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SMPS IGBT在各种变换器应用中优于MOSFET
1
作者
毛兴武
王新华
《电源技术应用》
2001年第7期305-308,共4页
SMPSIGBT是IGBT的最新一代,为用于高频高压SMPS专门设计。设计人员目前可以用SMPSIGBT替代MOSFET,提高电源密度和效率,减小整个系统成本。
关键词
变换器
SMPSIGBT
MOSFET
双极性晶体管
场效应器件
下载PDF
职称材料
题名
SMPS IGBT在各种变换器应用中优于MOSFET
1
作者
毛兴武
王新华
机构
山东省临沂市电子工业公司
山东大学电子工程系
出处
《电源技术应用》
2001年第7期305-308,共4页
文摘
SMPSIGBT是IGBT的最新一代,为用于高频高压SMPS专门设计。设计人员目前可以用SMPSIGBT替代MOSFET,提高电源密度和效率,减小整个系统成本。
关键词
变换器
SMPSIGBT
MOSFET
双极性晶体管
场效应器件
Keywords
SMPS IGBT
High
current
density
small tail current
Low turn-off energy loss(E_(off))
分类号
TN624 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
SMPS IGBT在各种变换器应用中优于MOSFET
毛兴武
王新华
《电源技术应用》
2001
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