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[Mn(en)_3]_2·Sn_2Se_4Te_2的结构和光吸收性能
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作者 韩克飞 夏芸 +1 位作者 王平 郭洪猷 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期401-407,共7页
按照K_2Se:K_2Te_2:MnCl_2·4H_2O:SnCl_2·2H_2O:Se:乙二胺(en)=3.8:1:2:2:6:270的摩尔比配料,采用溶剂热法使原料混合物在180℃反应7d,得到黑色块状晶体[Mn(en)_3]_2·Sn_2Se_4Te_2。属于三斜晶系。空间群为P1,晶胞参数a=... 按照K_2Se:K_2Te_2:MnCl_2·4H_2O:SnCl_2·2H_2O:Se:乙二胺(en)=3.8:1:2:2:6:270的摩尔比配料,采用溶剂热法使原料混合物在180℃反应7d,得到黑色块状晶体[Mn(en)_3]_2·Sn_2Se_4Te_2。属于三斜晶系。空间群为P1,晶胞参数a=0.91428(7)nm,b=1.02781(7)nm,c=1.15745(8)nm,α=94.632(2)°,β=100.944(2)°,γ=115.918(1)°,V=0.94382(12)nm^3,Z=1。晶体由[Mn(en)_3]^(2+)和(Sn_2Se_4Te_2)^(4-)堆积而成。具有Zintl结构的特征。半导体[Mn(en)_3]_2·Sn_2Se_4Te_2的光学能隙(E_g)为2.2eV。当温度低于190℃时,[Mn(en)_3]_2·Sn_2Se_4Te_2晶体是稳定的。详细讨论了这类化合物的组成对晶体结构和光吸收性能的影响。 展开更多
关键词 无机非金属材料 [Mn(en)3]2·sn2Se4te2 溶剂热法合成 晶体结构 反射光谱
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快速热压制备(AgSbTe_2)_x(Pb_(0.5)Sn_(0.5)Te)_(1-x)半导体材料及热电性能研究 被引量:2
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作者 辛星亮 蒋阳 +1 位作者 仲洪海 余大斌 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2009年第4期244-249,共6页
为了进一步提高PbTe系列合金的热电性能和降低生产成本,采用溶剂热反应合成平均粒度为500nm的PbTe粉末,以所合成的PbTe粉末为主要原料通过封管熔炼法制备(AgSbTe2)x(Pb0.5Sn0.5Te)1-x(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)系合金。所得合金锭经过高... 为了进一步提高PbTe系列合金的热电性能和降低生产成本,采用溶剂热反应合成平均粒度为500nm的PbTe粉末,以所合成的PbTe粉末为主要原料通过封管熔炼法制备(AgSbTe2)x(Pb0.5Sn0.5Te)1-x(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)系合金。所得合金锭经过高能球磨制成微米级的超细合金粉,再通过快速热压烧结制备测试用的多晶试样,所有试样的相对密度均达到90%以上。通过XRD和SEM等手段分析材料的物相组成和微观结构,研究x的变化对于该体系材料热电性能(电阻率、Seebeck系数、热导率和ZT值)的影响。研究表明,当x取值为0.1时该体系材料的热电性能得到最优化,在575K时取得最大的ZT值为1.093。 展开更多
关键词 溶剂热合成 快速热压烧结 (AgSbte2)x(pb0.5sn0.5te)1-x
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溶剂热法合成Sn(Pb)Te-Bi_2Te_3系热电材料及其性能研究 被引量:11
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作者 周西松 韦国丹 +2 位作者 刘静 南策文 邓元 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2003年第3期217-221,共5页
通过溶剂热-冷等静压成型-常压烧结工艺制备了准二元Sn(Pb)Te-Bi2Te3块体 热电材料.研究了前驱粉体的合成方法、生成机理及块体材料的显微结构和热电性能.
关键词 sn(pb)te-bi2te3系热电材料 溶剂热法 合成方法 生成机理 热电性能 显微结构
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Solvothermal preparation and thermoelectric properties of quasi-binary Sn(Pb)Te-Bi_(2)Te_(3) compounds 被引量:1
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作者 周西松 邓元 +2 位作者 韦国丹 刘静 南策文 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2003年第5期509-514,共6页
Bulk samples of quasi-binary compounds in the Sn(Pb)Te-Bi2Te3 system were prepared by solvothermal method followed by a sintering procedure of compacted pellets. The formation mechanism of the precursor powders, micro... Bulk samples of quasi-binary compounds in the Sn(Pb)Te-Bi2Te3 system were prepared by solvothermal method followed by a sintering procedure of compacted pellets. The formation mechanism of the precursor powders, microstructure and thermoelectric properties of the final bulk samples were studied. 展开更多
关键词 sn(pb)te-bi2te3 THERMOELECTRIC materials SOLVOTHERMAL method.
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共晶二元Sn基焊料与Bi_2(Te_(0.9)Se_(0.1))_3基热电材料的界面反应 被引量:2
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作者 沈丽 徐广臣 +1 位作者 赵然 郭福 《金属功能材料》 CAS 2012年第2期7-11,共5页
热电元件焊接常用的焊料为铟基焊料和铋基焊料。由于碲化铋材料与低熔点合金焊料之间的浸润性较差,常在碲化铋基热电元件上镀覆镍镀层。本文在大气条件下,不加助焊剂,采用共晶SnBi和SnIn焊料分别对n型热电元件进行了铺展实验及界面显微... 热电元件焊接常用的焊料为铟基焊料和铋基焊料。由于碲化铋材料与低熔点合金焊料之间的浸润性较差,常在碲化铋基热电元件上镀覆镍镀层。本文在大气条件下,不加助焊剂,采用共晶SnBi和SnIn焊料分别对n型热电元件进行了铺展实验及界面显微组织的观察。铺展温度主要选择了210℃和300℃,实验表明300℃界面结合比250℃更好。此外,热电元件表面通过蒸镀仪蒸镀上薄镍层。对含薄镍层的热电元件与不含镍层的热电元件的铺展实验进行对比,得到薄镍镀层可能会增加界面裂纹。 展开更多
关键词 封装 热电堆 Bi2(te0.9Se0.1)3 sn基焊料
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Atomic-Ordering-Induced Quantum Phase Transition between Topological Crystalline Insulator and Z_2 Topological Insulator
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作者 Hui-Xiong Deng Zhi-Gang Song +2 位作者 Shu-Shen Li Su-Huai Wei Jun-Wei Luo 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第5期104-109,共6页
Topological phase transition in a single material usually refers to transitions between a trivial band insulator and a topological Dirac phase, and the transition may also occur between different classes of topologica... Topological phase transition in a single material usually refers to transitions between a trivial band insulator and a topological Dirac phase, and the transition may also occur between different classes of topological Dirac phases.It is a fundamental challenge to realize quantum transition between Z_2 nontrivial topological insulator(TI) and topological crystalline insulator(TCI) in one material because Z_2 TI and TCI have different requirements on the number of band inversions. The Z_2 TIs must have an odd number of band inversions over all the time-reversal invariant momenta, whereas the newly discovered TCIs, as a distinct class of the topological Dirac materials protected by the underlying crystalline symmetry, owns an even number of band inversions. Taking PbSnTe_2 alloy as an example, here we demonstrate that the atomic-ordering is an effective way to tune the symmetry of the alloy so that we can electrically switch between TCI phase and Z_2 TI phase in a single material. Our results suggest that the atomic-ordering provides a new platform towards the realization of reversibly switching between different topological phases to explore novel applications. 展开更多
关键词 Cu te sn TCI Atomic-Ordering-Induced Quantum Phase Transition between Topological Crystalline Insulator and Z2 Topological Insulator pb Pt
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