、无定形硅及其氧化物和碳组成,首次放电比容量高达1 144 mAh.g-1。10次循环后容量保持稳定,充放电效率保持较高状态。 展开更多
关键词 Si-siox-Sn/C复合物 负极材料 碳热还原法 锂离子电池
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X射线荧光光谱法测定转炉渣中CaO,MgO,SiO_2 被引量:7
16
作者 李华斌 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期58-59,共2页
试样用硼砂镶边衬底压片 ,以铑靶的康普顿散射线强度为内标 ,X射线荧光光谱法测定转炉渣中CaO ,MgO和SiO2的含量 ,结果令人满意。
关键词 x射线荧光光谱法 测定 转炉渣 CAO MGO sio2
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X射线衍射在纳米材料物理性能测试中的应用 被引量:19
17
作者 张泽南 《浙江工业大学学报》 CAS 2002年第1期31-35,共5页
借助X射线衍射 (XRD)试验 ,测定纳米SiO2 和纳米CaCO3的微观结构 ,采用半定量法(QXRD)测定了纳米SiO2 与普通Ca(OH) 2 和水泥硬化浆体界面中Ca(OH) 2 的反应程度 ,以及在水泥硬化浆体界面中Ca(OH) 2 晶体的取向程度 ,试验结果表明纳米Si... 借助X射线衍射 (XRD)试验 ,测定纳米SiO2 和纳米CaCO3的微观结构 ,采用半定量法(QXRD)测定了纳米SiO2 与普通Ca(OH) 2 和水泥硬化浆体界面中Ca(OH) 2 的反应程度 ,以及在水泥硬化浆体界面中Ca(OH) 2 晶体的取向程度 ,试验结果表明纳米SiO2 能大幅度地降低这种取向程度。同时采用基本参数法和谢乐公式法计算了在水泥硬化浆体界面中Ca(OH) 2 的晶粒尺寸 ,得到纳米SiO2 有细化Ca(OH) 2 晶粒作用的结论。 展开更多
关键词 x射线衍射 纳米sio2 反应过程 取向程度 晶粒尺寸 纳米材料 二氧化硅 物理性能测试
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ZnO-B2O_3-SiO_2系统的相结构与介电性能的研究
18
作者 吴霞宛 李玲霞 +2 位作者 王洪儒 张志萍 郝建民 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第3期206-208,共3页
对 Zn O- B2 O3- Si O2 三元系统进行了 XRD和介电性能定量关系的研究。系统的主、次晶相为 Si O2 、Zn2 Si O4相。调整各组分 ,获得了超低介电常数的介质陶瓷 ,其介电常数ε为 5 ,介电损耗 tanδ≤ 5× 10 - 4 ,容量温度系参数αc... 对 Zn O- B2 O3- Si O2 三元系统进行了 XRD和介电性能定量关系的研究。系统的主、次晶相为 Si O2 、Zn2 Si O4相。调整各组分 ,获得了超低介电常数的介质陶瓷 ,其介电常数ε为 5 ,介电损耗 tanδ≤ 5× 10 - 4 ,容量温度系参数αc≤ (0± 30 )× 10 - 6 /°C、绝缘电阻 IR≥ 10 1 2 Ω ,烧结温度为 1140°C。并对系统进行了 X-射线分析 ,探讨了用X-射线衍射峰强度计算各物相含量的方法。 展开更多
关键词 ZnO-B2O3-sio2系统 相结构 介电性能 表面组装技术 集成电路
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X射线荧光光谱仪在烧结矿分析中的应用
19
作者 陈海 潘丽梅 《柳钢科技》 2006年第4期27-32,共6页
叙述了采用粉末压片制样X射线荧光光谱法测定烧结矿中SiO2、CaO、MgO、TFe、S、P等6个成分。本法分析速度快,测量准确度、精密度较好,应用于生产,效果满意。
关键词 x射线荧光光谱法烧结矿sio2 CAO MGO TFe S P
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高比能量锂离子电池的全周期安全性
20
作者 张越超 高金津 +1 位作者 高秀玲 马华 《电池》 CAS 北大核心 2024年第5期682-687,共6页
高比能量锂离子动力电池及安全性一直是研究的重点。以高镍三元材料LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)(NCM811)为正极活性物质、石墨复合硅氧材料为负极活性物质,制备300 W·h/kg的动力锂离子电池,研究电池从制成到循环衰减至容量保... 高比能量锂离子动力电池及安全性一直是研究的重点。以高镍三元材料LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)(NCM811)为正极活性物质、石墨复合硅氧材料为负极活性物质,制备300 W·h/kg的动力锂离子电池,研究电池从制成到循环衰减至容量保持率为75%的全周期安全性变化。通过加热测试,评价热稳定性变化,通过针刺测试,评价内短路耐受性的变化,并通过差示扫描量热(DSC)、SEM、四探针测试,分析安全性能变化的机制。电池在容量保持率100%(循环前)、80%、75%时的热失控温度分别为167℃、161℃和143℃,针刺热失控深度分别为1.99 mm、2.52 mm和3.54 mm。随着循环的进行,硅氧负极的固体电解质相界面(SEI)膜持续大幅增加,导致热稳定性下降,内短路耐受性提高。电解液的减少,导致电池生命后期的热失控放热量下降。 展开更多
关键词 锂离子电池 高镍正极 硅氧负极 全周期安全性 热稳定性 内短路耐受性
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