期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
蚀刻腔条件对刻蚀工艺的影响研究 被引量:4
1
作者 陈乐乐 朱亮 +3 位作者 包大勇 季高明 蔡辉 李东霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1088-1090,1094,共4页
在ULSI制造中蚀刻腔条件的变化是导致刻蚀工艺重复性差的一个重要原因。在刻蚀过程中,一层聚合物会淀积在蚀刻腔壁上。通过XPS分析得知,聚合物的主要成分为(CF2)n。实验过程发现不同的聚合物量会影响等离子体中CF2基团的浓度。聚合物越... 在ULSI制造中蚀刻腔条件的变化是导致刻蚀工艺重复性差的一个重要原因。在刻蚀过程中,一层聚合物会淀积在蚀刻腔壁上。通过XPS分析得知,聚合物的主要成分为(CF2)n。实验过程发现不同的聚合物量会影响等离子体中CF2基团的浓度。聚合物越多,CF2浓度越高;反之,聚合物越少,CF2浓度就越低。在这种情况下,蚀刻腔上的聚合物被认为是等离子中CF2基团的一个源。CF2浓度的变化又导致最终刻蚀特性(CD,蚀刻率)的变化和工艺漂移。 展开更多
关键词 蚀刻腔条件 sio2刻蚀 关键尺寸
下载PDF
应用于有源芯片三维集成的小孔径高深宽比TSV刻蚀工艺 被引量:4
2
作者 赵鸿 李宝霞 +2 位作者 房玉亮 王文杰 吴玮 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第9期748-753,共6页
为了完成有源芯片上小孔径、高深宽比硅通孔(TSV)的制作,研究了基于电感耦合等离子体(ICP)技术的SiO2微孔深刻蚀工艺,实现了以C4F8/Ar为刻蚀气体源、刻蚀速率为0.612μm/min、刻蚀选择比为2.122、刻蚀角度为80.573°的SiO2微孔刻蚀... 为了完成有源芯片上小孔径、高深宽比硅通孔(TSV)的制作,研究了基于电感耦合等离子体(ICP)技术的SiO2微孔深刻蚀工艺,实现了以C4F8/Ar为刻蚀气体源、刻蚀速率为0.612μm/min、刻蚀选择比为2.122、刻蚀角度为80.573°的SiO2微孔刻蚀;优化了小孔径、高深宽比TSV刻蚀形貌。通过降低衬底温度,消除了"咬边"现象,通过缩短单步循环中刻蚀时间和钝化时间,减小了"扇贝"尺寸,实现了TSV孔径约为5μm、深宽比为10∶1、侧壁光滑、无"咬边"现象的TSV刻蚀。结合优化后的SiO2微孔刻蚀工艺和小孔径、高深宽比TSV刻蚀工艺完成了表面具有约10μm厚的SiO2、孔径约为5μm、深宽比大于10∶1的TSV刻蚀。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 有源芯片 三维集成 sio2微孔刻蚀 高深宽比
下载PDF
溶胶-凝胶法制备超亲水型低折射率膜层材料 被引量:2
3
作者 张书铭 罗建辉 +3 位作者 夏碧波 李远洋 何玫莹 江波 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1342-1348,共7页
以正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,乙醇为溶剂,氨水为催化剂,制备二氧化硅(Si O2)前驱体溶胶,并采用氢氟酸(HF)对溶胶中的球形Si O2粒子进行刻蚀改性,通过浸渍提拉法镀膜制备多孔Si O2膜层材料.研究结果表明,HF刻蚀后,多孔Si O2膜层材料的折... 以正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,乙醇为溶剂,氨水为催化剂,制备二氧化硅(Si O2)前驱体溶胶,并采用氢氟酸(HF)对溶胶中的球形Si O2粒子进行刻蚀改性,通过浸渍提拉法镀膜制备多孔Si O2膜层材料.研究结果表明,HF刻蚀后,多孔Si O2膜层材料的折射率明显降低,当HF的质量分数为3%时,膜层的折射率降低至1.101,膜层的静态接触角降低为3°,并且膜层的防雾性能得到显著提高. 展开更多
关键词 低折射率 溶胶-凝胶法 超亲水 防雾性 氢氟酸 sio2粒子刻蚀
下载PDF
Replication of large area nanoimprint stamp with small critical dimension loss 被引量:1
4
作者 MENG FanTao GUAN Le +2 位作者 WANG ZhiWen HAN ZhiTao CHU JinKui 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2012年第3期600-605,共6页
In this paper,the replication process of large area nanoimprint stamp with small critical dimension(CD) loss was investigated,using the thin residual layer nanoimprint lithography(NIL) technology.The residual layer th... In this paper,the replication process of large area nanoimprint stamp with small critical dimension(CD) loss was investigated,using the thin residual layer nanoimprint lithography(NIL) technology.The residual layer thickness was optimized by changing the spin-coated resist thickness.The dependences of the residual layer etching rate on gas flow,chamber pressure,and RF power were investigated,and the optimized process conditions were established.By means of the thin residual layer NIL technique and optimized residual layer etching process,large area stamp with small CD loss and multi-orientation patterns was successfully replicated on 2-inch SiO2/Si wafer.The CD loss was controlled within 5 nm.The replicated stamp showed high performance in the patterning with thermal NIL.The replication process reported in this work could also be used to fabricate large area nanostructures with small CD loss. 展开更多
关键词 nanoimprint stamp REPLICATION small critical dimension loss nanoimprint lithography multi-orientation patterns
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部