Sn(OH)_4对铝型材电解着色的影响及处理方法

前言 自从六年代初日本浅田教授开发了铝及其合金电解着色技术以来,锡盐着色技术在国内应用较为普遍。然而,多年来锡盐着色液的稳定性及再生处理技术一直未得到彻底解决。主盐Sn^(2+)很容易氧化成Sn^(4+),这不仅消耗了槽液的有效成分,而且Sn^(4+)又易发生水解生成氢氧化锡沉淀,使槽液浑浊,加速了槽液的老化,而且,当槽液内Sn(OH)_4积累到一定量后,着色效率和着色质量下降,而且槽液药品消耗量迅速增加。

溶胶-凝胶法制备纳米SnO_2

运用溶胶凝胶法合成前驱物Sn(OH)4胶体,在不同温度下加热分解得到一系列纳米SnO2试样,并用X射线衍射(XRD)图谱和透射电子显微镜(TEM)表征不同温度下热处理得到试样的结构和形貌,研究了分解温度与产物粒径大小之间的关系以及微晶生长动力学。

稀土La对化学共沉淀法制备纳米SnO_2结构的影响

以SnCl4和LaCl3为原料，采用化学共沉淀法制备混杂La的纳米SnO2，运用DSC-TG、XRD和TEM等对混杂La的SnO2纳米粉末的物相和粒度进行了分析。结果发现：（1）采用化学共沉淀法制备混杂La的SnO2粉末，焙烧温度在400-650℃时，主要成分为SnO2，750℃以上焙烧，主要成分为La2Sn2O7和SnO2。（2）La混杂是通过阻碍SnO2由非晶体向晶体转变来抑制纳米颗粒长大，一旦晶体形成，并达到一个临界尺寸值时，La元素便开始脱溶析出，并反应生成La2Sn2O7，其对纳米晶粒长大的阻碍作用消失，晶粒将迅速长大。

SnO_2共混Fe_2O_3纳米氧化物的制备及其组织结构研究

用SnCl4和FeCl3为原料,采用化学共沉淀法制备掺杂Fe2O3的纳米SnO2,运用差热(DSC)、X射线粉末衍射(XRD)和透射显微镜(TEM)等方法对Fe2O3和SnO2混杂纳米粉末的物相和粒径进行了分析.结果发现:与纯SnO2相比,(1)掺杂Fe2O3可以降低前驱体Sn(OH)4分解制备SnO2纳米晶的焙烧温度,从纯Sn(OH)4的分解温度345.7℃下降到341.1℃;(2)掺杂Fe2O3可以有效阻碍SnO2纳米晶的团聚和长大,前驱体在650℃焙烧时,纯SnO2晶粒在25nm,而掺杂Fe2O3的SnO2晶粒可以保持在2nm左右;(3)掺杂Fe2O3使前驱体焙烧制备SnO2的温度范围更宽,对制备小于10nm的SnO2纳米晶,纯SnO2的焙烧温度范围在400～550℃,而掺杂Fe2O3的焙烧温度范围在400～650℃;(4)SnO2/Fe2O3复合粉末在650℃以下,其晶体结构保持溶剂SnO2的四方结构,部分Fe元素置换了Sn的位置;650℃以上,复合粉末从溶剂晶格中析出Fe2O3形成两相结构.

Sol-Gel法制备SnO_2纳米晶薄膜

以Sn(OH) 4 水合胶体为原料 ,采用简单的旋转涂覆与烧结工艺在Si片上成功制备出了表面形貌平整、光亮的SnO2 纳米晶薄膜 ,为该种材料制作实用的气敏元件打下了很好的基础。

苎麻纳米粉增强环氧复合材料制备与性能

为拓宽苎麻纤维的应用领域,以苎麻布为增强相,环氧树脂为基体,采用模压成型法同时添加纳米Sn(OH)4和Al(OH)3制备复合材料,将其用于电子封装材料.同时研究纳米粉含量对材料抗拉强度和热性能的影响.结果表明,添加单一粉体时,随着Sn(OH)4和Al(OH)3含量的增加,材料的抗拉强度先增大后减小.当Sn(OH)4的质量分数为12%时,抗拉强度达到最大值84.32MPa;当Al(OH)3的质量分数为10%时,抗拉强度达到最大值67.33MPa;当添加混合粉体8%,Sn(OH)4∶Al(OH)3为2∶1和1.5∶1时,材料的抗拉强度为60MPa左右;其后随混合粉体中Sn(OH)4的减少,材料的抗拉强度显著下降.添加纳米粉复合材料的导热系数均比环氧树脂的导热系数大,300℃以下复合材料的热稳定性良好.