p型扩散区(SiO_2/Si系扩Ga)的俄歇分析

采用Ga在SiO2 /Si系扩散途径 ,对扩Ga硅片进行了俄歇分析 ,在p型区未发现重金属杂质 ,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用 ,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性 .

镓杂质R_S效应的研究与分析

在确定的开管扩镓装置中 ,以氢气作为镓源 Ga2 O3的反应和输运气体 ,凭借准确地控制扩散条件 ,控制 Ga在Si O2 / Si系统中扩散 ,可获得良好的杂质 RS效应 .根据 Ga在 Si和 Si O2 中的扩散行为 ,研究和分析了镓在裸 Si系和 Si O2 / Si系扩散所产生的杂质 RS效应机理 ,及其热氧化、氧化膜质量和厚度对

开管扩Ga模型的初步建立

依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO_2膜的吸收输运和SiO_2-Si内界面上的分凝效应两者的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO_2薄层的表面效应及Si的体内效应;初步建立起SiO_2/Si系下开管扩散Ga的模型。