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SiO_2微球模板制备多孔硅与其热电性能研究
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作者 刘晓伟 郭文哲 +3 位作者 翟晓霞 甄聪棉 马丽 侯登录 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2016年第3期210-214,共5页
利用SiO_2微球模板法腐蚀Si片,发现不仅提高了腐蚀速率,而且孔洞更加均匀,孔隙率和有序性有所提高.对所制备的多孔硅进行性能测试结果表明,随腐蚀时间增加热导率降低.与相同时间无模板直接化学腐蚀多孔硅相比,SiO_2微球模板法得到的多... 利用SiO_2微球模板法腐蚀Si片,发现不仅提高了腐蚀速率,而且孔洞更加均匀,孔隙率和有序性有所提高.对所制备的多孔硅进行性能测试结果表明,随腐蚀时间增加热导率降低.与相同时间无模板直接化学腐蚀多孔硅相比,SiO_2微球模板法得到的多孔硅有更低的热导率.将多孔硅腐蚀时间75min与腐蚀时间90min进行比较,样品的激活能由100.49meV增加到174.19meV,电阻率略有上升. 展开更多
关键词 热电材料 多孔硅 sio2微球模板 热电性能 热导率
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