铝表面化学气相沉积SiO_x膜层的显微结构和性能

采用低温常压化学气相沉积(CVD)方法在铝基底上制备了硅氧化物陶瓷膜层。使用SEM、XPS、AFM、XRD、HRTEM和UV VIS等技术分析了膜层的形貌、成分和组织结构特征,测试了膜层的孔隙率、光学和显微力学性能。结果表明:硅氧化物SiOx陶瓷膜层在铝基表面以气相反应沉积硅氧化物颗粒—颗粒嵌镶堆垛—融合长大的方式生成,大部分膜层为非晶态区域,其中包含少量局部有序区域,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.75,膜层疏松多孔,具有很高的紫外可见光吸收率,膜层与基底具有很好的结合性。

具有高结合强度的铝基片SiO_x陶瓷膜层CVD制备

采用常压CVD方法在铝合金基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层。使用SEM、TEM及XPS仪分析了膜层形貌、成分和组织结构 ,通过 180°、90°弯曲实验和 45 0℃热冲击实验考察了陶瓷膜层与基片的结合性能 ,证实该技术制备的膜层与基底的结合强度很高。

铝基APCVD沉积SiO_x膜层的光学性能研究

采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包含少量局部有序区域.SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外-可见光吸收率和较高的近红外光吸收率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁.

铝基底上SiO_x陶瓷膜层的CVD制备及结构性能

本研究采用常压化学气相沉积(CVD)的方法在金属铝基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.介绍了陶瓷膜层的制备工艺及设备.通过SEM、TEM观察了该膜层的形貌,并用XPS测定了膜层的成分,用TEM分析了陶瓷膜层的结构特征.通过拉伸实验、划痕实验及弯曲实验考察了陶瓷膜层与铝基底的结合性能,结果表明,膜层与基底的结合非常好.