高矫顽力SmCo(Al,Si)/Cr薄膜的研究

通过对磁控溅射条件的优化 ,制备出了较理想的 Sm Co(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果指出 ,在 Sm含量 (摩尔分数 )为 31 .6% ,Cr缓冲层为 66nm,Sm(Co,Al,Si) 5磁性层为 30 nm的条件下 ,制得的 Sm(Co,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力 Hc 为 1 87.8k A/m,剩磁比 S =Mr/Ms≈ 0 .94。在 50 0℃退火 2 5min后 ,矫顽力 Hc 达到1 0 4 2 .5k A/m,剩磁比 S≈ 0 .92。

SmCo(Al,Si)/Cr硬磁薄膜的结构与性能

在优化后的磁控溅射和退火条件下 ,制备SmCo(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜 .实验结果表明 ,Sm摩尔分数为 31.6 % ,Cr缓冲层为 6 6nm ,Sm(Co ,Al,Si) 5磁性层为 30nm时 ,制得的Sm(Co ,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力Hc 为 187.8kA/m ,剩磁比S =Mr/Ms≈ 0 .94;在 5 0 0℃保温 2 5min退火后 ,矫顽力Hc 达10 42 .5kA/m ,剩磁比S≈ 0 .92 。

SmCo／Cr磁性薄膜的工艺与性能

通过对磁控溅射条件的优化，制备出了较理想的SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介 质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果表明，Sm含量在31.6％ atm,Cr缓冲层为66 nm， Sm(CoAlSi)5磁性层为30 nm等条件下，制得的Sm(CoAlSi)5/Cr薄膜的矫顽力(Hc)为187.8 kA/ m(2.36 kOe)，矩形比( S=Mr/Ms)≈0.94；在500℃保温25 min退火后，矫顽力(Hc)达1042.5 kA/m(13.1 kOe)，矩形比(S)≈O.92。