为了多角度对比中美两国碳化硅功率MOS器件领域的研究现状和重点研究方向,厘清了中美两国在该领域的具体差距及原因,基于In⁃nography专利平台对碳化硅功率MOS器件领域的专利文献进行情报分析,使用InCites数据库平台和VOSviewer可视化软...为了多角度对比中美两国碳化硅功率MOS器件领域的研究现状和重点研究方向,厘清了中美两国在该领域的具体差距及原因,基于In⁃nography专利平台对碳化硅功率MOS器件领域的专利文献进行情报分析,使用InCites数据库平台和VOSviewer可视化软件对Web of Science核心合集收录的科研论文进行相关情报分析,多角度对比分析中美两国碳化硅功率MOS器件的研究态势、市场占领情况、技术实力机构、主要基金投入、重点研究方向等情报信息,从产业结构布局、专利布局、资金投入、重点研究方向等方面给出相应的结论和建议,为我国布局和发展第三代功率半导体器件提供思路。展开更多
文摘为了多角度对比中美两国碳化硅功率MOS器件领域的研究现状和重点研究方向,厘清了中美两国在该领域的具体差距及原因,基于In⁃nography专利平台对碳化硅功率MOS器件领域的专利文献进行情报分析,使用InCites数据库平台和VOSviewer可视化软件对Web of Science核心合集收录的科研论文进行相关情报分析,多角度对比分析中美两国碳化硅功率MOS器件的研究态势、市场占领情况、技术实力机构、主要基金投入、重点研究方向等情报信息,从产业结构布局、专利布局、资金投入、重点研究方向等方面给出相应的结论和建议,为我国布局和发展第三代功率半导体器件提供思路。