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原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响
被引量:
1
1
作者
孔令德
方辉
+5 位作者
魏虹
刘礼
周润生
铁筱滢
杨文运
姬荣斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2015年第4期319-322,共4页
氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50 nm VOx薄膜后,紧接着沉积30 nm SiOx钝化层。通过原位残余...
氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50 nm VOx薄膜后,紧接着沉积30 nm SiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪(RGA)和衬底温度控制,调节氧化钒薄膜中的氧含量,分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律,原位残余气体分析仪(RGA)和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。
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关键词
离子束溅射沉积
siox/vox双层膜
残余气体分析仪(RGA)
电阻温度系数(TCR)
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职称材料
题名
原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响
被引量:
1
1
作者
孔令德
方辉
魏虹
刘礼
周润生
铁筱滢
杨文运
姬荣斌
机构
昆明物理研究所
北方广微科技有限公司
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2015年第4期319-322,共4页
文摘
氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50 nm VOx薄膜后,紧接着沉积30 nm SiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪(RGA)和衬底温度控制,调节氧化钒薄膜中的氧含量,分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律,原位残余气体分析仪(RGA)和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。
关键词
离子束溅射沉积
siox/vox双层膜
残余气体分析仪(RGA)
电阻温度系数(TCR)
Keywords
ion beam sputter deposition
siox/
vox
film stack
residual gas analyser
temperature coefficient of resistance
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响
孔令德
方辉
魏虹
刘礼
周润生
铁筱滢
杨文运
姬荣斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
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参考文献
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