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AZ91D镁合金超疏水膜层的制备及其表征 被引量:3
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作者 张光明 郭洪暄 +3 位作者 魏征 张庆洋 赵鑫 王成毓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第B06期115-118,共4页
采用简单易行的化学刻蚀方法,通过硝酸刻蚀、化学镀银和硬脂酸自组装改性处理,在AZ91D镁合金表面上成功制备出了超疏水膜层,进一步解释了该制备工艺的化学反应机理。利用扫描电子显微镜和视频光学接触角测量仪对AZ91D镁合金表面超疏水... 采用简单易行的化学刻蚀方法,通过硝酸刻蚀、化学镀银和硬脂酸自组装改性处理,在AZ91D镁合金表面上成功制备出了超疏水膜层,进一步解释了该制备工艺的化学反应机理。利用扫描电子显微镜和视频光学接触角测量仪对AZ91D镁合金表面超疏水膜层的微观形貌和润湿性能进行了表征,利用能谱仪和光谱仪测定了膜层的表面化学组成。结果显示,釆用上述方法处理后的AZ91D镁合金表面呈现出良好的疏水性,水滴在试样表面的表观接触角为153°,滚动角为4°。 展开更多
关键词 AZ91D 镁合金 超疏水 硝酸刻蚀 化学镀银
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铝合金镀银表面粗糙化处理方法及其SEY抑制机理 被引量:4
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作者 贺永宁 王丹 +1 位作者 叶鸣 崔万照 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1-8,共8页
目的为了有效降低空间大功率微波器件铝合金镀银表面的电子发射系数,提高空间大功率微波器件的微放电阈值。方法研究了铝基体上电化学镀银平板试样表面的两种粗糙化处理方法——微图形光刻法和直接湿化学腐蚀法,利用扫描电子显微镜和激... 目的为了有效降低空间大功率微波器件铝合金镀银表面的电子发射系数,提高空间大功率微波器件的微放电阈值。方法研究了铝基体上电化学镀银平板试样表面的两种粗糙化处理方法——微图形光刻法和直接湿化学腐蚀法,利用扫描电子显微镜和激光扫描显微镜对两类表面处理得到的多孔平板样品的粗糙形貌进行了表征,利用电流法对其表面二次电子发射(SEY)特性进行了测试分析。结果所获得的规则阵列圆孔表面和大深宽比及随机分布的粗糙表面均能够显著降低镀银表面SEY,并且工艺重复性好。与平滑银表面相比,抑制效果最好的圆孔阵列样品表面能将SEY的最大值从2.2降到1.3,E1值从50 e V增加到100e V;随机刻蚀结构能将平滑银表面SEY的最大值从2.2降至1.1,E1提升至300 e V。基于孔隙内二次电子轨迹追踪的蒙特卡洛理论模拟方法,对两种典型样品的表面二次电子陷阱效应进行了理论分析,表面SEY特性模拟规律与测试数据一致。结论光刻和湿化学刻蚀工艺制备的银表面微形貌均能有效降低镀银表面的SEY,镀银表面粗糙化处理方法能够提高卫星大功率微波部件的微放电可靠性,并不会显著增加其插损。 展开更多
关键词 铝合金镀银表面 微波部件 微放电效应 二次电子产额 表面粗糙化 化学腐蚀
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化学刻蚀两步法制备硅纳米线(英文) 被引量:2
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作者 李常青 周婷婷 +1 位作者 梅欣丽 任晨星 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期495-497,502,共4页
采用化学刻蚀两步法制备硅纳米线。在制作过程的不同阶段,通过金相显微镜,扫描电子显微镜及透射电子显微镜分别对其表面形态进行观察。结果表明,通过两步法制作的硅纳米线比传统刻蚀方法制作的样品具有更细的直径。光致发光的测量结果表... 采用化学刻蚀两步法制备硅纳米线。在制作过程的不同阶段,通过金相显微镜,扫描电子显微镜及透射电子显微镜分别对其表面形态进行观察。结果表明,通过两步法制作的硅纳米线比传统刻蚀方法制作的样品具有更细的直径。光致发光的测量结果表明,两步法制备的硅纳米线在可见光领域有较强的红光发射。 展开更多
关键词 硅纳米线 银辅助化学刻蚀 扫描电子显微镜 光致发光
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银辅助刻蚀单晶硅 被引量:1
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作者 李川 王明召 《化学教育》 CAS 北大核心 2014年第8期6-8,共3页
结合高中化学原电池、氧化还原反应以及银镜反应等知识,介绍两种沉积银粒子辅助刻蚀单晶硅技术的基本原理,供一线高中化学教师用于扩展高中生的化学知识,帮助学生了解化学前沿.
关键词 高中化学 单晶硅 银辅助刻蚀 物理沉积 化学沉积
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不同体系925银化学蚀刻工艺的研究
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作者 薄海瑞 林传 +3 位作者 吴海超 李盈波 刘首坤 陈丹霞 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期203-206,共4页
以蚀刻速率为主要指标,对比研究了硝酸体系、过硫酸钠-硫酸体系、过氧化氢-硫酸体系和自配复杂体系蚀刻液对925银的蚀刻能力,得到了几种满足不同应用的蚀刻液配方。适用于深蚀或镂空蚀的蚀刻液有质量分数为40%~50%的室温硝酸溶液,以及... 以蚀刻速率为主要指标,对比研究了硝酸体系、过硫酸钠-硫酸体系、过氧化氢-硫酸体系和自配复杂体系蚀刻液对925银的蚀刻能力,得到了几种满足不同应用的蚀刻液配方。适用于深蚀或镂空蚀的蚀刻液有质量分数为40%~50%的室温硝酸溶液,以及自配复杂体系(温度30℃)—硝酸25%(均为质量分数),硫酸20%,过氧化氢15%,硝酸铵4%,草酸1%,水余量。适用于浅蚀的蚀刻液有:过硫酸钠-硫酸体系(温度50℃)——过硫酸钠150 g/L,硫酸体积分数2%;过氧化氢-硫酸体系(温度30℃)——过氧化氢质量分数30%,硫酸质量分数20%,水余量;自配复杂体系(温度30℃)——硝酸15%(均为质量分数),硫酸15%,过氧化氢20%,硝酸铵4%,草酸1%,水余量。 展开更多
关键词 化学蚀刻 硝酸 过硫酸钠 过氧化氢
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金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线的研究进展 被引量:2
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作者 王盼 童领 +6 位作者 周志文 杨杰 王茺 陈安然 王荣飞 孙韬 杨宇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1466-1474,共9页
硅纳米线(Si NWs)由于具有独特的一维结构、热电导率、光电性质、电化学性能等特点,被广泛应用于热电与传感器件、光电子元器件、太阳能电池、锂离子电池等领域。金属辅助化学刻蚀法(MACE)是制备Si NWs的常用方法之一,具有操作简便、设... 硅纳米线(Si NWs)由于具有独特的一维结构、热电导率、光电性质、电化学性能等特点,被广泛应用于热电与传感器件、光电子元器件、太阳能电池、锂离子电池等领域。金属辅助化学刻蚀法(MACE)是制备Si NWs的常用方法之一,具有操作简便、设备简单、成本低廉和高效等优点,可大规模商业化应用,因而近年来被广泛研究。金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线的过程可以分为两步:首先在洁净的硅衬底表面沉积一层金属(Ag、Au、Pt等)纳米颗粒,以催化、氧化它附近的硅原子;然后利用HF溶解氧化层,从而对硅晶片进行刻蚀,形成纳米线阵列。然而,这种简单高效的制备硅纳米线的方法存在一些难以控制的缺点:(1)金属纳米颗粒聚集、相连后造成Si NWs之间的缝隙比较大,从而导致Si NWs密度较低;(2)由于金属纳米颗粒沉积的随机性,在硅晶片表面分布不均匀,不仅导致刻蚀出的纳米线直径范围(50~200 nm)较宽,而且使制得的纳米线阵列排列无序且间距不易调控;(3)当刻蚀出的硅纳米线太长时,范德华力等作用会造成纳米线顶端出现严重的团簇现象。针对常规法存在的一些问题以及不同的器件对硅纳米线的形貌、类型和直径等的要求,近年来的研究主要集中在如何减少纳米线顶端团簇、调控纳米表面粗糙度和直径、低成本制备有序硅纳米线等方面。目前一些改进常规金属辅助化学刻蚀的方法取得了进展,比如:(1)用酸溶液或UV/Ozone对硅晶片预处理,在表面形成氧化层,可以使纳米线的均匀性得到改善并增大其密度(从18%提高到38%);(2)使用物理气相沉积法在硅晶片表面沉积一层金属纳米薄膜,然后再刻蚀,这种方法能够减少纳米线顶端团簇和有效调控纳米线直径;(3)利用模板法(聚苯乙烯小球模板、氧化铝模板、二氧化硅模板和光刻胶模板等)可以制备出有序的硅纳米线阵列。本课题组用离子束刻蚀的方法制备了直径范围可以控制在30~90 nm的聚苯乙烯小球模板,为小尺寸有序硅纳米线的制备打下了坚实的基础。本文简要介绍了常规MACE的原理和制备流程,总结了硅晶片的类型、刻蚀溶液的浓度、温度和刻蚀时间等因素对Si NWs形貌、尺度、表面粗糙度、刻蚀方向以及刻蚀速率的影响,用相关的机制解释了H2O2过量时刻蚀路径偏离垂直方向的机理以及刻蚀速率随溶液浓度变化的原因,重点综述了氧化层预处理、物理法沉积贵金属纳米薄膜、退火处理和模板法等改进方法在减少纳米线顶部团簇、改善均匀性、制备有序且直径和间距可控纳米线中的研究进展。 展开更多
关键词 金属辅助化学刻蚀(MACE) 银纳米颗粒(Ag NPs)辅助 硅纳米线(Si NWs)
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锂离子电池三维多孔硅/银复合材料负极设计及性能 被引量:1
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作者 朱德伦 彭雨晴 +3 位作者 白瑞成 李爱军 赵添婷 孙宁霞 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期144-153,共10页
以商品单质硅为原料,利用金属辅助化学刻蚀方法结合化学镀方法制备了三维多孔硅/银复合负极材料,采用X射线粉末衍射仪、场发射扫描电镜及比表面与孔隙度分析仪对其组成、结构、比表面积及孔隙率进行研究,随后对其电化学性能进行研究.结... 以商品单质硅为原料,利用金属辅助化学刻蚀方法结合化学镀方法制备了三维多孔硅/银复合负极材料,采用X射线粉末衍射仪、场发射扫描电镜及比表面与孔隙度分析仪对其组成、结构、比表面积及孔隙率进行研究,随后对其电化学性能进行研究.结果表明,三维多孔硅呈现狭缝型的介孔,平均孔径宽度为12.5 nm,比表面积达到6.083 m^(2)/g.三维多孔硅/银复合材料在420 mA/g条件下恒流充放电,首循环放电比容量2822 mA.h/g,首循环库仑效率87.8%,经过50个循环后容量仍保持有832 mA·h/g.研究表明:三维多孔结构和银包覆层可以缓解嵌锂/脱锂时硅巨大的体积效应;银包覆层可以改善硅基负极材料的电化学性能. 展开更多
关键词 金属辅助化学刻蚀 化学镀 三维多孔硅/银复合材料 锂离子电池
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银辅助化学刻蚀半导体材料 被引量:4
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作者 耿学文 贺春林 +3 位作者 徐仕翀 李俊刚 朱丽娟 赵连城 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1955-1965,共11页
微电子器件的发展趋势是小型化和多功能化,这就对半导体材料的加工技术提出了更高的要求。与传统的加工技术相比,近年发展起来的贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体材料制备微结构技术因操作简单、不需要精密设备、反应迅速和可批量生产等优... 微电子器件的发展趋势是小型化和多功能化,这就对半导体材料的加工技术提出了更高的要求。与传统的加工技术相比,近年发展起来的贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体材料制备微结构技术因操作简单、不需要精密设备、反应迅速和可批量生产等优点引起了国内外学者的广泛关注。本文以Si为主,详细介绍了Ag辅助化学刻蚀半导体材料的机理、反应现象及影响因素,总结了各种微结构的制备技术及其应用。此外,对Ge,Si1-xGex和GaAs等其他半导体材料的贵金属粒子辅助化学刻蚀技术也进行了综述。同时分析了贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体目前存在的问题,并对未来的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 化学刻蚀 半导体
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Enhanced efficiency of graphene-silicon Schottky junction solar cell through inverted pyramid arrays texturation 被引量:2
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作者 Jiajia Qiu Yudong Shang +6 位作者 Xiuhua Chen Shaoyuan Li Wenhui Ma Xiaohan Wan Jia Yang Yun Lei Zhengjie Chen 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第11期2197-2204,共8页
Nanostructures of silicon are gradually becoming hot candidate due to outstanding capability for trapping light and improving conversion efficiency of solar cell. In this paper, silicon nanowires(SiNWs) and silicon ... Nanostructures of silicon are gradually becoming hot candidate due to outstanding capability for trapping light and improving conversion efficiency of solar cell. In this paper, silicon nanowires(SiNWs) and silicon inverted pyramid arrays(SiIPs) were introduced on surface of Gr-Si solar cell through silver and copper-catalyzed chemical etching, respectively. The effects of SiNWs and SiIPs on carrier lifetime, optical properties and efficiency of Gr-SiNWs and Gr-SiIPs solar cells were systematically analyzed. The results show that the inverted pyramid arrays have more excellent ability for balancing antireflectance loss and surface area enlargement. The power conversion efficiency(PCE) and carrier lifetime of Gr-SiIPs devices respectively increase by 62% and 34% by comparing with that of Gr-SiNWs solar cells. Finally, the Gr-SiIPs cell with PCE of 5.63% was successfully achieved through nitric acid doping. This work proposes a new strategy to introduce the inverted pyramid arrays for improving the performance of Gr-Si solar cells. 展开更多
关键词 Graphene-Si solar cell silver/copper-assisted chemical etching Silicon nanowires Silicon inverted pyramid arrays
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Research on the surface passivation of nanostructure-textured crystalline silicon solar cell
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作者 DOU BingFei JIA Rui +4 位作者 LI HaoFeng CHEN Chen MENG YanLong LIU XinYu YE TianChun 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2013年第1期120-124,共5页
Nanostructure-textured solar cell owns unique properties but has some shortages especially in its fabrication and passivation.In this paper,nanostructures for crystalline silicon solar cell have been synthesized by co... Nanostructure-textured solar cell owns unique properties but has some shortages especially in its fabrication and passivation.In this paper,nanostructures for crystalline silicon solar cell have been synthesized by controllable method based on silver catalyzed chemical etching.In this way,only the front surface of cell is etched and rear surface is protected.It was found that cells textured via the new method obtained equally excellent optical while superior electrical properties compared with those textured via traditional HF/AgNO3 etching.The V OC and I SC of the cell were improved by 6% and 11%,respectively.Then the cells were passivated via a bi-layer passivation(SiO2 & SiN x),in contrast to traditional SiN x passivation.It was also found that cells with new passivation exhibited improved V OC and I SC by 4% and 25%,respectively.The encouraging results can provide fundamental data for developing the nanostructure-textured crystalline silicon solar cell in following researches. 展开更多
关键词 solar cell silicon nanostructure silver catalyzed chemical etching PASSIVATION
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