双鱼X井短回接插挂一体化固井技术实践

为了验证短回接插挂一体化固井技术在复杂深井回接固井作业中的应用可行性,以在川渝地区具有代表性的双鱼X井为研究对象,分析了适应该井短回接一体化固井工具优化及确保固井施工安全与质量的工艺技术。研究结果表明:(1)该井作为部署在四川盆地西北部双鱼石构造上的一口超深井,五开的Φ168.3 mm尾管悬挂位置在井深5 688.01 m,为确保回接固井质量,须进行两次回接固井作业,先进行一次短回接,为确保第一次短回接管柱外水泥环的封固完整性,决定采用插挂一体化固井工艺,即回接管柱的下部不再使用常规的旋流短节,而是在回接套管注水泥结束后直接将回接管柱插入喇叭筒并坐挂,这样固井后没有旋流短节的过流孔,套管柱本身和外面的水泥环封固完整性得以保证;(2)工艺上通过对喇叭筒的有效磨铣,优化回接筒及短回接丢手装置的结构,既确保了下部回接筒能有效插入密封,又避免了上部短回接丢手装置中途坐挂及丢手困难造成“插旗杆”等风险;(3)利用CemMater固井软件,设计浆柱结构及施工参数,保证了回接固井质量。结论认为:短回接插挂一体化工具及施工工艺,在川渝地区已成为无法一次性长回接固井到井口的井的一项可行技术,既能确保固井质量,同时也有助于解决尾管固井后喇叭口窜气。

基于Sin(x)/x内插改善数字存储示波器的带宽性能

带宽是数字存储示波器的一个重要性能,要提高存储示波器的带宽就必须提高采样频率。如何在采样速率一定的前提下,最大限度地改善示波器的带宽性能是高性能存储示波器设计中必须解决的一个难题。采用数字信号处理技术可以有效改善数字存储示波器的带宽性能。本文介绍了一种基于Sin(x)/x内插改善带宽性能的方法,给出了这种方法的实现原理和具体实现过程,并实例比较了这种方法和线性内插方法的示波效果。

X射线脉冲星/SINS组合导航研究

X射线脉冲星导航是一种新兴的天文导航方法,该导航方法可靠、稳定,不受近地空间的限制,但在轨道机动过程中导航精度不高.针对此问题提出了X射线脉冲星/SINS组合导航方法,对该方法的应用效果进行了数值仿真分析.结果表明,X射线脉冲星/SINS组合导航在轨道机动过程中具有较高的导航精度,有效抑制了惯性导航误差随时间的漂移,提高了X射线脉冲星导航方法的通用性,为X射线脉冲星导航的工程应用奠定了理论基础.

a-SiN_x∶H薄膜的室温光致发光

研究了a SiNx∶H薄膜中不同氮含量样品的室温光致发光。当x≥ 0 .5时 ,在室温下观察到了较强的室温荧光 ,而且随氮含量增加 ,发光峰能量与强度不断增加。首次发现在富硅 (x≤ 1.3)样品中存在两种荧光机制 ,其临界值位于x =0 .8。当x≤ 0 .8时 ,样品表现为与a Si∶H类似的荧光特性及温度特性 ;当x >0 .8时 ,荧光强度和峰位均有大的增加 ,归一化后的低温和室温的荧光谱几乎完全重合。最后 ,采用量子限制模型并结合渗流理论解释了实验现象。

微波ECR-CVD低温SiN_x薄膜的氢含量分析

利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振( ECR)等离子体化学气相沉积 ( CVD)法在低温条件下制备的 Si Nx 膜的键结构和氢含量 ,分析了微波功率和后处理条件对膜含氢量的影响及其成因 ,提出适当提高微波功率是降低微波 ECR- CVD低温 Si Nx 膜中氢含量的可能途径。

基于X射线sin^2φ法的择优取向金刚石膜残余应力分析

X射线sin2φ法是薄膜残余应力分析中比较理想的测量手段,但择优取向的存在导致薄膜各向异性,从而会影响测试曲线2～sin2φ的线性关系,表现为曲线的震荡现象。本文利用化学气相沉积(CVD)技术制备(110)择优取向金刚石膜样品,采用X射线sin2φ法对样品残余应力进行测试,通过合理选择衍射晶面和φ角避免择优取向对测量结果的影响,使测试曲线保持良好的线性。然后基于双金属和薄片弯曲理论模型对膜内热应力进行计算,进而得出样品内本征应力状态和大小。结果表明:金刚石薄膜内热应力总为压应力,择优取向使得晶粒排布的有序程度大大提高,本征应力主要来源于杂质的压应力,二者综合作用使得总残余应力表现为受压;随薄膜厚度增加,总应力绝对值变大,其中热压应力绝对值变小甚微,本征压应力绝对值增加显著。

X型矩形管斜插板节点轴压性能试验研究

对X型矩形管斜插板节点在插板轴压力作用下的极限承载性能进行单调加载的试验研究。实施10个不同插板的厚度和插板平面与矩形管轴线之间夹角的节点轴压性能试验。介绍节点试验方案,描述X型矩形管斜插板节点在插板轴压力作用下的破坏模式,给出荷载-端位移曲线以及节点区域应变强度分布曲线,并将插板相对厚度(插板与矩形管厚度比值)τ、插板平面与管轴线之间夹角θ对节点轴向极限承载力和延性的影响进行讨论。试验研究结果表明:随着夹角θ的增大,节点轴压极限承载力呈增大趋势;θ为0°时,τ值对节点轴压极限承载力的影响很小;其余夹角θ节点试件极限承载力随着插板厚度的增大而增大;节点应变强度最大均发生在插板与矩形管连接的焊缝端部区域。最大应变强度在此区域的分布不同,则节点的破坏模式不同;IIW规范计算公式中未考虑τ值的影响,而试验中τ值对节点极限承载力有很大的影响,所以规范还有待完善,需要进行深入的有限元参数分析。

用原位X射线衍射法对电化学插层过程的研究

采用原位 X射线衍射技术研究了石墨在 65% HNO3中的电化学插 (脱 )层过程 ,提出了一套处理 XRD图谱的数据处理方法。

射频功率和沉积压强对富硅-SiN_x薄膜微结构的影响

基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以硅烷和高纯氮气作为反应气体源,分别设置射频功率为50,80,110,140,170 W和沉积压强为200,250,300,350,400 Pa两组参数沉积富硅-SiNx薄膜.结果表明,薄膜的致密性和沉积速率与射频功率和沉积压强都有关系,射频功率的增加导致光学带隙值变大,而光学带隙值与沉积压强成非线性关系,其二者的光学带隙值均在硅与Si_3N_4薄膜的光学带隙值之间.射频功率的增加,导致反应室中N—N键断裂更加完全,与硅原子结合形成大量的Si—N键,而薄膜中的Si原子含量降低,导致薄膜中含氮量增加,且样品薄膜中Si_3N_4晶粒尺寸增加,表明该条件下沉积得到的是富硅-SiN_x薄膜.

煤系高岭土插层-水热法制备亚微米级13X分子筛

以煤系高岭土为原料,制备了高岭土/二甲基亚砜插层复合物,并对产物进行表征,结果表明,在60℃超声水浴插层处理3 h,700℃热处理的插层剥离效果较好,制得的偏高岭土的粒径为100~900 nm。以制得的偏高岭土为原料,采用水热法成功制备了亚微米级13X沸石分子筛。利用XRD、SEM和静态饱和吸水量测定等手段对不同预晶化过程、晶化时间下制备的产物进行分析,并对亚微米级13X分子筛的生长过程进行了研究。预晶化时间4 h,晶化时间24 h条件下,制备的13X沸石分子筛晶体呈八面体晶型,形状规则,大小均一,粒径为100 nm,其相对结晶度为90.72%,静态饱和吸水率达33.17%。比表面积为909 m^2/g,总微孔容为0.15 cm^3/g,孔径大小为33×10^(-9)μm。

CBCT法与X线片插针法测量根管弯曲度的比较

本实验分别用CBCT（牙科三维CT，以下简称CBCT）法与X线片插针法测量同批离体牙根管弯曲度，比较测量所得数值，进而讨论CBCT法直接应用于根管弯曲度测量的可行性。

TFT-AMLCD绝缘层a-SiN_x∶H的制备

用等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约 1μm的非晶氮化硅 (a SiNx∶H)薄膜 ,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数 ,折射率为 1.8左右 ,光吸收系数为1.2× 10 2 ～ 2× 10 2 cm- 1,相对介电常数为 7～ 8.4 ,电荷面密度为 2 .5× 10 12 ～ 3.1× 10 12 cm- 2 。这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管 -有源矩阵液晶显示器 (TFT AMLCD)

HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变

为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽。

sin(x)弹球的半经典量子化

利用半经典周期轨道理论研究了 sin(x)弹球的 Guass谱密度 ,并和量子力学边界元法的数值结果进行了比较 。

Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究

研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高栅电容，使得阈值电压降低、开态电流上升，获得了１０７的开关电流比．

X型插板焊接方管节点轴压承载力的有限元分析

以X型插板焊接方管受压节点的试验数据为基础,运用ABAQUS软件对节点进行了模拟分析,校验了节点轴压极限承力、应变分布和破坏模式等方面的非线性有限元建模方法.研究结果表明:在承受轴压作用时,节点焊缝附近的插板局部屈曲,平面外失稳而倾斜;插板板厚相对于方管的较小,工程中应采取增加插板厚度或在插板两边设置加劲肋等加强措施;节点的塑性变形能力较差,使得破坏呈脆性.

借助Maple讨论y=x~αsin1/x(α∈R)的连续性

借助Maple软件,对yn=xnsin 1/x(n=0,1,2,3)进行了分类比较、讨论,给出它们在x=0处及附近的部分分析性质的证明;作出十分直观的示意图,消除以前只能凭空想象的缺陷;并对y=xαsin 1/x(α∈R)和y=xαcos 1/x(α∈R)作了推广、引申;结合实际问题进行了应用讨论.