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单电子晶体管I-V特性数学建模
1
作者
孙铁署
蔡理
陈学军
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003年第9期76-78,共3页
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。
关键词
单电子晶体管
I-V特性
数学建模
隧穿电流
单电子电路
计算机模拟
下载PDF
职称材料
题名
单电子晶体管I-V特性数学建模
1
作者
孙铁署
蔡理
陈学军
机构
空军工程大学工程学院
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003年第9期76-78,共3页
基金
陕西省自然科学基金资助项目(2002F34)
空军工程大学学术基金资助项目(2002X12)
文摘
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。
关键词
单电子晶体管
I-V特性
数学建模
隧穿电流
单电子电路
计算机模拟
Keywords
single-electron transistors
,
mathematical model
,
tunneling current
,
transconductance
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单电子晶体管I-V特性数学建模
孙铁署
蔡理
陈学军
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003
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