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Si_(100)P_(2.5)(GaP)_(1.5)中随机孔洞对热电性能的影响
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作者 何琴玉 罗海津 +5 位作者 王银珍 李炜 苏佳槟 雷正大 陈振瑞 张勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第23期439-445,共7页
纯硅由于原材料来源广、熔点高,是潜在的太阳能热发电用热电材料.它的热电绩效因子ZT很小,室温只有0.01.本研究小组通过掺杂和结构纳米化制备了Si_(100)P_(2.5)(GaP)_(1.5),获得813℃时的ZT为0.47.本文在此基础上,通过引入一种新的机制... 纯硅由于原材料来源广、熔点高,是潜在的太阳能热发电用热电材料.它的热电绩效因子ZT很小,室温只有0.01.本研究小组通过掺杂和结构纳米化制备了Si_(100)P_(2.5)(GaP)_(1.5),获得813℃时的ZT为0.47.本文在此基础上,通过引入一种新的机制——随机孔洞——来进一步提高纯硅基材料Si_(100)P_(2.5)(GaP)_(1.5)的ZT.结果表明:由于孔洞增加了对低能载流子的过滤,Seebeck系数得到了提高;又由于孔洞对主要携带热量的声子的散射,晶格热导率大大降低,结果Si_(100)P_(2.5)(GaP)_(1.5)的ZT提高了32%.研究结果表明引入随机孔洞是增加纯硅基体系ZT的有效途径. 展开更多
关键词 热电性能 随机孔洞 Si_100P_2.5(gap)_1.5
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