SiO_2钝化提高CdSe/ZnS量子点的发光稳定性

光诱导功能退化是胶体量子点在应用中面临的主要挑战之一,本文针对这一问题研究了使用磁控溅射沉积SiO_2薄膜形成钝化层来提高CdSe/ZnS量子点发光稳定性的方法。首先,通过三正辛基膦辅助连续离子层吸附反应方法合成了615 nm发光的红色CdSe/ZnS量子点。然后将量子点旋涂在SiO_2/Si基片上,再通过磁控溅射方法在量子点上沉积了厚度为20 nm的SiO_2薄膜作为钝化层。使用连续波激光光源分别在空气气氛和真空条件下照射样品,研究了经过不同照射时间后钝化和未钝化量子点的稳态光致发光光谱。结果表明,随着照射时间的延长,没有SiO_2钝化的量子点的PL强度显著降低、PL峰值发生蓝移、FWHM不断增大。对比研究发现,由于SiO_2薄膜能够阻挡空气中的水和氧,减缓了量子点表面的光诱导氧化现象,因此显著提高了CdSe/ZnS量子点的稳定性。

SiO_2钝化膜对i-GaN肖特基探测器性能的影响

在采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的非故意掺杂的i-GaN材料上制备了平面结构肖特基探测器；利用磁控溅射在探测器的两个电极隔离区域生长SiO2钝化膜；并对这些器件的性能进行了表征。通过与没有SiO2钝化膜的肖特基探测器性能比较，结果表明：SiO2钝化膜能显著地降低器件的反向漏电流，同时并不影响器件的正向开启电压；在光波长范围为300～365nm，探测器的响应率显著地提高。产生这些变化可能是SiO2钝化膜减少了肖特基探测器电极隔离区域表面缺陷的缘故。

背钝化高效晶硅电池的研究

背场钝化技术作为高效电池技术中的一种，在降低背表面复合速率，提高太阳电池长波响应，修复背表面态方面具有明显优势，．本文采用SiNx／SiO2双层钝化层制备背场钝化电池片（BSP），并对其电学性能进行探讨，SiNJSiO：双层钝化层电池与常规工艺电池相比在Isc、Voc和Eft都会有一定提高，通过电池片IQE分析发现，该电池在长波区域的IQE响应比正常电池片有明显提升。

SiO_2钝化膜对非极性AlGaN-MSM紫外探测器的影响

采用SiO_2钝化膜方法对引入低温AlN插入层的高温MOCVD外延生长的未掺杂的非极性AlGaN外延薄膜制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外光电探测器。研究了磁控溅射SiO_2钝化膜对探测器光电性能的提升。暗电流测试表明,钝化处理使探测器的暗电流可以降低了2-3个数量级。在5 V偏压下,通过光谱响应测试发现,经过钝化处理的探测器在300nm处具有陡峭的截止边,具有很好的深紫外特性,光谱响应范围提高了3个数量级,抑制比高达105。