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探测器级高阻硅及其与器件的关系
被引量:
1
1
作者
郭云英
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第6期321-327,共7页
本文就探测器级硅单晶的制备工艺和参数等进行了有益的探讨,发现高真空深度提纯之区熔硅单晶中的细微缺陷,乃是影响探测器制作和性能的关键参数。
关键词
探测器级
硅单晶
细微缺陷
探测器
制作
匹配
下载PDF
职称材料
题名
探测器级高阻硅及其与器件的关系
被引量:
1
1
作者
郭云英
机构
北京有色金属研究总院
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第6期321-327,共7页
文摘
本文就探测器级硅单晶的制备工艺和参数等进行了有益的探讨,发现高真空深度提纯之区熔硅单晶中的细微缺陷,乃是影响探测器制作和性能的关键参数。
关键词
探测器级
硅单晶
细微缺陷
探测器
制作
匹配
Keywords
single
crystal
silicon
used
in
detectors
tiny
microdefects
)
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
探测器级高阻硅及其与器件的关系
郭云英
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994
1
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