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Study on Shear Strength Characteristics of Basalt-Concrete Bonding Interface Based on in-situ Direct Shear Test
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作者 Peng Xia Xinli Hu +5 位作者 Chunye Ying Shuangshuang Wu Chu Xu Xuan Wang Hao Chen Hang Duan 《Journal of Earth Science》 SCIE CAS CSCD 2024年第2期553-567,共15页
In rock engineering,the shear strength of the basalt-concrete bonding interface is a key factor affecting the shear performance of hydroelectric dam foundations,embedded rock piles and rock bolts.In this study,30 sets... In rock engineering,the shear strength of the basalt-concrete bonding interface is a key factor affecting the shear performance of hydroelectric dam foundations,embedded rock piles and rock bolts.In this study,30 sets of in-situ direct shear tests were conducted on the basalt-concrete bond interface in the Baihetan dam area to investigate the shear strength characteristics of the basalt-concrete bonding interface.The bonding interface contains two states,i.e.,the bonding interface is not sheared,termed as se(symbolic meaning see Table 1);the bonding interface is sheared with rupture surface,termed as si.The effects of lithology,Joints structure,rock type grade and concrete compressive strength on the shear strength of the concrete-basalt contact surface were investigated.The test results show that the shear strength of the bonding interface(s_(e)&s_(i))of columnar jointed basalt with concrete is greater than that of the bonding interface(s_(e)&s_(i))of non-columnar jointed one with the same rock type grade.When the rock type grade isⅢ_(2),fcol is 1.22 times higher than fncol and ccol is 1.13 times greater than cncol.The shear strength parameters of the basalt-concrete bonding interface differ significantly for different lithologies.The cohesion of the bonding interface(s_(i))of cryptocrystalline basalt with concrete is 2.05 times higher than that of the bonding interface(s_(i))of breccia lava with concrete under the same rock type grade condition.Rock type grade has a large influence on the shear strength of the non-columnar jointed basalt-concrete bonding interface(s_(e)&s_(i)).cnol increases by 33%when the grade of rock type rises fromⅢ_(1)toⅡ_(1).the rock type grade has a greater effect on bonding interface(s_(i))cohesion than the coefficient of friction.When the rock type grade is reduced fromⅢ_(2)toⅢ_(1),f_(ncol)′increases by 2%and c_(ncol)′improves by 44%.The shear strength of the non-columnar jointed basalt-concrete bonding interface(s_(e)&s_(i))increases with the increase of the compressive strength of concrete.When concrete compressive strength rises from 22.2 to 27.6 MPa,the cohesion increases by 94%. 展开更多
关键词 direct shear test basalt-concrete bonding interface shear strength parameters engineering geogolgy
原文传递
Interfacial design of silicon/carbon anodes for rechargeable batteries:A review 被引量:4
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作者 Quanyan Man Yongling An +3 位作者 Chengkai Liu Hengtao Shen Shenglin Xiong Jinkui Feng 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第1期576-600,I0014,共26页
Silicon(Si)has been studied as a promising alloying type anode for lithium-ion batteries due to its high specific capacity,low operating potential and abundant resources.Nevertheless,huge volume expansion during alloy... Silicon(Si)has been studied as a promising alloying type anode for lithium-ion batteries due to its high specific capacity,low operating potential and abundant resources.Nevertheless,huge volume expansion during alloying/dealloying processes and low electronic conductivity of Si anodes restrict their electrochemical performance.Thus,carbon(C)materials with special physical and chemical properties are applied in Si anodes to effectively solve these problems.This review focuses on current status in the exploration of Si/C anodes,including the lithiation mechanism and solid electrolyte interface formation,various carbon sources in Si/C anodes,such as traditional carbon sources(graphite,pitch,biomass),and novel carbon sources(MXene,graphene,MOFs-derived carbon,graphdiyne,etc.),as well as interfacial bonding modes of Si and C in the Si/C anodes.Finally,we summarize and prospect the selection of carbonaceous materials,structural design and interface control of Si/C anodes,and application of Si/C anodes in all-solid-state lithium-ion batteries and sodium-ion batteries et al.This review will help researchers in the design of novel Si/C anodes for rechargeable batteries. 展开更多
关键词 silicon/carbon anodes Lithium-ion batteries Interfacial reaction Carbon sources interface bonding
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Interface states study of intrinsic amorphous silicon for crystalline silicon surface passivation in HIT solar cell
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作者 肖友鹏 魏秀琴 周浪 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第4期489-493,共5页
Intrinsic hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) film is deposited on n-type crystalline silicon(c-Si) wafer by hotwire chemical vapor deposition(HWCVD) to analyze the amorphous/crystalline heterointerface pass... Intrinsic hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) film is deposited on n-type crystalline silicon(c-Si) wafer by hotwire chemical vapor deposition(HWCVD) to analyze the amorphous/crystalline heterointerface passivation properties.The minority carrier lifetime of symmetric heterostructure is measured by using Sinton Consulting WCT-120 lifetime tester system,and a simple method of determining the interface state density(D_(it)) from lifetime measurement is proposed.The interface state density(D_(it)) measurement is also performed by using deep-level transient spectroscopy(DLTS) to prove the validity of the simple method.The microstructures and hydrogen bonding configurations of a-Si:H films with different hydrogen dilutions are investigated by using spectroscopic ellipsometry(SE) and Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) respectively.Lower values of interface state density(D_(it)) are obtained by using a-Si:H film with more uniform,compact microstructures and fewer bulk defects on crystalline silicon deposited by HWCVD. 展开更多
关键词 amorphous silicon MICROSTRUCTURE hydrogen bonding configurations interface state density
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Thermal Conductivity of Carbon/Carbon Composites with the Fiber/Matrix Interface Modified by Silicon Carbide Nanofibers
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作者 Jie Chen Xiang Xiong Peng Xiao 《Advances in Chemical Engineering and Science》 2016年第4期515-524,共10页
Silicon carbide nanofibers grew on the surface of carbon fibers of a unidirectional carbon preform by CCVD and then chemical vapor infiltration was used to densify the preform to get the SiCNF-C/C composite. The effec... Silicon carbide nanofibers grew on the surface of carbon fibers of a unidirectional carbon preform by CCVD and then chemical vapor infiltration was used to densify the preform to get the SiCNF-C/C composite. The effects of silicon carbide nanofibers on the microstructure of the pyrolytic carbon and the thermal conductivity of the SiCNF-C/C composite were investigated. Results show that silicon carbide nanofibers on the surface of carbon fibers induce the deposition of high texture pyrolytic carbon around them. The interface bonding between carbon fibers and pyrolytic carbon is well adjusted. So the efficiency of heat transfer in the interface of the composite is well enhanced. The thermal conductivity of the SiCNF-C/C composite is greater than that of the C/C composite, especially the thermal conductivity perpendicular to the fiber axis. 展开更多
关键词 silicon Carbide Nanofiber Chemical Vapor Infiltration interface bonding Thermal Property
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车用碳化硅功率模块的电热性能优化与评估 被引量:1
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作者 马荣耀 唐开锋 +3 位作者 潘效飞 邵志峰 孙鹏 曾正 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期78-86,共9页
由于在开关速度、温度特性和耐压能力等方面的优势,SiC(silicon carbide)功率模块开始逐步应用于电动汽车的电机控制器。电机控制器是电动汽车的核心部件,对功率模块的电热特性要求较高,因此对SiC封装提出了很大的挑战。以主流的HybridP... 由于在开关速度、温度特性和耐压能力等方面的优势,SiC(silicon carbide)功率模块开始逐步应用于电动汽车的电机控制器。电机控制器是电动汽车的核心部件,对功率模块的电热特性要求较高,因此对SiC封装提出了很大的挑战。以主流的HybridPACK Drive模块封装为例,优化设计了模块的驱动回路和DBC(direct bonded copper)布局,并引入了铜线键合技术,协同优化了模块的电热性能和可靠性。此外,采用响应面法优化了椭圆形Pin-Fin散热基板,提升了模块的散热性能。最后,分别制造了优化前、后的SiC功率模块样机作为对比,搭建了双脉冲和功率对拖实验平台,评估了2种方案的电热性能。实验结果显示,当芯片交错距离为芯片宽度的1/2时,所优化的功率模块可以在兼顾电性能的同时,实现更优异的热性能。 展开更多
关键词 SIC MOSFET 铜线互联 响应面法 DBC布局
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硅基钽酸锂异质晶圆键合工艺研究
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作者 陈哲明 丁雨憧 +3 位作者 邹少红 龙勇 石自彬 马晋毅 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期634-640,共7页
5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Sma... 5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Smart-Cut^(TM)是制备硅基压电单晶薄膜材料的主要方法,键合工艺是其中的核心工序,键合质量决定了硅基压电单晶薄膜晶圆材料的质量,并影响器件性能。本文通过低温直接键合工艺,对等离子活化、兆声清洗、预键合、键合加固四道工序展开优化,最终实现了键合强度高达1.84 J/m^(2)、键合面积超过99.9%的高质量硅基钽酸锂异质晶圆键合。 展开更多
关键词 硅基钽酸锂 低温直接键合 等离子活化 兆声清洗 预键合 键合加固 声表面波滤波器
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纳米Fe_(3)O_(4)增强硅橡胶与铁氧体的界面黏结特性试验研究
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作者 王功起 黄西成 万强 《装备环境工程》 CAS 2024年第4期126-134,共9页
目的探究纳米Fe_(3)O_(4)增强硅橡胶与铁氧体的界面黏结特性。方法分别开展准静态拉伸试验、界面法向和切向黏结强度试验。采用超弹性理论,分析纳米Fe_(3)O_(4)增强硅橡胶材料的拉伸行为,采用双线性和指数内聚力模型,分析纳米Fe_(3)O_(4... 目的探究纳米Fe_(3)O_(4)增强硅橡胶与铁氧体的界面黏结特性。方法分别开展准静态拉伸试验、界面法向和切向黏结强度试验。采用超弹性理论,分析纳米Fe_(3)O_(4)增强硅橡胶材料的拉伸行为,采用双线性和指数内聚力模型,分析纳米Fe_(3)O_(4)增强与铁氧体的界面破坏行为。结果通过拉伸试验获得了不同纳米Fe_(3)O_(4)含量的硅橡胶的工程应力应变曲线及两参数Mooney-Rivlin模型,小变形范围的模型误差在1%以内,大变形范围的最大误差为3.8%。通过界面强度试验,获得了不同纳米Fe_(3)O_(4)含量的硅橡胶和铁氧体界面的法向和切向力-位移曲线、黏结强度和界面断裂能,得到了界面法向和切向黏结强度内聚力模型参数。结论随着纳米Fe_(3)O_(4)含量增加,硅橡胶的拉伸强度增加,界面法向黏结强度和断裂能增大,而切向黏结强度和断裂能变化不显著。双线性内聚力模型更适合作为纳米Fe_(3)O_(4)增强硅橡胶与铁氧体的界面黏结强度表征模型,界面法向和切向黏结强度变化规律与实测值的吻合程度更高。 展开更多
关键词 纳米Fe_(3)O_(4)增强硅橡胶 界面模型 黏结强度 超弹性 内聚力模型
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硅墨烯免拆模一体保温板抹面砂浆粘结强度现场检测实例分析
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作者 何浩 《工程质量》 2024年第8期46-50,55,共6页
近年来,诞生了许多新型保温材料及配套保温系统设计方案,但现行的外墙保温材料大多存在施工成本高、防火性能难以达标等问题。而硅墨烯保温板及硅墨烯保温与结构一体化系统解决方案凭借其在建筑保温节能领域长期可靠性与绿色节能效益的... 近年来,诞生了许多新型保温材料及配套保温系统设计方案,但现行的外墙保温材料大多存在施工成本高、防火性能难以达标等问题。而硅墨烯保温板及硅墨烯保温与结构一体化系统解决方案凭借其在建筑保温节能领域长期可靠性与绿色节能效益的优势,被重点推广和应用。通过调研,硅墨烯免拆模保温系统施工管理主要存在保温板与基层粘结强度不达标、保温系统抹面与保温层拉伸粘结强度不达标的问题。而保温系统的质量问题对建筑运维安全至关重要,为了对硅墨烯免拆模保温系统抹面砂浆粘结强度及破坏模式有一系统的了解,论文对该品种保温系统抹面砂浆粘结强度进行了现场检测,并对检测结果进行了探讨和分析。 展开更多
关键词 硅墨烯免拆模一体保温板 砂浆强度 破坏界面 现场检测
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氮化硅层状陶瓷界面性能对力学性能的影响 被引量:15
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作者 蔡胜有 李金林 +1 位作者 谢志鹏 黄勇 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期110-115,共6页
通过加入Si3N4调节隔离层的性质,研究了Si3N4/BN层状复合材料在不同界面结合情况下的力学性能变化规律。结果表明,随着隔离层中Si3N4含量的提高,基体片层之间的结合力不断增强。在结合力很强时,层状材料具有与块... 通过加入Si3N4调节隔离层的性质,研究了Si3N4/BN层状复合材料在不同界面结合情况下的力学性能变化规律。结果表明,随着隔离层中Si3N4含量的提高,基体片层之间的结合力不断增强。在结合力很强时,层状材料具有与块状材料相同的破坏方式,强度出现极值,达到1000MPa以上;在结合力较弱时,隔离层能够反复偏折裂纹,层状材料表现出高达20MPam1/2的表观断裂韧性和约600MPa的强度。 展开更多
关键词 界面 氮化硅 层状 复合材料 力学性能 陶瓷
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用Cu箔中间层瞬间液相连接SiC_P/Al复合材料的界面现象与连接强度 被引量:9
10
作者 陈铮 金朝阳 +1 位作者 顾晓波 邹家生 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期27-30,共4页
采用Cu箔作中间层 ,在温度为 85 3K的条件下进行了SiCP/Al复合材料的瞬间液相 (TransientLiquid -Phasebonding ,TLP)连接 ,用扫描电镜观察了连接界面微观形貌 ,测定了接头的剪切强度 ,着重研究了连接时间和压力对界面结构和强度的影响... 采用Cu箔作中间层 ,在温度为 85 3K的条件下进行了SiCP/Al复合材料的瞬间液相 (TransientLiquid -Phasebonding ,TLP)连接 ,用扫描电镜观察了连接界面微观形貌 ,测定了接头的剪切强度 ,着重研究了连接时间和压力对界面结构和强度的影响。研究表明 ,不加压连接时 ,由于在界面处形成纯金属带 ,且氧化膜也难以去除 ,接头强度较低 ,约为母材强度的 48% ,接头剪切强度随连接时间延长而增高。连接时施加 0 .2MPa的压力即可显著提高接头强度 ,达到母材强度的 70 % ,且强度随连接时间变化不大。试验还发现 ,用Cu箔中间层无压瞬间液相连接小增强相颗粒、高体积百分含量的SiCp/AlMMCs时 ,接头界面区域没有发现颗粒偏聚 。 展开更多
关键词 瞬间液相连接 碳化硅 界面现象 颗粒偏聚 连接强度 铝基复合材料 铜箔
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Ti/Cu/Ti部分瞬间液相连接Si_3N_4的界面反应和连接强度 被引量:33
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作者 周飞 李志章 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期273-278,共6页
用Ti/Cu/Ti多层中间层在 12 73K进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接 ,实验考察了保温时间对连接强度的影响。用SEM ,EPMA和XRD对连接界面进行微观分析 ,并用扩散路径理论 ,研究了界面反应产物的形成过程。结果表明 :在连接过程中 ,Cu与Ti... 用Ti/Cu/Ti多层中间层在 12 73K进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接 ,实验考察了保温时间对连接强度的影响。用SEM ,EPMA和XRD对连接界面进行微观分析 ,并用扩散路径理论 ,研究了界面反应产物的形成过程。结果表明 :在连接过程中 ,Cu与Ti相互扩散 ,形成Ti活度较高的液相 ,并与氮化硅发生反应 ,在界面形成Si3N4 /TiN/Ti5Si3+Ti5Si4 +TiSi2 /TiSi2 +Cu3Ti2 (Si) /Cu的梯度层。 展开更多
关键词 部分瞬间液相连接 氮化硅 扩散路径 界面反应 连接强度 陶瓷 钎焊
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直接敷铜工艺制备Cu/AlN材料的界面结构及结合性能 被引量:7
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作者 谢建军 王宇 +8 位作者 汪暾 王亚黎 丁毛毛 李德善 翟甜蕾 林德宝 章蕾 吴志豪 施鹰 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期61-64,共4页
通过直接敷铜(DBC)工艺,在AlN陶瓷基板表面于1 000~1 060℃的敷接温度下制备Cu/AlN材料,利用机械剥离机、场发射扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了Cu/AlN的界面结合强度、界面微观形貌和物相组成。结果表明:铜箔和AlN陶瓷基板间的结合... 通过直接敷铜(DBC)工艺,在AlN陶瓷基板表面于1 000~1 060℃的敷接温度下制备Cu/AlN材料,利用机械剥离机、场发射扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了Cu/AlN的界面结合强度、界面微观形貌和物相组成。结果表明:铜箔和AlN陶瓷基板间的结合强度超过了8.00N·mm^(-1),铜箔和AlN陶瓷之间存在厚度约为2μm的过渡层,过渡层中主要含有Al_2O_3、CuAlO_2和Cu_2O化合物;随着敷接温度升高,Cu/AlN的界面结合强度逐渐增大。 展开更多
关键词 表面金属化 直接敷铜工艺 ALN陶瓷 界面结合强度
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硅片的直接键合 被引量:3
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作者 王敬 屠海令 +3 位作者 刘安生 张椿 周旗钢 朱悟新 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期380-384,共5页
介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理。
关键词 硅片 硅片键合 直接键合 材料复合
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硅圆片表面活化工艺参数优化研究 被引量:4
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作者 聂磊 阮传值 +1 位作者 廖广兰 史铁林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期467-470,共4页
利用正交实验,对单晶硅表面活化工艺中重要参数对活化效果的影响进行了研究,并优化了工艺。实验针对RCA活化溶液处理工艺的特点,选择溶液配比、处理时间和温度3个重要因素为研究对象,以30%盐水为测试液,以接触角为指标,评估了这3个因素... 利用正交实验,对单晶硅表面活化工艺中重要参数对活化效果的影响进行了研究,并优化了工艺。实验针对RCA活化溶液处理工艺的特点,选择溶液配比、处理时间和温度3个重要因素为研究对象,以30%盐水为测试液,以接触角为指标,评估了这3个因素对活化效果的影响规律。对实验结果的分析表明,在此三因素中,活化温度与活化效果的关系最密切,活化液配比和活化时间的影响依次减弱。根据实验分析的结果,得到优化的工艺。利用此优化工艺进行了硅圆片键合实验,其结果表明此工艺能够实现无明显界面缺陷的直接键合。 展开更多
关键词 单晶硅 表面活化 直接键合 参数优化
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硅/硅直接键合的界面应力 被引量:6
15
作者 陈新安 黄庆安 +1 位作者 李伟华 刘肃 《微纳电子技术》 CAS 2004年第10期29-33,43,共6页
硅/硅直接键合技术广泛应用于SOI,MEMS和电力电子器件等领域,键合应力对键合的成功和器件的性能产生很大的影响。键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时表面的起伏引起的弹性应力;高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引... 硅/硅直接键合技术广泛应用于SOI,MEMS和电力电子器件等领域,键合应力对键合的成功和器件的性能产生很大的影响。键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时表面的起伏引起的弹性应力;高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引起的热应力和由于界面的本征氧化层或与二氧化硅键合时二氧化硅发生粘滞流动引起的粘滞应力。另外,键合界面的气泡、微粒和带图形的硅片键合都会引入附加的应力。 展开更多
关键词 硅直接键合 应力 弹性变形 高温退火
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硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性 被引量:4
16
作者 何进 王新 陈星弼 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期354-357,共4页
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍。
关键词 半导体工艺 表面处理 硅片直接键合 亲水处理
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Si_3N_4/Ti/Cu/Ni/Cu/Ti/Si_3N_4二次部分瞬间液相连接强度 被引量:6
17
作者 邹家生 许志荣 +1 位作者 初亚杰 赵其章 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期41-44,共4页
采用Ti/Cu/Ni中间层对Si3N4陶瓷进行二次部分瞬间液相(PTLP)连接,研究连接工艺参数对Si3N4/Ti/Cu/Ni连接强度的影响,同时研究了连接强度随试验温度的变化规律。结果表明,在该试验条件下,室温连接强度随着二次连接温度的提高和二次保... 采用Ti/Cu/Ni中间层对Si3N4陶瓷进行二次部分瞬间液相(PTLP)连接,研究连接工艺参数对Si3N4/Ti/Cu/Ni连接强度的影响,同时研究了连接强度随试验温度的变化规律。结果表明,在该试验条件下,室温连接强度随着二次连接温度的提高和二次保温时间的延长而提高,改变连接工艺参数对Si3N4/Ti/Cu/Ni二次PTLP连接界面反应层厚度无明显影响;连接强度在试验温度400℃时达到最大,随后随试验温度升高,连接强度降低,但在800℃前,其高温强度具有很好的稳定性。 展开更多
关键词 氮化硅 二次部分瞬间液相连接 连接强度 高温强度
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SiC_w/涂层/TZP陶瓷复合材料界面化学键的XPS和IR研究 被引量:7
18
作者 张宗涛 黄勇 江作昭 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期92-96,共5页
本文用XPS和IR测定了SiC_w/(Al_2O_3,莫来石)涂层/TZP陶瓷复合材料的界面化学键。结果表明SiC_w/Al_2O_3、莫来石、TZP界面为化学结合而Al_2O_3、莫来石/TZP界面为物理结合。
关键词 碳化硅晶须 氧化锆 陶瓷 涂层
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硅片键合界面的应力研究 被引量:6
19
作者 詹娟 刘光廷 《传感技术学报》 CAS CSCD 1994年第3期26-29,共4页
本文主要研究硅片直接键合界面结构与应力大小.当抛光硅片直接键合时,界面出现极薄的过渡区,并存在微小的晶向差,但不引起多余应力.当热生长了二氧化硅层的硅片相键合时,界面存在二氧化硅层,并引起张应力,其大小与硅二氧化硅系统应力大... 本文主要研究硅片直接键合界面结构与应力大小.当抛光硅片直接键合时,界面出现极薄的过渡区,并存在微小的晶向差,但不引起多余应力.当热生长了二氧化硅层的硅片相键合时,界面存在二氧化硅层,并引起张应力,其大小与硅二氧化硅系统应力大小相当. 展开更多
关键词 硅片键合 界面 应力
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碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备工艺进展 被引量:14
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作者 刘杰 孙卫和 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 2008年第2期59-62,共4页
综述了碳化硅颗粒增强铝基复合材料(SiCp/Al基复合材料)的研究进展,重点阐述了SiCp/Al基复合材料的主要制备工艺,并在此基础上展望了其相关及后续工艺的研究方向。
关键词 SICP/AL基复合材料 碳化硅 制备工艺 界面结合
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