3-3 A Study on Irradiation Damage of T91 and SIMP Steels under Self-Ion Irradiation by Slow-positron Annihilation Spectroscopy

Due to its good physical properties such as low coefficient, high thermal conductivity, high resistance of irradiation swelling, and good geometric stability, the F/M steel T91 and SIMP are two kinds of accepted material used in nuclear reactor. So it’s necessary for us to make some research on them.

慢正电子束技术的应用与发展

本文介绍了慢正电子束技术和最新发展，慢正电子束作为探针的基本特性，以及在多种学科中的应用等。

活性元素Y和Ce对Fe-25Cr-40Ni合金高温氧化的影响

用离子背散射和慢正电子束研究了活性元素Y和Ce对Fe-25Cr—40Ni合金在高温初期氧化动力学、氧化膜表层成份和微观缺陷结构的影响,实验结果表明了微量活性元素(≥0.05%)在高温氧化初期显著减少了合金的氧化速率,有效地促进了Cr_2O_3的生长,抑制了Fe和Ni氧化物的形成,改善了氧化膜的微观结构,活性元素结合进入氧化膜并在外层膜中(约几十nm)富集,活性元素Ce抗氧化机理不同于Y,Ce使合金氧化膜的空位缺陷显著降低,主要控制了阳离子沿晶格空位向外扩散,而含Y合金由氧化初期主要控制阳离子沿晶格扩散转变为主要控制阳离子沿晶界向外扩散。

用成像板探测正电子

用成像板对常用正电子源22Na进行了一系列感光实验。结果显示，激发辐射的光子强度值f（p）与成像板所记载的正电子流强f（e+）成正比关系。在北京慢正电子束设备上进行了单能慢正电子的感光实验，结果表明，成像板是慢正电子的一种优良的二维位置灵敏探测器。

北京慢正电子强束流性能研究

采用电子束流以及脉冲慢正电子束流对系统进行了调试,对束流系统的性能参数进行了测定和研究。实验结果表明,系统对于模拟电子的传输效率高于98%,电子束斑直径小于5mm。在目前加速器短脉冲的运行模式下,脉冲慢正电子束流的强度达到了105/s以上,IP成像板束流沉积形貌直径小于15mm,脉冲慢正电子束流微分能谱半高宽(FWHM)约为10eV;;在高于3×10?Pa的超高真空中,慢正电子在直流化管道内7存贮40ms后,束流强度减弱到原来的50%。系统各项性能运行参数达到了设计要求。

一种新的灵敏核探针——慢正电子束流装置

简要介绍了广泛应用于表面科学的灵敏核探针——慢正电子束设备的原理、构造和应用 ,阐述了北京慢正电子束流装置的设计原理和性能 ,讨论了北京慢正电子束流装置今后的研究前景 .

分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究

用慢正电子束流作为探针，测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数，讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系，所得结论为：对于几百纳米厚的分子束外延生长层，５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。温度过低，膜中将会含有大量的空位型缺陷；温度太高，杂质在材料中会有明显的扩散行为，对产品性能产生较大的影响。

脉冲慢正电子束流的检测

本工作设计了一种通过测量脉冲慢正电子湮没辐射在闪烁探测器的积分效应进行测量和标定脉冲正电子束流强度的方法。通过对探测器的刻度,定量测量了北京慢正电子强束流项目中慢正电子束流的流强和能谱发布,为脉冲正电子束流的直流化设计提供了依据。

低能As^+注入Si(100)产生缺陷的研究

介绍了用慢正电子束探针研究Ａａ＋以不同角度注入Ｓｉ（１００）产生的缺陷以及退火后缺陷清除效应的结果。用正电子的Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽湮没技术对样品作无损检测，采用一维的扩散方程进行拟合，对缺陷分布求解，获得缺陷的各种信息。实验结果表明，１５°小角度注入产生的缺陷浓度比６０°注入的要大，而且两者的缺陷类型也不同；

应用慢正电子湮灭分析陶瓷表面的辐照损伤

正电子湮灭技术(PAT)已被广泛用于探测固体内部的缺陷情况。最近又发展起来一种慢正电子湮灭装置,它可有效地分析固体近表面区域的缺陷分布,成为对一些传统表面检测手段如背散射技术、光电子能谱等的重要补充。本文简要地介绍了这一新方法,并利用它对离子注入陶瓷表面的辐照损伤进行了研究。

慢正电子探针研究离子注入硅（100）产生的缺陷及其退火行为

用慢正电子探针分别检测了Ｐ＋注入和Ｐ注入Ｓｉ（１００）的两组样品。与基底样品相比较，注入样品中的缺陷导致了正电子湮没参数的显著变化。由湮没线形参数的变化拟合了两组样品注入损伤的深度分布、缺陷对正电子的捕获系数，讨论了Ｐ＋和Ｐ注入损伤缺陷的差别和它们在退火过程中的不同行为。

ZrO_2薄膜的表层结构

用射频溅射技术制备了ＺｒＯ２ 薄膜，用慢正电子束分析该薄膜，发现它的表层存在一高正电子吸收区，它与钇的表面富集有关，提出了相应的模型。

用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率

用单能慢正电子束流作为探针，测量了Ｐ型Ｓｉ中不同Ｂ杂质浓度的正电子湮没Ｓ参数和正电子能量的函数关系。在实验上系统地研究了正电子扩散长度和迁移率随半导体中杂质浓度的变化规律，观察到杂质的掺入不影响缺陷的开体积，但正电子在硅中的迁移率随杂质浓度的增加而减小。

基于LINAC慢正电子源的EGS4模拟

介绍基于BEPCLINAC和BFELLINAC（北京正负电子对撞机和北京自由电子激光装置电子直线加速器）慢正电子束设备中正电子源部分的Monte－Carlo模拟过程。结果表明，从Ta靶出射的快正电子产额在BEPCLINAC和BFELMNAC运行于兼容模式时分别为184×1010/s和3．9×1011/s。若慢化体慢化效率在10-4量级，基于BEPCLINAC和BFELLINAC慢正电子束的慢正电子产额分别为106－107/s和107－108/s。

质子辐照ZnO白漆光学退化的慢正电子湮没分析(英文)

采用慢正电子湮没光谱研究低能质子辐照下ZnO白漆的光学退化。研究结果表明,随质子辐照注量的增加,多普勒展宽谱的S参数逐渐减小,W参数逐渐增大。质子辐照下S-W参数拟合曲线的斜率发生改变。S参数的减小可以归结为锌空位含量的减少以及准正电子素的形成。准正电子素{单电离氧空位(捕获一个电子)+正电子}的形成,能够降低正电子湮没的速率,导致S参数减小。S参数的减小证实了质子辐照导致ZnO白漆中单电离氧空位数量的增加。S-W参数拟合曲线斜率的变化可以归结于质子辐照下双电离氧空位向单电离氧空位的转变。

氧化法制备ZnO薄膜中缺陷结构的慢正电子束表征

用脉冲激光沉积方法在Al2O3(0001)衬底上制备了Zn薄膜,并在空气中氧化得到了ZnO薄膜.利用Raman光谱测量了氧化法制备的薄膜,并与ZnO单晶材料进行比较,证实了ZnO薄膜的形成.采用慢正电子束技术对ZnO薄膜的微观结构进行了研究,发现在薄膜中存在大量的空位型缺陷.当氧化后的薄膜在高温下退火后,缺陷浓度逐渐降低,在达到900℃时,所制备的ZnO薄膜中缺陷基本得到消除.

慢正电子束研究N^+注入金属镍中生成的缺陷

用慢正电子束配合多普勒湮没能谱测量技术研究N^+离子注入镍样品产生的缺陷。由未注入的样品得到了正电子在镍中的扩散参数E_0=4.6keV。比较两个样品的S参数随入射正电子能量变化的曲线给出了95keV、6.4×10^(17)/cm^2剂量的N^+注入镍样品所产生的缺陷分布;缺陷由表面一直延伸到190nm,浓度最大的区域在27—110nm。这些都与由Trim程序的Monte Carlo模拟计算的结果很好地符合。

飞行时间法测量真空电子偶素产额研究低能离子溅射诱导的缺陷损伤

利用飞行时间谱直接测量了低能正电子与表面相互作用时的真空Ｐｓ产额．该方法比通常的峰法和峰－谷法准确、简单：利用该方法研究了Ａｒ＋溅射在Ｓｉ（１００）面上诱导的缺陷损伤及退火行为。

一台慢正电子束实验装置

本文介绍一台磁聚焦传输的慢正电子束装置.在该装置上用Ni+MgO 慢化体产生了慢正电子,测量了慢正电子能谱,并和其他实验组用Au(Pt,不锈钢)+MgO慢化体所得实验结果进行了比较.

钨发射慢正电子能谱测量

２２Ｎａ发射的正电子照射在经过２２００℃、１５ｍｉｎ退火的多晶钨箔上慢化并收集成慢正电子束，用平面减速栅能量分析器和通道电子倍增器测量能谱。测得在１３３μＰａ的环境中，钨发射的慢正电子的能量峰位在１．７ｅＶ，自然宽度（ＦＷＨＭ）＜１．５ｅＶ。