硅中注入BF^＋2辐射损伤的反常行为

借助离子束背散射和沟道技术结合透射电子显微镜分析，研究了在３００Ｋ和７７Ｋ下硅中注入ＢＦ２＋辐射损伤的反常行为．结果发现ＢＦ２＋注入在硅中产生的损伤层或无定形层情况区别于其它较重离子（质量数≥２７Ａｌ＋）注入．在３００Ｋ下注入时，硅中引入的两个损伤峰，其中一个位于离子入射的平均投影射程附近，另一个则在近表面；在７７Ｋ下注入时，硅中引入的损伤层或无定形层首先出现在近表面，随注入剂量的增加，无定形层向硅体内延伸。

硅片和硅器件工艺中的背面损伤吸除技术

本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术：机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展，作了详细的评述。