Mn^(2+)作为控制剂对银纳米线的合成的影响

采用一步多元醇还原法以MnCl2和KBr复合金属盐为控制剂制备银纳米线。研究了Mn2+对银纳米线的尺寸和形貌的影响,并通过建立吸附模型对Mn2+在银纳米线生长过程中的影响方式进行了探讨。使用MnCl2和KBr作为控制剂时,在Mn2+浓度为(0.3~0.5)mmol/L得到的银线长径比和均匀性都相对较好,但是Mn2+浓度为0.5 mmol/L时会出现团聚现象。通过模拟Mn2+在银纳米线不同的晶面上的吸附作用,可得到Mn2+在银纳米线的生长合成过程中主要有两种作用:一是Mn2+能够使得更多的Ag+被还原为Ag,促进晶核的形成;二是Mn2+能够抑制(100)晶面的生长,而在(111)晶面上银原子大量堆积,使所得银线的长径比明显升高。

双向生长直径突变银纳米线表面的SERS偏振光谱研究

银纳米线作为典型的一维贵金属纳米材料,具有优异的局域表面等离子体共振(LSPR)特性和表面等离子体传导(SPP)特性,使它作为纳米光电器件最重要和最基本的构件在传感器[1]、信息存储、微纳光电子器件[2]等方面有着广阔的应用前景。然而,目前纳米线体系的组装,特别是对不同直径银纳米线体系的组装主要是通过物理机械耦合,而不是直接生长结合。这样会在纳米线耦合处引起不可避免的能量损耗,并导致纳米器件的低效性和不稳定性,直接影响了其性能和实际应用。因此通过另辟蹊径直接将直径不同的银纳米线生长在一起,可以大幅度提高它的传输效率、降低损耗,这对其的实际应用有着重要的意义。