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氧、氮掺杂非晶硅基薄膜的荧光
1
作者
石旺舟
欧阳艳东
+1 位作者
吴雪梅
姚伟国
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期71-74,共4页
采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0~ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立...
采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0~ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立峰结构。在SiOxNy∶H薄膜中 ,荧光谱由 2 50~ 4 0 0nm、50 0~ 70 0nm两个荧光带和 3 70nm、73 0nm两组分立荧光峰组成。分立峰强度随薄膜中的氮含量增加而升高 ;荧光带中心位置受到沉积过程中氢的流量调制 ,当氢流量增加时 ,发射带的中心位置产生蓝移。
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关键词
非晶硅基薄膜
荧光
PECVD
SiDx:
h
sioxny
:
h
发光材料
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职称材料
题名
氧、氮掺杂非晶硅基薄膜的荧光
1
作者
石旺舟
欧阳艳东
吴雪梅
姚伟国
机构
汕头大学物理系
苏州大学薄膜材料实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期71-74,共4页
基金
广东省科学基金
文摘
采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0~ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立峰结构。在SiOxNy∶H薄膜中 ,荧光谱由 2 50~ 4 0 0nm、50 0~ 70 0nm两个荧光带和 3 70nm、73 0nm两组分立荧光峰组成。分立峰强度随薄膜中的氮含量增加而升高 ;荧光带中心位置受到沉积过程中氢的流量调制 ,当氢流量增加时 ,发射带的中心位置产生蓝移。
关键词
非晶硅基薄膜
荧光
PECVD
SiDx:
h
sioxny
:
h
发光材料
Keywords
amorp
h
ous Si∶
h
t
h
in film
O and N impurity level
p
h
otoluminescence
分类号
TN104.3 [电子电信—物理电子学]
O484.41 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧、氮掺杂非晶硅基薄膜的荧光
石旺舟
欧阳艳东
吴雪梅
姚伟国
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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职称材料
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