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Solution-processable precursor route for fabricating ultrathin silica film for high performance and low voltage organic transistors 被引量:1
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作者 Shujing Guo Zhongwu Wang +7 位作者 Zeyang Xu Shuguang Wang Kunjie Wu Shufeng Chen Zongbo Zhang Caihong Xu Wenfeng Qiu Liqiang Li 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2017年第11期2143-2146,共4页
Silica is one of the most commonly used materials for dielectric layer in organic thin-film transistors due to its excellent stability, excellent electrical properties, mature preparation process, and good compatibili... Silica is one of the most commonly used materials for dielectric layer in organic thin-film transistors due to its excellent stability, excellent electrical properties, mature preparation process, and good compatibility with organic semiconductors. However, most of conventional preparation methods for silica film are generally performed at high temperature and/or high vacuum. In this paper, we introduce a simple solution spin-coating method to fabricate silica thin film from precursor route, which possesses a low leakage current, high capacitance, and low surface roughness. The silica thin film can be produced in the condition of low temperature and atmospheric environment. To meet various demands, the thickness of film can be adjusted by means of preparation conditions such as the speed of spin-coating and the concentration of solution. The p-type and n-type organic field effect transistors fabricated by using this film as gate electrodes exhibit excellent electrical performance including low voltage and high performance. This method shows great potential for industrialization owing to its characteristic of low consumption and energy saving, time-saving and easy to operate. 展开更多
关键词 silica spin coating thin film transistor
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棒状纳米ZnO薄膜晶体管效应的测定 被引量:1
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作者 杨文 林栋 +1 位作者 徐磊 寿崇琦 《山东化工》 CAS 2010年第9期1-4,共4页
分别采用水热法和微乳法制得了两种直径为10~40nm和60~70nm的棒状纳米ZnO材料;然后将制得的纳米材料乙醇溶液旋涂到石英基片上,将其中一部分旋涂膜进行煅烧,最后将经过煅烧和未经过煅烧的旋涂膜基片采用top-contact的方法镀上电极制... 分别采用水热法和微乳法制得了两种直径为10~40nm和60~70nm的棒状纳米ZnO材料;然后将制得的纳米材料乙醇溶液旋涂到石英基片上,将其中一部分旋涂膜进行煅烧,最后将经过煅烧和未经过煅烧的旋涂膜基片采用top-contact的方法镀上电极制成薄膜晶体管进行场效应的测定;实验表明:对于直径不同和同种样品旋涂膜经不同处理的场效应参数存在明显的差异,特别是电子迁移率,直径较大的未经煅烧的纳米ZnO旋涂膜的电子迁移率可以达到μ=156cm2V-1s-1。 展开更多
关键词 纳米氧化锌 纳米氧化锌旋涂膜 薄膜晶体管(TFT)
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Preparation and characterization of SiO_2/TiO_2/methylcellulose hybrid thick films for optical waveguides
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作者 杨军 张昕宇 +4 位作者 王沛 明海 吴云霞 谢建平 张俊颖 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第7期399-401,共3页
SiO_2/TiO_2/methylcellulose composite materials processed by the sol-gel technique were studied for optical waveguide applications. With the help of methylcellulose, an organic binder, SiO2/TiO2/methylcellulose hybrid... SiO_2/TiO_2/methylcellulose composite materials processed by the sol-gel technique were studied for optical waveguide applications. With the help of methylcellulose, an organic binder, SiO2/TiO2/methylcellulose hybrid thick films were prepared by a single spin-coating processes. After annealing at 70 °C for an hour, 2.5-μm crack-free and dense organic-inorganic hybrid optical films with a refractive index of 1.537 were achieved. Optical losses of plane waveguide made up of those films and ordinary slide glass substrate are around 0.3 dB/cm at 650 nm. Scanning electronmicroscopy (SEM) and UV-visible spectroscopy (UV-VIS), have been used to characterize the thick films. 展开更多
关键词 Annealing Cellulose films CHARACTERIZATION Microscopic examination Optical waveguides Refractive index Scanning electron microscopy silica SOL GELS spin coating Thick films Titanium dioxide
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热处理温度对Co_(0.8)Fe_(2.2)O_4/SiO_2纳米复合薄膜结构和磁性能的影响
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作者 华杰 张研 +2 位作者 王丽 刘梅 李海波 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1550-1554,共5页
采用溶胶-凝胶旋涂法在经表面氧化的Si(100)基片上制备了Co0.8Fe2.2O4/Si O2纳米复合薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和振动样品磁强计对Co0.8Fe2.2O4/Si O2纳米复合薄膜的结构、形貌和磁性能进行分析,研究了热处理温度对复合薄... 采用溶胶-凝胶旋涂法在经表面氧化的Si(100)基片上制备了Co0.8Fe2.2O4/Si O2纳米复合薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和振动样品磁强计对Co0.8Fe2.2O4/Si O2纳米复合薄膜的结构、形貌和磁性能进行分析,研究了热处理温度对复合薄膜结构和磁性能的影响。结果表明:热处理温度高于750℃时复合薄膜中Co0.8Fe2.2O4呈现尖晶石结构;当热处理温度从750℃升高到1 100℃,复合薄膜中Co0.8Fe2.2O4的晶粒尺寸从6 nm增大到34 nm,晶胞常数从0.836 9 nm增大到0.839 5 nm。样品的矫顽力随热处理温度的升高先增大后减小,经1 000℃热处理样品的矫顽力达到298.3 k A/m。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶旋涂法 钴铁氧体/二氧化硅 纳米复合薄膜 结构 磁性能
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7075铝合金微弧氧化膜硅溶胶封孔工艺及其性能 被引量:3
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作者 李军 姜波 +1 位作者 王超 宋仁国 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期224-229,共6页
对微弧氧化后的7075铝合金进行硅溶胶封孔处理,采用扫描电镜、X衍射仪、高温摩擦磨损试验机和电化学工作站对硅溶胶封孔前后微弧氧化膜层的微观表面形貌、截面形貌、相组成、耐磨性和耐腐蚀性进行观察分析,研究了硅溶胶-凝胶不同封孔工... 对微弧氧化后的7075铝合金进行硅溶胶封孔处理,采用扫描电镜、X衍射仪、高温摩擦磨损试验机和电化学工作站对硅溶胶封孔前后微弧氧化膜层的微观表面形貌、截面形貌、相组成、耐磨性和耐腐蚀性进行观察分析,研究了硅溶胶-凝胶不同封孔工艺对封孔效果的影响。结果表明,相对于微弧氧化膜层,封孔后的微弧氧化膜层微孔明显减少,膜层的粗糙度降低,耐磨性得到提高。封孔后的铝合金微弧氧化膜腐蚀电位由-0.62 V(vs SCE)正移到-0.36 V(vs SCE),腐蚀电流密度由2.44×10^(-3)A·cm^(-2)下降到2.03×10^(-4)A·cm^(-2),耐腐蚀能力得到显著提高。通过浸渍提拉法封孔的微弧氧化膜层的耐腐蚀性比旋涂法封孔的更好。 展开更多
关键词 微弧氧化膜 封孔 硅溶胶 浸渍提拉法 旋涂法
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溶液法制备氧化铝介质层的非晶铟锌氧化物薄膜晶体管
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作者 庞抒见 浦海峰 张群 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期758-763,共6页
采用旋涂法制备了氧化铝栅介质层薄膜.通过XRD和AFM分析表征了薄膜的结晶性和表面平整性.分光光度计测试表明薄膜在可见光范围的平均透射率大于85%.采用MIM结构研究其漏电流密度,在电场强度为1MV/cm时仅为3×10-9 A/cm2,表明可以用... 采用旋涂法制备了氧化铝栅介质层薄膜.通过XRD和AFM分析表征了薄膜的结晶性和表面平整性.分光光度计测试表明薄膜在可见光范围的平均透射率大于85%.采用MIM结构研究其漏电流密度,在电场强度为1MV/cm时仅为3×10-9 A/cm2,表明可以用作栅介质层.以旋涂法涂覆的a-IZO薄膜为沟道层、旋涂法涂覆的氧化铝为介质层,制备了底栅结构的氧化物薄膜晶体管.测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强型模式,器件场效应迁移率为1.4cm2/(V·s),电流开关比约为105,阈值电压为2.2V,显示出相对较好的器件性能. 展开更多
关键词 氧化铝 介质层 薄膜晶体管 旋涂法
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