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高固含量Si_3N_4/B_4C水基悬浮体的制备 被引量:2
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作者 邓斌 邝小飞 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》 CAS 2004年第1期33-35,40,共4页
高固相、低粘度Si3N4/B4C水基悬浮体的制备是实现陶瓷材料凝胶注模成型工艺的关键和前提。以Si3N4和B4C为初始原料,选择合适的分散剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP),通过优选工艺参数,10%的B4C和90%的Si3N4与H2O混合,加入1.5mg/m2PVP,调节pH=10.5... 高固相、低粘度Si3N4/B4C水基悬浮体的制备是实现陶瓷材料凝胶注模成型工艺的关键和前提。以Si3N4和B4C为初始原料,选择合适的分散剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP),通过优选工艺参数,10%的B4C和90%的Si3N4与H2O混合,加入1.5mg/m2PVP,调节pH=10.5,即可制备出固相体积分数为60%,粘度小于1Pa·s的Si3N4/B4C水基悬浮体。 展开更多
关键词 si3n4/b4c 水基悬浮体 分散剂 乙烯吡咯烷酮
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Ti-Si-Fe合金添加量对Si_(3)N_(4)结合SiC材料结构与性能的影响
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作者 姚路炎 韩兵强 +1 位作者 张锦化 柯昌明 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第4期277-283,共7页
为促进Si_(3)N_(4)结合SiC耐火材料的致密化,降低Si粉氮化温度,以SiC颗粒和细粉、Si粉为主要原料,利用从高钛型高炉渣提取的Ti-Si-Fe合金部分取代Si粉,在埋碳气氛下于1350℃反应烧结5 h,制备了Si_(3)N_(4)结合SiC耐火材料。研究了Ti-Si... 为促进Si_(3)N_(4)结合SiC耐火材料的致密化,降低Si粉氮化温度,以SiC颗粒和细粉、Si粉为主要原料,利用从高钛型高炉渣提取的Ti-Si-Fe合金部分取代Si粉,在埋碳气氛下于1350℃反应烧结5 h,制备了Si_(3)N_(4)结合SiC耐火材料。研究了Ti-Si-Fe合金添加量(加入质量分数分别为0、1.8%、3.6%、5.4%、7.2%)对Si粉的氮化行为、材料力学性能和显微结构的影响,并探讨了氮化反应烧结机制。结果表明:1)随着Ti-Si-Fe合金添加量的增加,材料的常温力学性能和高温抗折强度明显改善,荷重软化温度均超过1700℃,Ti-Si-Fe合金添加量超过3.6%(w)后材料性能的增幅变缓;2)Ti-Si-Fe合金促进了Si粉在较低温度下的完全氮化和材料的反应烧结,Ti-Si-Fe合金中各物相及Si粉氮化反应的体积增加能够充填气孔,氮化产物改善骨料与基质、基质内部的结合状态,从而提高材料的致密化程度,改善力学性能;3)引入Ti-Si-Fe合金后,反应体系中形成了富含Ti、Si、N、Fe成分的液相,氮化物的形成除传统的VS、VLS机制外,溶解-沉淀机制在短柱状β-Si_(3)N_(4)、粒状TiN的形成中起到主导作用,交错连结的α-Si_(3)N_(4)晶须、短柱状β-Si_(3)N_(4)、粒状TiN对材料的力学性能起到增强作用。 展开更多
关键词 Ti-si-Fe合金 反应烧结 si_(3)n_(4)结合sic耐火材料 致密化 溶解-沉淀
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TiC晶须增韧Si_(3)N_(4)基复相陶瓷的显微组织与力学性能
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作者 魏文庆 成云飞 +2 位作者 毛景祥 崔国栋 秦旭达 《材料热处理学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期48-54,共7页
以α-Si_(3)N_(4)为基体,TiC晶须(TiC whisker,简称TiC_(w))为增韧相,Al_(2)O_(3)、Y_(2)O_(3)和TiO_(2)为烧结助剂,采用热压烧结技术制备了Si_(3)N_(4)-TiC_(w)复相陶瓷材料,分析了TiC晶须含量对其显微组织及力学性能的影响。结果表明:... 以α-Si_(3)N_(4)为基体,TiC晶须(TiC whisker,简称TiC_(w))为增韧相,Al_(2)O_(3)、Y_(2)O_(3)和TiO_(2)为烧结助剂,采用热压烧结技术制备了Si_(3)N_(4)-TiC_(w)复相陶瓷材料,分析了TiC晶须含量对其显微组织及力学性能的影响。结果表明:Si_(3)N_(4)基体在烧结过程中α-Si_(3)N_(4)相部分转变为β-Si_(3)N_(4)相。TiC_(w)含量小于30 vol%时均匀分布在Si_(3)N_(4)基体中,与Si_(3)N_(4)具有良好的化学相容性。加入适量的TiC_(w)降低了Si_(3)N_(4)颗粒之间的表面扩散,抑制了Si_(3)N_(4)晶粒的异常长大,提高了复相陶瓷材料的致密度。当TiC_(w)含量为30 vol%时,Si_(3)N_(4)-TiC_(w)复相陶瓷材料的性能最佳,致密度达到97.71%,抗弯强度达到720.463 MPa,断裂韧性达到7.6 MPa·m^(1/2),维氏硬度达到18.412 GPa。 展开更多
关键词 si_(3)n_(4)基陶瓷 Tic晶须 显微组织 力学性能
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Y_(3)Si_(2)C_(2)掺量对Si_(3)N_(4)陶瓷微观结构与力/热学性能的影响
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作者 龙国钦 聂光临 +5 位作者 陈炫志 黎业华 彭小晋 黄瑶 邓欣 伍尚华 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2024年第3期539-548,共10页
Si_(3)N_(4)陶瓷具有优异的力学、化学、热学性能,在电子元器件散热与封装领域具有良好的应用前景。为制备高强度、高导热的Si_(3)N_(4)陶瓷,采用Y_(3)Si_(2)C_(2)-MgO二元复合烧结助剂,系统研究了Y_(3)Si_(2)C_(2)掺量与保温时间对Si_(... Si_(3)N_(4)陶瓷具有优异的力学、化学、热学性能,在电子元器件散热与封装领域具有良好的应用前景。为制备高强度、高导热的Si_(3)N_(4)陶瓷,采用Y_(3)Si_(2)C_(2)-MgO二元复合烧结助剂,系统研究了Y_(3)Si_(2)C_(2)掺量与保温时间对Si_(3)N_(4)陶瓷致密度、力学性能及热导率的影响规律,并基于微观结构和物相组成分析阐释了Si_(3)N_(4)陶瓷力/热学性能的优化机制。研究结果表明:随着Y_(3)Si_(2)C_(2)掺量的增加,Si_(3)N_(4)陶瓷试样(保温时间分别为4 h和12 h)的热导率和弯曲强度均呈现先增大后降低的变化规律;保温4 h所制Si_(3)N_(4)陶瓷的弯曲强度主要受致密度的影响,保温12 h所制Si_(3)N_(4)陶瓷的弯曲强度主要受微观结构的均匀度及晶粒尺寸的影响;保温时间的延长有利于气体排出和晶粒生长,从而促进Si_(3)N_(4)陶瓷的致密化及热导率的提升。利用气压烧结(1900℃保温12 h),掺加1.5 mol%的Y_(3)Si_(2)C_(2)可制得致密度为99.0%、热导率为(106.80±2.64)W·m^(−1)·K^(−1)、弯曲强度为(590.21±25.69)MPa的Si_(3)N_(4)陶瓷,其具有优良的力/热学综合性能,有利于提升Si_(3)N_(4)陶瓷封装电子元器件的服役安全性与可靠性。 展开更多
关键词 si_(3)n_(4)陶瓷 二元复合烧结助剂 Y_(3)si_(2)c_(2) 热导率 力学性能 微观结构
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高分散Ru/Si_(3)N_(4)催化剂的制备及其在CO_(2)加氢中的应用
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作者 颜琳琳 魏宇学 +2 位作者 张成华 相宏伟 李永旺 《低碳化学与化工》 CAS 北大核心 2024年第3期9-17,共9页
氮化硅是一种良好的载体,具有较高的水热稳定性和机械稳定性,其表面的氨基基团能够较好地锚定金属,显著提高金属分散度。但是,商品氮化硅比表面积较低,对金属分散作用仍然有限。因此,以自制的高比表面积氮化硅(Si_(3)N_(4))为载体,通过... 氮化硅是一种良好的载体,具有较高的水热稳定性和机械稳定性,其表面的氨基基团能够较好地锚定金属,显著提高金属分散度。但是,商品氮化硅比表面积较低,对金属分散作用仍然有限。因此,以自制的高比表面积氮化硅(Si_(3)N_(4))为载体,通过浸渍法制备了不同Ru负载量(质量分数分别为0.5%、1.0%和2.0%)的催化剂(分别为0.5%Ru/Si_(3)N_(4)、1.0%Ru/Si_(3)N_(4)和2.0%Ru/Si_(3)N_(4)),并以商品氮化硅(Si_(3)N_(4)-C)为载体制备了2.0%Ru/Si_(3)N_(4)-C催化剂作为对照组。表征了催化剂的理化性质,测试了其在300℃、0.1 MPa下的CO_(2)加氢反应活性。结果显示,与Si_(3)N_(4)-C相比,Si_(3)N_(4)的比表面积较高(502 m^(2)/g),Si_(3)N_(4)作为载体显著提高了金属分散度,降低了金属粒径,催化剂暴露出更多的活性位点。0.5%Ru/Si_(3)N_(4)的金属粒径较小,展现出强的H_(2)吸附能力,H难以解吸,抑制了中间物种CO加氢生成CH_(4)。随着Ru负载量增加,金属粒径增大,催化剂的CH_(4)选择性更好。Ru/Si_(3)N_(4)系列催化剂中,2.0%Ru/Si_(3)N_(4)的CH_(4)选择性较高(98.8%)。空速为10000 m L/(g·h)时,0.5%Ru/Si_(3)N_(4)的CO选择性为88.2%。与2.0%Ru/Si_(3)N_(4)相比,2.0%Ru/Si_(3)N_(4)-C的金属粒径更大,活性位点较少,活性更低。2.0%Ru/Si_(3)N_(4)和2.0%Ru/Si_(3)N_(4)-C的CO_(2)转化率分别为53.1%和9.2%。Si_(3)N_(4)有效提高了金属分散度,提高了催化剂的CO_(2)加氢反应活性;通过调控Ru负载量控制催化剂金属粒径,可实现对产物CO或CH_(4)选择性的调控。 展开更多
关键词 cO_(2)加氢 Ru/si_(3)n_(4)催化剂 cH_(4)选择性 cO选择性
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PECVD Si_(3)N_(4)薄膜淀积工艺
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作者 ZHANG Qi 张奇 +3 位作者 刘婷婷 韩孟序 商庆杰 宋洁晶 《电子工艺技术》 2024年第4期48-50,共3页
采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备氮化硅(Si_(3)N_(4))薄膜作为光电器件的重要介质膜,其性能好坏直接影响器件的性能。淀积的Si_(3)N_(4)薄膜主要用作光电探测器的扩散膜和增透膜,击穿电压是该器件中比较重要的测试参数。应力、... 采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备氮化硅(Si_(3)N_(4))薄膜作为光电器件的重要介质膜,其性能好坏直接影响器件的性能。淀积的Si_(3)N_(4)薄膜主要用作光电探测器的扩散膜和增透膜,击穿电压是该器件中比较重要的测试参数。应力、击穿电压变化量则是器件的重要指标。通过试验对比和调试,发现不同工艺Si_(3)N_(4)介质膜应力和击穿电压变化量不同,最终实现了低应力、稳定击穿电压的膜层生长。300℃/150 W无氨Si_(3)N_(4)的压应力为50 MPa,在光照10 min后的击穿电压变化量小于0.1 V@50 V。 展开更多
关键词 PEcVD si_(3)n_(4) 应力 击穿电压
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SiC/SiBCN-Si_(3)N_(4)复合材料力学性能研究
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作者 王泽璇 胡兆财 +2 位作者 刘彬 谭指 解维华 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期143-152,共10页
为了深入了解SiC/SiBCN-Si_(3)N_(4)材料微观形貌与高温力学行为,建立科学可靠的定量表征方法,本文使用多种表征手段对SiC/SiBCN-Si_(3)N_(4)材料进行定量观测,首先进行材料孔隙率及密度的测试,随后进行材料高温原位力学性能测试并对材... 为了深入了解SiC/SiBCN-Si_(3)N_(4)材料微观形貌与高温力学行为,建立科学可靠的定量表征方法,本文使用多种表征手段对SiC/SiBCN-Si_(3)N_(4)材料进行定量观测,首先进行材料孔隙率及密度的测试,随后进行材料高温原位力学性能测试并对材料损伤机理进行了分析,最后基于试验数据构建了一种可解释的深度学习模型,实现了材料高温非线性本构关系预测。样件力学性能分析结果表明:平均应力预测误差为0.27%~0.59%、平均应变预测误差为1.96%~3.41%;同时通过量化分析明确了影响力学性能的因素依次为温度、偏轴角度、孔隙率及密度。本文实现了不同环境温度、偏轴角度与外载荷作用下SiC/SiBCN-Si_(3)N_(4)宏观力学性能的预测,可为陶瓷基复合材料高温本构模型的建立提供新思路。 展开更多
关键词 sic/sibcn-si_(3)n_(4)复合材料 结构特征观测 力学性能 深度学习
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Effects of Diamond on the Mechanical Properties and Thermal Conductivity of Si_(3)N_(4)Composites Fabricated Using Spark Plasma Sintering
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作者 GAO Ying LIU Di +6 位作者 WANG Aiyang ZHANG Song HE Qianglong REN Shifeng FANG Jie WANG Zihan WANG Weimin 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第5期1319-1324,共6页
Micrometer-sized diamonds were incorporated into silicon nitride(Si_(3)N_(4))matrix to manufacture high-performance Si_(3)N_(4)-based composites using spark plasma sintering at 1500℃under 50 MPa.The effects of the di... Micrometer-sized diamonds were incorporated into silicon nitride(Si_(3)N_(4))matrix to manufacture high-performance Si_(3)N_(4)-based composites using spark plasma sintering at 1500℃under 50 MPa.The effects of the diamond content on the phase composition,microstructure,mechanical properties and thermal conductivity of the composites were investigated.The results showed that the addition of diamond could effectively improve the hardness of the material.The thermal conductivity of Si_(3)N_(4)increased to 52.97 W/m·k at the maximum with the addition of 15 wt%diamond,which was 27.5%higher than that of the monolithic Si_(3)N_(4).At this point,the fracture toughness was 7.54 MPa·m^(1/2).Due to the addition of diamond,the composite material generated a new substance,MgSiN2,which effectively combined Si_(3)N_(4)with diamond.MgSiN2 might improve the hardness and thermal conductivity of the materials. 展开更多
关键词 spark plasma sintering si_(3)n_(4) DIAMOnD thermal conductivity mechanical properties
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聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响
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作者 李相辉 张祥龙 +3 位作者 孟妮 聂申奥 邱宇轩 何彦刚 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期131-137,共7页
在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了... 在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了聚甲基丙烯酸(PMAA)对SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率以及二者去除速率选择比的影响,分析了PMAA在影响SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率过程中的作用机理。结果表明,PMAA的加入可以降低SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率,当PMAA的质量分数为120×10^(-6)时,SiO_(2)和Si_(3)N_(4)的去除速率分别为185.4 nm/min和3.0 nm/min,去除速率选择比为61。抛光后SiO_(2)与Si_(3)N_(4)晶圆表面有较好的表面粗糙度,分别为0.290 nm和0.233 nm。 展开更多
关键词 浅沟槽隔离(STI) 化学机械抛光(cMP) 二氧化硅(siO_(2)) 氮化硅(si_(3)n_(4)) 聚甲基丙烯酸(PMAA) 去除速率选择比
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基于分形理论的旋转超声磨削Si_(3)N_(4)陶瓷表面微观形貌
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作者 孙永国 王伟 +2 位作者 李文知 魏恒举 魏士亮 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第3期382-390,共9页
为了研究旋转超声磨削Si_(3)N_(4)陶瓷表面的微观形貌,基于分形理论研究不同加工参数下Si_(3)N_(4)陶瓷表面微观形貌的变化。设计旋转超声磨削Si_(3)N_(4)陶瓷正交试验,对比分析不同加工参数对Si_(3)N_(4)陶瓷表面分形维数和多重分形谱... 为了研究旋转超声磨削Si_(3)N_(4)陶瓷表面的微观形貌,基于分形理论研究不同加工参数下Si_(3)N_(4)陶瓷表面微观形貌的变化。设计旋转超声磨削Si_(3)N_(4)陶瓷正交试验,对比分析不同加工参数对Si_(3)N_(4)陶瓷表面分形维数和多重分形谱的影响,并设计单因素试验研究不同加工参数下Si_(3)N_(4)陶瓷表面的粗糙度、分形维数和多重分形谱。结果表明:旋转超声磨削Si_(3)N_(4)陶瓷表面时,分形维数能更好地表征其加工表面的缺陷状态,多重分形谱则能更好地表征其加工表面缺陷的起伏程度变化。 展开更多
关键词 旋转超声磨削 si_(3)n_(4)陶瓷 分形维数 多重分形谱 微观形貌
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造孔剂对多孔Si_(3)N_(4)陶瓷透气系数的影响
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作者 张电 梁清泉 +2 位作者 刘璇 李延军 刘一军 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第4期290-296,共7页
为改善多孔Si_(3)N_(4)陶瓷的透气性,以Si粉为原料,Y_(2)O_(3)和CaF_(2)为烧结助剂,粒径为5和20μm的聚甲基丙烯酸甲酯微球为造孔剂,先注凝成型再排胶,最后在氮气气氛中于1650℃保温3 h反应烧结,制备了多孔Si_(3)N_(4)陶瓷。研究了造孔... 为改善多孔Si_(3)N_(4)陶瓷的透气性,以Si粉为原料,Y_(2)O_(3)和CaF_(2)为烧结助剂,粒径为5和20μm的聚甲基丙烯酸甲酯微球为造孔剂,先注凝成型再排胶,最后在氮气气氛中于1650℃保温3 h反应烧结,制备了多孔Si_(3)N_(4)陶瓷。研究了造孔剂粒径和添加量(体积分数分别为0、15%、30%、45%和60%)对多孔Si_(3)N_(4)陶瓷显气孔率、孔径分布、孔结构、透气系数等的影响。结果表明:1)添加造孔剂的试样呈堆积衍生孔和球形演化孔的二级孔结构,孔径呈双峰分布;2)在粒径相同时,随着造孔剂添加量的增加,试样的显气孔率和透气系数增大,而体积密度、弯曲强度、断裂韧性降低;3)相同添加量下,添加5μm的小粒径造孔剂的试样具有更高的显气孔率、透气系数和弯曲强度,采用较小粒径的造孔剂能减小孔壁的厚度,并扩大孔壁内堆积衍生孔的孔径,提高孔壁的渗透性;4)添加体积分数为60%的5μm造孔剂的试样综合性能最优,其显气孔率、透气系数和弯曲强度分别为55.1%、11.6×10^(-14)m^(2)和35.3 MPa。 展开更多
关键词 多孔si_(3)n_(4)陶瓷 造孔剂 孔径分布 孔结构 透气系数
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Si_3N_4/[SiC+B_4C]复合陶瓷的制备与性能研究
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作者 邓斌 侯耀永 《湘南学院学报》 2004年第5期64-67,共4页
采用高分散、高稳定混合水悬浮液方法制备Si3 N4/ [SiC +B4C]复合陶瓷 ,研究了亚微米B4C含量对Si3 N4/ [SiC+B4C]复合陶瓷性能的影响以及断裂相变量与性能的关系 。
关键词 性能研究 陶瓷 复合 制备 可能性 机制 悬浮
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高温环境Si_(3)N_(4)陶瓷与M50钢材料的球盘配副与润滑油量对摩擦学行为的影响研究
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作者 潘盈卓 吕宝华 +6 位作者 马楷 刘明辉 程洁 曹辉 白鹏鹏 孟永钢 田煜 《摩擦学学报(中英文)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期200-213,共14页
针对耐高温轴承的高温润滑问题,采用SRV-Ⅳ微动摩擦磨损试验机对轴承用材料Si_(3)N_(4)陶瓷和M50钢展开了高温控油摩擦磨损试验,之后对不同的配副方式进行了高温足量油、乏油的摩擦磨损对比试验.控油试验结果表明:200℃、足量油润滑条件... 针对耐高温轴承的高温润滑问题,采用SRV-Ⅳ微动摩擦磨损试验机对轴承用材料Si_(3)N_(4)陶瓷和M50钢展开了高温控油摩擦磨损试验,之后对不同的配副方式进行了高温足量油、乏油的摩擦磨损对比试验.控油试验结果表明:200℃、足量油润滑条件下,Si_(3)N_(4)(球)-M50(盘)配副相较于M50钢自配副具有更低的摩擦系数和盘磨损率.M50钢自配副磨损率更容易受到润滑油量的影响.这是由于Si_(3)N_(4)(球)-M50(盘)配副的M50盘表面在摩擦过程中生成了稳定的含磷摩擦反应膜,而M50钢自配副的磨损以磨粒磨损为主,化学反应膜容易被破坏,且磨粒浓度会受到润滑油量的影响.不同配副对比试验结果表明:200℃、3μL油量下,仅M50(球)-Si_(3)N_(4)(盘)配副长摩1 h未发生润滑失效,且能够保持较低的磨损率,除摩擦过程中产生的反应膜能够起到保护作用外,M50钢球表面化学反应膜成膜面积更小,成膜不易受乏油条件的影响也是重要原因. 展开更多
关键词 耐高温轴承 M50钢 si_(3)n_(4)陶瓷 高温 乏油
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三维雕刻法制备定向结构Si_(3)N_(4)/Al电子封装基片研究
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作者 欧毅 殷海荣 +4 位作者 白建光 黄瑞 梁利东 刘雷 宋海龙 《陕西科技大学学报》 北大核心 2024年第6期119-125,共7页
本文以三维雕刻法和铝合金穿孔熔渗工艺制备了定向结构Si_(3)N_(4)/Al电子封装基片,研究了不同定向孔直径对基片轴向导热系数和径向热膨胀系数的影响.微观形貌分析表明Si_(3)N_(4)陶瓷的烧结是主要包括聚团颗粒之间形成粘结和聚团颗粒... 本文以三维雕刻法和铝合金穿孔熔渗工艺制备了定向结构Si_(3)N_(4)/Al电子封装基片,研究了不同定向孔直径对基片轴向导热系数和径向热膨胀系数的影响.微观形貌分析表明Si_(3)N_(4)陶瓷的烧结是主要包括聚团颗粒之间形成粘结和聚团颗粒内部生成β-Si_(3)N_(4)的过程,聚团颗粒尺寸是影响Si_(3)N_(4)陶瓷性能的主要因素.轴向热导率随着气孔尺寸增加呈增加趋势;气孔尺寸为0.8 mm时,Si_(3)N_(4)/Al电子封装基片导热系数随着温度增加呈减小趋势,最高达到107.1 W·m^(-1)·k^(-1),径向热膨胀系数变化不大. 展开更多
关键词 三维雕刻法 定向结构si_(3)n_(4)/Al电子封装基片 轴向导热系数 径向热膨胀系数
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Al_(2)O_(3)对Si_(3)N_(4)结合SiC材料抗氧化和抗碱侵蚀性的影响 被引量:12
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作者 黄朝晖 孙加林 +1 位作者 王金相 洪彦若 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2000年第6期309-312,共4页
研究了添加 0~ 8%Al2 O3对烧成Si3N4结合SiC耐火材料的显微结构、抗氧化和抗碱侵蚀能力的影响。借助XRD、SEM及光学显微镜观察发现 :添加Al2 O3通过氮化反应烧结使得材料基质中的Si3N4由纤维状Si3N4向柱状Sialon相转化 ,显微结构更加... 研究了添加 0~ 8%Al2 O3对烧成Si3N4结合SiC耐火材料的显微结构、抗氧化和抗碱侵蚀能力的影响。借助XRD、SEM及光学显微镜观察发现 :添加Al2 O3通过氮化反应烧结使得材料基质中的Si3N4由纤维状Si3N4向柱状Sialon相转化 ,显微结构更加致密。 4# 试样中的Al2 O3加入量对提高Si3N4结合SiC耐火材料的抗氧化和抗碱侵蚀性的作用已极其明显。 展开更多
关键词 si_(3)n_(4)结合sic Al_(2)O_(3)添加物 抗氧化性 抗碱侵蚀性 sialon
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Si_(3)N_(4)和BN对铕掺杂硼硅酸盐玻璃发光性能的影响
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作者 崔久治 孙心瑗 +5 位作者 陈润川 杜文浩 肖晓东 吴妙春 李秀英 肖卓豪 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期7-12,共6页
铕离子在自然界中通常以Eu^(3+)存在,然而,铕离子单掺发光材料只有当Eu^(2+)和Eu^(3+)以合适浓度共存时才能实现白光发射。在还原气氛中制备铕掺杂硼硅酸盐玻璃时,很容易使得Eu^(3+)全部还原为Eu^(2+),因而很难获得Eu^(2+)和Eu^(3+)共... 铕离子在自然界中通常以Eu^(3+)存在,然而,铕离子单掺发光材料只有当Eu^(2+)和Eu^(3+)以合适浓度共存时才能实现白光发射。在还原气氛中制备铕掺杂硼硅酸盐玻璃时,很容易使得Eu^(3+)全部还原为Eu^(2+),因而很难获得Eu^(2+)和Eu^(3+)共存的发光材料。在空气氛围的烧成条件下对比研究了还原剂Si_(3)N_(4)和BN对铕掺杂硼硅酸盐玻璃发光性能的影响。结果表明,Si_(3)N_(4)和BN都能够在空气氛围下实现硼硅酸盐玻璃中铕离子的部分还原,且Si_(3)N_(4)的还原能力比BN更强。当Si_(3)N_(4)替代达到5 mol%,铕掺杂硼硅酸盐玻璃样品中Eu^(2+)浓度占优势,其CIE坐标为(x=0.29,y=0.34),表明以Si_(3)N_(4)还原铕掺杂硼硅酸盐玻璃在白光照明用荧光材料领域具有显著的应用潜力。 展开更多
关键词 si_(3)n_(4) bn EU 硼硅酸盐玻璃 白光
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Si_(3)N_(4)陶瓷关节轴承内圈外球面磨削研究
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作者 张豪 李颂华 +2 位作者 左闯 李闯 高艺枫 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期22-28,共7页
为探究氮化硅陶瓷关节轴承内圈外球面精密范成磨削方法,以表面粗糙度为主要评价指标,用立式五轴加工中心进行正交试验,确定各磨削参数对其表面粗糙度的影响顺序;再通过单因素试验探究磨削参数对其表面质量的影响规律,并用粒子群算法对... 为探究氮化硅陶瓷关节轴承内圈外球面精密范成磨削方法,以表面粗糙度为主要评价指标,用立式五轴加工中心进行正交试验,确定各磨削参数对其表面粗糙度的影响顺序;再通过单因素试验探究磨削参数对其表面质量的影响规律,并用粒子群算法对陶瓷关节轴承内圈磨削表面粗糙度进行回归预测,最终获得最佳加工工艺参数。结果表明:砂轮粒度与砂轮进给速度对氮化硅关节轴承内圈外球面磨削表面的粗糙度影响最显著,砂轮线速度次之,工件线速度影响最小;陶瓷轴承内圈外球面表面粗糙度随进给速度的提高而增大,随砂轮线速度、工件线速度的提高先减小后增大。模型的预测值与实际测量值相对误差小于5%,表明该模型的预测效果较好,为实际加工选取磨削参数提供了理论依据。 展开更多
关键词 si_(3)n_(4)陶瓷关节轴承 球面磨削 表面粗糙度 预测模型
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Si_3N_4结合SiC复相材料的高温氧化行为 被引量:3
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作者 王黎 蒋明学 +2 位作者 尹洪峰 陈盼军 李波涛 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期23-26,共4页
利用X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、压汞仪和热重分析仪等手段,在1 100~1 500℃范围内研究Si3N4结合SiC复相材料的高温抗氧化行为。结果表明:随氧化温度升高,由于氧化致密层的形成,试样氧化质量增加速率降低;随氧化温度升高出现氧化... 利用X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、压汞仪和热重分析仪等手段,在1 100~1 500℃范围内研究Si3N4结合SiC复相材料的高温抗氧化行为。结果表明:随氧化温度升高,由于氧化致密层的形成,试样氧化质量增加速率降低;随氧化温度升高出现氧化钝化现象,使Si3N4结合SiC复相材料表现出很好的高温抗氧化性能;高温氧化使Si3N4结合SiC复相材料显气孔率降低,常温抗压强度升高,由于氧化层表面裂纹形成使氧化后试样的常温耐压强度随氧化温度升高而降低。 展开更多
关键词 si_3n_4结合sic复相材料 氧化行为 强度 孔径分布
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Si_(3)N_(4)陶瓷在高温熔盐-水氧环境下的腐蚀行为
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作者 邱子豪 田志林 +1 位作者 郑丽雅 李斌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期274-282,I0002,共10页
熔盐电解是核能领域乏燃料干法后处理的关键技术。高温下熔盐会对盛装乏燃料的坩埚造成严重的腐蚀,因此,研发具有耐高温和抗腐蚀的坩埚材料是发展干法后处理技术的关键。Si_(3)N_(4)凭借其优异的高温热学和力学性能,成为干法后处理工艺... 熔盐电解是核能领域乏燃料干法后处理的关键技术。高温下熔盐会对盛装乏燃料的坩埚造成严重的腐蚀,因此,研发具有耐高温和抗腐蚀的坩埚材料是发展干法后处理技术的关键。Si_(3)N_(4)凭借其优异的高温热学和力学性能,成为干法后处理工艺中坩埚的理想候选材料。然而在实际服役条件下,Si_(3)N_(4)面临高温熔盐和水氧的侵蚀,其失效行为尚不明确。因此,本工作选取Si_(3)N_(4)为研究对象,在氩气和水氧(5%H_(2)O-10%O_(2)-85%Ar)环境中,开展了LiCl-KCl和NaCl-2CsCl熔盐对Si_(3)N_(4)的腐蚀行为研究。研究发现,在氩气环境中,Si_(3)N_(4)在LiCl-KCl熔盐中出现轻微的晶界腐蚀,而NaCl-2CsCl熔盐对其腐蚀并不明显。在5%H2O-10%O2-85%Ar水氧耦合环境中,LiCl-KCl熔盐优先腐蚀Si_(3)N_(4)中的晶界相,而NaCl-2CsCl熔盐的腐蚀比氩气环境更为严重。高温水氧环境显著加剧了熔盐对Si_(3)N_(4)陶瓷的腐蚀程度,同时晶界相成为Si_(3)N_(4)最易受到腐蚀的部位。此外,LiCl-KCl和NaCl-2CsCl熔盐在Si_(3)N_(4)表面的润湿性与抗腐蚀性之间并无直接关联。上述研究结果揭示了Si_(3)N_(4)在高温熔盐-水氧环境下的腐蚀机制,为乏燃料干法后处理工艺中关键材料的选择提供了参考。 展开更多
关键词 si_(3)n_(4) 晶界相 熔盐 水氧 干法后处理
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B4C对Si3N4/Si_(2)N_(2)O结合SiC材料抗热震性能的影响
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作者 曹会彦 吴吉光 +2 位作者 程竹 李杰 黄志刚 《耐火材料》 CAS 北大核心 2023年第1期70-73,共4页
首先以Si粉、SiO_(2)微粉为原料,先在700℃空气气氛处理,然后在1400℃氮气气氛下合成Si_(2)N_(2)O,研究了B_(4)C添加量(外加质量分数分别为0、1.0%、2.0%、3.0%、4.0%)对Si_(2)N_(2)O合成效果的影响。然后根据B_(4)C最优加入量,先在700... 首先以Si粉、SiO_(2)微粉为原料,先在700℃空气气氛处理,然后在1400℃氮气气氛下合成Si_(2)N_(2)O,研究了B_(4)C添加量(外加质量分数分别为0、1.0%、2.0%、3.0%、4.0%)对Si_(2)N_(2)O合成效果的影响。然后根据B_(4)C最优加入量,先在700℃空气气氛保温5 h,然后在1400℃氮气气氛保温5 h制备了Si_(3)N_(4)/Si_(2)N_(2)O结合SiC试样。采用1300℃风冷5次后试样的抗折强度保持率评价其抗热震性,分析了热震前后试样的物相组成和显微结构。结果表明:1)合成Si_(2)N_(2)O的B_(4)C最优添加量为3%(w);在700℃空气处理时,B_(4)C优先和气氛中O_(2)反应生成液相B2O3,为1400℃氮气气氛生成板片状Si_(2)N_(2)O提供充足液相。2)风冷热震后,添加B_(4)C的试样中Si_(2)N_(2)O结合相保持完整,强度保持率由未添加时的67.5%提高至88.5%;同时,生成的B2O3发生碳热还原氮化反应,生成导热性好、具有自润滑特性的BN,改善其抗热震性,并在使用过程中继续为Si_(3)N_(4)/Si_(2)N_(2)O结合SiC材料提供保护。 展开更多
关键词 b_(4)c si_(3)n_(4)/si_(2)n_(2)O结合sic 抗热震性 干熄炉 斜道区
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