SiO_2/Si衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润研究

采用高精度的光学显微镜和原子力显微镜研究了光滑S iO2衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程,并观测到成核退湿润过程:初态时在聚苯乙稀薄膜中出现随机分布的小孔,孔的尺寸的变化与时间成正比,终态时观测到聚苯乙稀小球在S iO2衬底上的蜂窝状分布,聚苯乙稀小球的分布与薄膜表面的缺陷密切相关。

SiO_2衬底上外延横向覆盖生长单晶硅薄膜的研究

本文论述了SOI方法之一——ELO(外延横向覆盖生长)技术的特点和工艺方案。利用射频加热卧式常压外延设备进行了系统的工艺研究,重点探讨了如何提高ELO层的质量和如何减少单晶缺陷的问题。分别在10微米和15微米宽的SiO_2条状图形上生长出了硅单晶层,检测分析了ELO层的结构特性。基于ELO工艺的特点提出了利用HCl在位抛光减薄ELO层的工艺。

脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜

本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm。

SiO_2/Si衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程观测

采用光学显微镜和原子力显微镜观测了光滑SiO2衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程.观测到成核退湿润过程为:初态时,在聚苯乙稀薄膜中出现随机分布的小孔,并且小孔随着时间的增加而逐渐变大,孔的尺寸的变化与时间成正比;终态时观测到聚苯乙稀小球在SiO2衬底上的蜂窝状分布,聚苯乙稀小球的分布与薄膜表面的缺陷密切相关.

化学气相沉积可控制备超薄二维MoS2纳米片

采用化学气相沉积(CVD)技术,以硫粉和MoO3为反应剂、氩气为载气,在SiO2/Si衬底上制备超薄二维MoS2纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、喇曼光谱和光致发光光谱测试分析技术,研究硫粉送入距离对超薄MoS2纳米片的形貌、结构和光学性质的影响规律。结果表明:硫粉送入距离为17~25 cm时,距离MoO31 cm的SiO2/Si衬底上形成平行于衬底生长的二维MoS2纳米片;硫粉送入距离为25~29 cm时,MoO3正上方的SiO2/Si衬底上形成竖直排列的二维MoS2纳米片。通过调控硫粉送入距离和衬底的位置可以控制MoS2的形成过程,实现水平排列和垂直排列二维MoS2纳米片的可控生长。