SiO_2钝化膜对i-GaN肖特基探测器性能的影响

在采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的非故意掺杂的i-GaN材料上制备了平面结构肖特基探测器；利用磁控溅射在探测器的两个电极隔离区域生长SiO2钝化膜；并对这些器件的性能进行了表征。通过与没有SiO2钝化膜的肖特基探测器性能比较，结果表明：SiO2钝化膜能显著地降低器件的反向漏电流，同时并不影响器件的正向开启电压；在光波长范围为300～365nm，探测器的响应率显著地提高。产生这些变化可能是SiO2钝化膜减少了肖特基探测器电极隔离区域表面缺陷的缘故。

SiO_2钝化膜对非极性AlGaN-MSM紫外探测器的影响

采用SiO_2钝化膜方法对引入低温AlN插入层的高温MOCVD外延生长的未掺杂的非极性AlGaN外延薄膜制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外光电探测器。研究了磁控溅射SiO_2钝化膜对探测器光电性能的提升。暗电流测试表明,钝化处理使探测器的暗电流可以降低了2-3个数量级。在5 V偏压下,通过光谱响应测试发现,经过钝化处理的探测器在300nm处具有陡峭的截止边,具有很好的深紫外特性,光谱响应范围提高了3个数量级,抑制比高达105。