Sm0.9Ca0．1Al1-xGaxO3-δ钙钛矿氧化物的合成和电学化性能

采用固相反应法制备含少量杂质的四方钙钛矿氧化物陶瓷Sm0.9Ca0．1Al1-xGaxO3-δ（x=0.1-0.5）。通过x射线衍射、扫描电镜和交流复阻抗谱以及氧浓差电池等技术研究样品的物相结构、微观形貌、电化学性能和电输运行为。结果表明：Ca、Ga双掺杂能显著提高样品的电化学性能，其电导率随Ga掺杂量z的增加先增大后减小，在x=0.3时达到最大值；在1550℃保温6h制得的Sm0.9Ca0．1Al1-xGaxO3-δ样品的相对密度为95．5％，900℃时的总电导率为1.83S／m：Sm0.9Ca0．1Al1-xGaxO3-δ的In（σT）与T^-1之间近似呈线性，说明电导率与温度的关系符合Arrhenius定律，总电导活化能为111．09kJ／mol；在空气气氛中，该样品是一个氧离子和电子空穴的混合导体，以氧离子导电为主；在测量温度范围内，氧离子迁移数在0．8左右，且随温度升高略微增大；氧离子电导活化能和空穴电导活化能分别为101．08和92．92kJ／mol。

掺杂Nd^3＋对CLST陶瓷微波介电性能的影响

用固相法制备了x(Ca0.61Nd0.26)TiO3-(1-x)(Li1/2Sm1/2)TiO3(CNLST)(x=0.3~0.6)微波介质陶瓷,研究了掺杂Nd3+对CaTiO3-Li1/2Sm1/2TiO3(CLST)陶瓷介电性能的影响。结果发现,该体系在掺杂Nd3+后均形成钙钛矿结构,其介电常数εr和谐振频率温度系数τf均随x的增大而增加,品质因数与谐振频率的乘积Qf值随x的增大而降低;当x=0.48时,在1 150℃预合成,1 250℃烧结保温3h得到材料的微波介电性能:εr=123,Qf=4 122GHz(f=1.5GHz),τf=0.8μ℃-1。