Power Smart TM系列高压变频器

Power Smart TM系列高压变频器是一款具有优良性价比的交一直一交电压源型变频器。采用先进的电力电子器件IGBT、多电平拓扑电路和PWM调制策略，

新一代智能功率模块(IPM)基本原理及其控制IC原理分析

介绍了新一代智能功率模块 ( IPM)的基本功能、封装结构及电路结构 ,并且阐述了新一代 IPM中控制

SPIC在雷达伺服系统中的应用

在直流力矩电动机驱动的某机载雷达伺服系统中 ,采用了智能型功率集成电路 (SPIC)实现功率驱动 ,能够满足机载环境的苛刻要求 。

Smart功率集成电路

Smart功率技术通过将模拟、逻辑功能和功率输出器件组合在同一芯片上,显示了高度集成化和智能化。本文介绍了Smart功率集成电路的功能、主要技术,并列举实用产品的例子说明其开发和应用状况。

IGBT模块的封装技术分析

功率半导体模块封装是加工过程中一个非常关键的环节。分析传统模块封装技术,新型模块封装技术方案。研究适合国内芯片的封装工艺,通过协同设计提高芯片封装良品率和可靠性。

功率器件IGBT氢缓冲层工艺及特性研究

阐述IGBT氢缓冲层的实验分析,包括退火工艺、退火温度、IGBT器件性能关系,工艺结构与IGBT器件的性能关系,借助SIMS测量方法分析氢缓冲层经过400℃退火条件后氢掺杂分布变化。

BCD集成电路技术的研究与进展

飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术。根据不同的应用,介绍了高压BCD、高功率BCD、VLSI-BCD、RF-BCD和SOI-BCD等五类工艺的特点及各自的发展标准;讨论了BCD技术的总体发展趋势。

输电线路柔性直流融冰技术

为直流融冰技术在电网中的应用提出了一种新型柔性直流融冰技术。通过分析输电线路结冰情况的等效模型并研究融冰时的热交换过程,针对220kV输电线路计算出了线路融冰所需的保线电流和最大电流值。按计算结果的需求设计了基于可关断器件的新型柔性直流融冰电源。论述了该电源的主电路拓扑及其功率单元的等效电路,并对其相关的融冰控制策略进行了分析和研究。最后研制出一台全控直流融冰装置样机,并进行了现场试验。试验结果表明,该融冰装置可对直流输出电压进行柔性调节,融冰时的网侧谐波含量较低,在试验中仅3.16%。

基于分布式光纤传感技术的智能电网输电线路在线监测

提出并研制了基于多参量分布式光纤传感技术的输电线路覆冰舞动监测方案。该技术能够对输电线路覆冰、舞动以及雷击等异常现象进行预警,从而实现对输电线路运行状态的在线安全健康监测。

电荷泵高端浮动自举式H桥功率驱动电路

提出了一种可以实现极低频甚至是 0 Hz下的高压 H桥功率驱动电路的电荷泵高端浮动自举电路。通过理论分析、仿真和实验 ,证实了在保证驱动器的开关速度不变的情况下 ,该电路能提供稳定的高端浮动电源。同时 ,对 H桥功率驱动电路中高端浮动自举电路的设计方法也进行了探讨。

一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路

介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成。

模拟集成电路的发展动态

本文介绍了Ａ／Ｄ与Ｄ／Ａ转换器、超高速ＳＯＩ器件及电路、超高速双极电路、ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结器件和电路、智能功率等模拟集成电路的发展概况。

功率MOSFET的研究与进展

器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。

交流接触器集成控制与仿真

将集成控制技术引入交流接触器的控制中,以智能功率芯片为核心,集成跨周期调制电路和功率开关管,以132 k Hz的高频工作模式,对交流接触器进行闭环控制。使用Multisim和Lab View软件,建立智能控制下的接触器闭环机电一体化仿真系统。通过仿真系统分析瞬态特性,合理设计控制模块的工作模式,从底层分析高频工作方式引起电子器件产生的噪声及抑制措施,达到对电磁机构动作特性的良好控制,试验验证了集成方案的可行性。

绝缘栅双极晶体管驱动保护集成电路设计

绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）驱动保护集成电路是为适应新一代ＩＧＢＴ的应用而设计的专用集成电路，它具有故障检测、故障输出、缓关断驱动输出、降栅压、负栅压等功能，最高工作频率可达到１００ｋＨｚ，输出驱动电流为±２００ｍＡ。对电路及保护功能进行了分析和研究。

横向高压功率器件的进展

由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性，并对它们进行了详细的分类，以期对各种横向功率器件的特性及其优缺点有一个全面的了解。

一种智能功率集成电路隔离技术

本文介绍一种智能功率集成电路（高边ＣＭＯＳ模拟开关）的隔离技术。对除开关管ＶＤＭＯＳ管以外的器件采用自隔离技术，ＶＤＭＯＳ管不是自隔离的。衬底电势的变化易引起电路闭锁，采用浮阱技术来防止电路闭锁。

智能功率技术的最新进展和市场动向

评述了智能功率技术最近的进展及市场动向。虽然目前的电力半导体芯片都是由硅制成的，但最近的分析表明，ＳｉＣ等其他的半导体材料也可能将来会代替硅。

智能功率模块(SPM)的尖端技术水平

在消费电器和一般工业应用的低功率电机驱动领域中,采用转模(transfer-molded)封装的智能功率模块是目前的发展趋势。飞兆半导体的智能功率模块(SPM,Smart Power Module)涵盖0.05至7kW的功率范围,具有紧凑性、功能性、可靠性,以及成本效益特性,已建立起市场的主导地位。通过使用铜直接键合(DBC)基底的转模封装,不仅能够提高功率密度,并且在单一封装中便可实现三相逆变器、SRM驱动器和功率因数校正等各种电路拓扑。此外,先进的应用需求匹配功率芯片和驱动器IC改善了系统的性能和可靠性。本文将从器件、封装以及系统配置的角度介绍在SPM中实现的尖端技术。

智能读写器电源管理与接口芯片MC33560的原理及应用

MC33560是安森美半导体公司为智能卡读/写器应用而设计的电源管理与接口集成电路。它通过与微控制器的接口可以对任意类型的智能卡或存储卡电源进行管理。文中介绍了MC33560的主要特点、引脚功能和工作原理 。