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Ge对Sn⁃58Bi焊料合金微观组织和性能的影响
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作者 王同举 刘亚浩 +1 位作者 冷启顺 张文倩 《现代电子技术》 北大核心 2024年第2期21-25,共5页
Sn‐Bi焊料是一种低温无铅焊料,在低温焊接领域应用较为广泛,但其存在脆性大和延展性差的缺点。为此,制备不同Ge含量的Sn‐58Bi焊料合金,研究不同Ge添加量对Sn‐58Bi焊料合金的显微组织、熔化特性、润湿性和力学性能的影响。结果表明:添... Sn‐Bi焊料是一种低温无铅焊料,在低温焊接领域应用较为广泛,但其存在脆性大和延展性差的缺点。为此,制备不同Ge含量的Sn‐58Bi焊料合金,研究不同Ge添加量对Sn‐58Bi焊料合金的显微组织、熔化特性、润湿性和力学性能的影响。结果表明:添加Ge元素可以显著细化Sn‐58Bi焊料合金的共晶组织。当添加的Ge元素质量分数为0.005%~0.01%时,焊料合金的湿润性有明显提升;Ge的添加量从0增大到0.01%时,Sn‐58Bi合金的拉伸强度和断后伸长率均提升显著,但继续增加Ge的含量,合金拉伸强度和断后伸长率提升缓慢。Ge元素的添加对Sn‐58Bi焊料合金的熔点基本没有影响。 展开更多
关键词 Sn‐58Bi焊料合金 Ge元素 微观组织 润湿性 力学性能 DSC曲线
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基于金基钎料的毫米波T/R组件连接技术研究 被引量:5
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作者 许立讲 李孝轩 +1 位作者 刘刚 严伟 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2010年第12期60-62,66,共4页
介绍了对金锡(Au-Sn)及金锗(Au-Ge)二元合金相图、Au-Sn及Au-Ge钎料的综合性能,讨论了Au-Sn及Au-Ge钎料在芯片封装领域的应用。基于金基钎料(Au-Sn、Au-Ge)采用BTU烧结炉研究了毫米波T/R组件连接技术,研究了芯片共晶焊接技术和组件气密... 介绍了对金锡(Au-Sn)及金锗(Au-Ge)二元合金相图、Au-Sn及Au-Ge钎料的综合性能,讨论了Au-Sn及Au-Ge钎料在芯片封装领域的应用。基于金基钎料(Au-Sn、Au-Ge)采用BTU烧结炉研究了毫米波T/R组件连接技术,研究了芯片共晶焊接技术和组件气密封装技术。试验结果表明,共晶焊接试验芯片通过X-ray检测焊透率高于95%,焊接接头剪切强度满足国军标要求;组件气密封装试验组件气密性达到10-10Pa.m3/s,毫米波T/R组件电性能测试满足设计要求。 展开更多
关键词 金锡 金锗 毫米波 T/R组件 连接
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电感耦合等离子体原子发射光谱法测定锡锗中间合金中锗 被引量:10
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作者 李莎莎 申志云 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期732-733,共2页
锡锗中间合金溶解于硝酸(1+1)及盐酸(1+4)中,溶解温度应在60℃以下,所得溶液中锗含量用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定,对测定条件作了试验并予以优化。最后选择载气流量为0.6 L·min^-1,试样溶液的介质... 锡锗中间合金溶解于硝酸(1+1)及盐酸(1+4)中,溶解温度应在60℃以下,所得溶液中锗含量用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定,对测定条件作了试验并予以优化。最后选择载气流量为0.6 L·min^-1,试样溶液的介质及酸度为约2 mol·L^-1盐酸溶液,分析谱线为265.118 nm。基体元素锡对锗的分析信号有增强作用,明显影响了锗测定结果的准确性。为克服此基体效应,在制备标准曲线时应用了基体匹配法。经试验,方法的回收率在96.0%-103.6%之间,测定结果的相对标准偏差(n=6)为0.53%。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体原子发射光谱法 锡-锗中间合金
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基于Au基共晶焊料的焊接技术及其应用 被引量:21
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作者 胡永芳 李孝轩 禹胜林 《电焊机》 2008年第9期57-60,共4页
采用BTU隧道炉对Au基共晶焊料(金锡、金锗)的焊接技术及在TR组件应用情况进行研究分析,并进行了显微镜观察、X-ray检测。试验结果表明:通过隧道炉进行的Au基共晶焊料的焊接润湿角小于90°,呈R角,焊透率均能达到95%以上,具有很低的... 采用BTU隧道炉对Au基共晶焊料(金锡、金锗)的焊接技术及在TR组件应用情况进行研究分析,并进行了显微镜观察、X-ray检测。试验结果表明:通过隧道炉进行的Au基共晶焊料的焊接润湿角小于90°,呈R角,焊透率均能达到95%以上,具有很低的空洞率,剪切强度远大于砷化镓本身材料的强度,生产效率高,能够满足产品的大批量生产应用。 展开更多
关键词 Au/Sn焊料 Au/Ge焊料 空洞率
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Ag-Cu-Ge-Sn新型中温焊膏的研制与应用 被引量:5
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作者 叶建军 涂传政 +2 位作者 谭澄宇 岳译新 郑学斌 《新技术新工艺》 2007年第5期42-44,共3页
新型焊料Ag-24Cu-25Ge-4Sn(%)的熔化温度:544-557℃,固-液相间隔为:13℃;采用氮气雾化的方法将该焊料制成粉体,利用扫描电镜对焊料粉体形貌进行了观察,并用X-ray衍射对焊料的相结构进行了分析。研究表明:所制备的焊料粉体呈... 新型焊料Ag-24Cu-25Ge-4Sn(%)的熔化温度:544-557℃,固-液相间隔为:13℃;采用氮气雾化的方法将该焊料制成粉体,利用扫描电镜对焊料粉体形貌进行了观察,并用X-ray衍射对焊料的相结构进行了分析。研究表明:所制备的焊料粉体呈球形,粒径约20μm;焊料主要由富Ag相、Ge相、中间相Ag6.7Sn和Cu5Ge2相组成。利用丙烯酸酯类化合物为载体将其调配成膏状焊料;焊膏铺展试验表明,该焊料流散性一般,钎焊后焊料表面色泽光亮,但边界有堆积现象;钎焊截面分析发现,在钎焊界面处存在明显的多层过渡层,这应与镍基板上的Ni和钎料中元素Cu的互相扩散有关系。 展开更多
关键词 Ag-Cu-Ge-Sn合金 中温焊膏 润湿性 界面
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氢化物-气相色谱的元素光度检测器 被引量:3
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作者 范小振 丁天惠 《色谱》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期8-10,共3页
研究开发的一种新型的元素光度检测器主要用于锗、砷、锡和锑的氢化物气相色谱检测,具有高灵敏,高选择性。它是在普通火焰光度检测器的基础上加装了特制的滤光片改制而成的。对锗、砷、锡和锑的检测限分别为3.0×10 ̄(-1... 研究开发的一种新型的元素光度检测器主要用于锗、砷、锡和锑的氢化物气相色谱检测,具有高灵敏,高选择性。它是在普通火焰光度检测器的基础上加装了特制的滤光片改制而成的。对锗、砷、锡和锑的检测限分别为3.0×10 ̄(-11)g、7.0×10 ̄(-11)g、7.0×10 ̄(-10)g和1.1×10 ̄(-8)g,相对标准偏差分别为1.8%、2.4%、2.6%和3.0%。 展开更多
关键词 氢化物 气相色谱 元素 光度检测器
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人工神经网络光度法同时测定锗、锡 被引量:1
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作者 冯月斌 张锦柱 温彬宇 《昆明理工大学学报(理工版)》 2006年第3期105-107,共3页
用6 mol/L的盐酸控制溶液的酸度,在十二烷基磺酸钠的存在下,锗和锡均与苯芴酮发生高灵敏显色反应,生成稳定的三元络合物,最大吸收波长分别为510 nm和514 nm,吸收光谱严重重叠.利用BP神经网络算法无须分离同时测定锗和锡,研究了测定的最... 用6 mol/L的盐酸控制溶液的酸度,在十二烷基磺酸钠的存在下,锗和锡均与苯芴酮发生高灵敏显色反应,生成稳定的三元络合物,最大吸收波长分别为510 nm和514 nm,吸收光谱严重重叠.利用BP神经网络算法无须分离同时测定锗和锡,研究了测定的最佳条件,通过对模拟样的测定验证了应用该方法可取得满意的结果,并且已把该方法应用于锗和锡的分离研究中. 展开更多
关键词 人工神经网络 分光光度法
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新变种矿物——含锗锡硫钒铜矿 被引量:3
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作者 杨时惠 朱小玲 王益 《岩石矿物学杂志》 CAS CSCD 1991年第4期344-349,共6页
含锗锡硫钒铜矿是硫钒铜矿的含锗锡变种。它产于四川省白玉县呷村银多金属矿床中,反光显微镜下为淡柠檬黄色,形态呈正方形、长方形及不规则状。粒度一般为0.01—0.1mm,最大为0.3mm。显微硬度Hv=137.8kg/mm2,相当于HM=3.49。反射率:589nm... 含锗锡硫钒铜矿是硫钒铜矿的含锗锡变种。它产于四川省白玉县呷村银多金属矿床中,反光显微镜下为淡柠檬黄色,形态呈正方形、长方形及不规则状。粒度一般为0.01—0.1mm,最大为0.3mm。显微硬度Hv=137.8kg/mm2,相当于HM=3.49。反射率:589nm 31.54%。主要化学成分为:Cu 52.29—54.71%,S 30.59—32.49%,V 5.70—6.50%,Ge 4.3—6%,Sn2.43—3.56%,还含微量Zn、Fe、As、Sb、Bi等。简化式为:Cu3(V,Ge,Sn)S4。矿物为等轴晶系,ao=10.66,V=1211.36,空间群为P43m,Z=8。 展开更多
关键词 含锗含物 含硫 铜矿 变种 含钒
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新型桥联烯烃聚合茂金属催化剂研究进展 被引量:2
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作者 侯卫锋 孙俊全 《高分子通报》 CAS CSCD 2002年第4期18-25,40,共9页
概述了桥联茂金属催化剂催化乙烯、α 烯烃均聚及共聚的最新进展。
关键词 研究进展 桥联茂金属催化剂 烯烃 聚合 催化性能 聚烯烃
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MO2(M=Ti,Ge,Sn)晶体中替位V4+自旋哈密顿参量研究
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作者 林季资 肖沛 《北华大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第4期299-303,共5页
基于离子簇模型,应用斜方畸变八面体中3d^1电子的EPR参量微扰公式,研究了MO2(M=Ti,Ge,Sn)晶体(金红石型)中替位V^4+的EPR参量,发现由于V^4+取代晶体中阳离子而引起的姜泰勒(Jahn—Teller)效应,将导致杂质离子局部结构形... 基于离子簇模型,应用斜方畸变八面体中3d^1电子的EPR参量微扰公式,研究了MO2(M=Ti,Ge,Sn)晶体(金红石型)中替位V^4+的EPR参量,发现由于V^4+取代晶体中阳离子而引起的姜泰勒(Jahn—Teller)效应,将导致杂质离子局部结构形成微小压缩八面体.进一步考虑了配体轨道及旋轨耦合作用和杂质离子周围的畸变对自旋哈密顿参量的贡献,结果与实验符合的更好. 展开更多
关键词 电子顺磁共振 自旋哈密顿 V^4+ MO2(M=Ti Ge Sn)
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A_2BF_6:Mn^(4+)红色荧光粉的研究(A:K,Na,Cs;B:Si,Ge,Sn,Ti)
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作者 郑金菊 梁利芳 郑成祥 《广西师范学院学报(自然科学版)》 2012年第4期42-47,共6页
阐述了Mn4+离子掺杂的复合氟化物A2BF6(A:K,Na,Cs;B:Si,Ge,Sn,Ti)红色荧光粉的制备方法以及此类材料结构性能和光学性能。氟化物具有低声子能量、高熔点、物相稳定等特点,而低声子能量的特点能够减少离子激发态的猝灭,提高发光效率[1]。... 阐述了Mn4+离子掺杂的复合氟化物A2BF6(A:K,Na,Cs;B:Si,Ge,Sn,Ti)红色荧光粉的制备方法以及此类材料结构性能和光学性能。氟化物具有低声子能量、高熔点、物相稳定等特点,而低声子能量的特点能够减少离子激发态的猝灭,提高发光效率[1]。Mn4+离子的3d-3d跃迁明显受晶体场的影响。 展开更多
关键词 白光LED 氟化物基质 Mn4+ A2BF6(A:K Na Cs B:Si、Ge、Sn、Ti)
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[MAl_5]^+ (M=Si,Ge,Sn,Pb)体系结构和稳定性的理论研究 被引量:2
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作者 贺海鹏 崔中华 丁益宏 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期772-776,共5页
利用B3LYP和CCSD(T)(单点)方法,研究了含Si,Ge,Sn,Pb的六原子体系[MAl5]+中各个异构体的结构及稳定性.研究结果表明,尽管与[CAl5]+一样也具有18个价电子,但[MAl5]+(M=Si,Ge,Sn,Pb)体系并不存在具有平面五配位结构的异构体,其能量的全局... 利用B3LYP和CCSD(T)(单点)方法,研究了含Si,Ge,Sn,Pb的六原子体系[MAl5]+中各个异构体的结构及稳定性.研究结果表明,尽管与[CAl5]+一样也具有18个价电子,但[MAl5]+(M=Si,Ge,Sn,Pb)体系并不存在具有平面五配位结构的异构体,其能量的全局极小点为具有Cs对称性的蝶形异构体Int1,这是由于中心原子M(Si,Ge,Sn,Pb)较大的体积显著破坏了[MAl5]+中平面五配位结构的稳定性所致. 展开更多
关键词 [MAl_5]^+ (M=Si Ge Sn Pd) 平面五配位 异构体 热力学稳定性
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Si添加物对Li掺杂的Mg_2(Ge,Sn)热电性能的影响 被引量:3
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作者 张勤勇 袁国才 +2 位作者 王俊臣 毛俊西 雷晓波 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2018年第5期1-5,共5页
Mg_2(Ge,Sn)固溶体是一种环境友好型的中温(500~800 K)热电材料。目前n型Mg_2(Ge,Sn)热电材料的ZT值已经高达1. 4,但p型Mg_2(Ge,Sn)的ZT值仅为0. 5。本文在p型Mg1. 92Li0. 08Ge0. 4Sn0. 6中添加了少量Si元素以在材料中形成富Si相,利用... Mg_2(Ge,Sn)固溶体是一种环境友好型的中温(500~800 K)热电材料。目前n型Mg_2(Ge,Sn)热电材料的ZT值已经高达1. 4,但p型Mg_2(Ge,Sn)的ZT值仅为0. 5。本文在p型Mg1. 92Li0. 08Ge0. 4Sn0. 6中添加了少量Si元素以在材料中形成富Si相,利用其与基体的界面过滤低能载流子、降低热导率。采用两步固相反应、球磨和热压的方法制备Mg_(1.92)Li_(0.08)Ge_(0.4)Sn_(0.6-x)Si_x(x=0,0. 025,0. 05,0. 075,0. 1)样品,通过测试样品的热电输运参数,分析Si添加物对样品热电输运和性能的影响。结果表明:Si添加物能显著提高基体的功率因子,同时有效降低晶格热导率和电子热导率;最终,Mg1. 92Li0. 08Ge0. 4Sn0. 525Si0. 075的ZT最大值在723 K达到0. 75。 展开更多
关键词 Mg2(Ge Sn) 热电材料 热导率
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微合金化在晶体硅太阳电池中应用的研究进展 被引量:3
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作者 何秋湘 李京伟 +4 位作者 李彦磊 班伯源 白枭龙 陈健 戴松元 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期7-13,共7页
在硅晶体中利用微合金化来获取性能优良的晶硅电池是其未来发展的重要方向。微合金化过程中,在硅中加入其它元素,带来硅晶体晶格畸变而易捕获空位,增加氧沉淀浓度、减少间隙氧含量,能抑制B-O复合体形成,从而改善硅晶体机械强度、提高少... 在硅晶体中利用微合金化来获取性能优良的晶硅电池是其未来发展的重要方向。微合金化过程中,在硅中加入其它元素,带来硅晶体晶格畸变而易捕获空位,增加氧沉淀浓度、减少间隙氧含量,能抑制B-O复合体形成,从而改善硅晶体机械强度、提高少子寿命以及提高晶硅电池光电转化效率、抑制光致衰减效应。重点分析了Si-Ge、Si-Ga、Si-Sn、Si-Al和Si-In微合金化在晶体硅太阳能电池中的应用,通过微合金化能够满足人们对高质量晶硅电池的要求。掌握微合金化对晶硅电池性能影响的机理,并将其运用于实际生产中是目前急需解决的问题。 展开更多
关键词 微合金化 晶体硅太阳电池 SI-GE Si-Ga Si—Sn
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碘化铵挥发与分离制样技术在原子荧光光谱法测定地质样品中痕量锗、锡、锑的运用 被引量:5
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作者 段文峰 龚露 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1004-1007,共4页
提出利用锗、锡、锑与磺化铵熔化形成挥发性碘化物的特性行为原子荧光光谱法测定地质样品中上述3种元素含量时的样品前处理和分离方法。试验表明:当将适量样品(0.5g)与碘化铵(1g)置于双球玻璃管中混匀,用喷灯直接加热至350℃以上,并保持... 提出利用锗、锡、锑与磺化铵熔化形成挥发性碘化物的特性行为原子荧光光谱法测定地质样品中上述3种元素含量时的样品前处理和分离方法。试验表明:当将适量样品(0.5g)与碘化铵(1g)置于双球玻璃管中混匀,用喷灯直接加热至350℃以上,并保持10min后,试样中的锗、锡及锑将分别形成四碘化锗、四碘化锡及三碘化锑挥发逸出并凝聚于玻璃管壁,从而达到此3种元素与基体的分离。用盐酸将管壁上的凝聚物洗入烧杯中,再先后用硝酸蒸发除碘和用盐酸及过氧化氢溶解残渣制成溶液后即可进行原子荧光光谱测定。上述3种元素的检出限(3s/k)分别为0.08,0.06,0.08μg·L-1。 展开更多
关键词 原子荧光光谱法 碘化铵挥发 地质样品
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三角反铁磁材料Mn_(3)Z(Z=Ga,Ge,Sn)的磁性和输运性质
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作者 张强强 柳祝红 +1 位作者 马星桥 刘恩克 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2021年第11期861-870,共10页
反铁磁材料具有零磁矩或非常小的磁矩,不易受外磁场干扰。相对于铁磁材料,反铁磁材料具有更低的能量损耗和更高的响应频率等优点,因在自旋电子学领域的实际应用方面具有巨大潜力而备受关注。作为一种兼具Kagome晶格及三角反铁磁性的特... 反铁磁材料具有零磁矩或非常小的磁矩,不易受外磁场干扰。相对于铁磁材料,反铁磁材料具有更低的能量损耗和更高的响应频率等优点,因在自旋电子学领域的实际应用方面具有巨大潜力而备受关注。作为一种兼具Kagome晶格及三角反铁磁性的特殊自旋电子学材料,六角Mn_(3)Z(Z=Ga,Ge,Sn)合金展现出巨大的反常霍尔效应、拓扑霍尔效应、自旋霍尔效应以及反常能斯特(Nernst)效应等。这些物理效应涉及到当今凝聚态物理研究中最前沿的问题,对它们的研究不仅可以深化对凝聚态磁性物理的理解,而且也驱动了反铁磁自旋电子学的发展。首先介绍了Mn_(3)Z合金的晶格结构及特殊的磁结构,简要分析了理论计算得到的电子结构对材料输运性能的影响。结合实验报道的Mn_(3)Z的磁性及输运性质等对3种六角结构合金的优异性能及研究进展进行了概述,揭示了磁结构和电子结构对材料输运性质的物理机制,并对Mn_(3)Z系列合金拓扑相关的输运性质进行了展望。 展开更多
关键词 Mn_(3)Z(Z=Ga Ge Sn) 反铁磁材料 拓扑材料 霍尔效应 能斯特(Nernst)效应
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锂离子电池合金负极材料的研究进展 被引量:3
17
作者 王娜 林鸿鹏 +1 位作者 方新荣 宋晓娜 《电池工业》 CAS 2017年第3期33-37,共5页
合金材料作为新一代锂离子电池的负极材料具有理论比容量高、资源丰富、环境友好等优点。本文综述了Si,Sn,Ge三种合金负极材料在锂离子电池应用方面的发展现状和最新研究进展,从材料的制备方法,结构设计以及改性方法等几个方面对Si-基,... 合金材料作为新一代锂离子电池的负极材料具有理论比容量高、资源丰富、环境友好等优点。本文综述了Si,Sn,Ge三种合金负极材料在锂离子电池应用方面的发展现状和最新研究进展,从材料的制备方法,结构设计以及改性方法等几个方面对Si-基,Sn-基,Ge-基负极材料进行了综述,展望了合金负极材料未来的发展趋势。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 合金材料 SI SN Ge
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Property alterations of Sn-0.6Cu-0.05Ni-Ge lead-free solder by Ag, Bi, In and Sb addition 被引量:3
18
作者 Kannachai KANLAYASIRI Rachata KONGCHAYASUKAWAT 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第6期1166-1175,共10页
The Sn-Cu-Ni-Ge solder is a strong challenger to the Sn-Ag-Cu(SAC) solders as a replacement for the Sn-Pb eutectic solder. This research investigated the effects of addition of Ag, Bi, In, and Sb on the physical pro... The Sn-Cu-Ni-Ge solder is a strong challenger to the Sn-Ag-Cu(SAC) solders as a replacement for the Sn-Pb eutectic solder. This research investigated the effects of addition of Ag, Bi, In, and Sb on the physical properties of the Sn-0.6 Cu-0.05 Ni-Ge(SCNG) lead-free solder and the interfacial reaction with the Cu substrate. The melting behavior, microstructure, tensile strength, and wettability of the SCNG-x(x=Ag, Bi, In, Sb) solders were examined. The findings revealed that the introduction of Ag, Bi, In, and Sb minimally altered the solidus temperature, liquidus temperature, and tensile strength of the solder. However, the cooling behavior and solidified microstructure of the solder were affected by the concentration of the alloying elements. The wettability of the SCNG solder was improved with the doping of the alloying elements except Sb. The thickness of intermetallic layer was increased by the addition of the alloying elements and was related to the cooling behavior of the solder. The morphology of intermetallic layer between the SCNG-x solders and the Cu substrate was different from that of the typical SAC solders. In conclusion, alloying the SCNG solder with Ag, Bi, In or Sb is able to improve particular properties of the solder. 展开更多
关键词 Sn-Cu-Ni-Ge solder lead-free solder alloying effect physical properties
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纳米锗-锡/碳复合材料的合成与电化学性能研究 被引量:1
19
作者 乔雪 杨雪彪 +3 位作者 黄婷婷 王新月 贾子辰 王红强 《华电技术》 CAS 2021年第7期24-29,共6页
锗因其较高的理论容量成为最具应用前景的锂离子电池负极材料。设计制备了一种纳米锗-锡/碳复合材料,碳材料可以在提高锗导电性的同时适应其体积变化,锡的加入可以进一步提高材料导电性,并且锗和锡2种组分脱/嵌锂的电位不同,未参与反应... 锗因其较高的理论容量成为最具应用前景的锂离子电池负极材料。设计制备了一种纳米锗-锡/碳复合材料,碳材料可以在提高锗导电性的同时适应其体积变化,锡的加入可以进一步提高材料导电性,并且锗和锡2种组分脱/嵌锂的电位不同,未参与反应的组分可以作为基体缓冲另一组分在充放电过程中的体积变化,提高负极的结构稳定性。通过扫描电子显微镜(SEM)、能量分散光谱仪(EDS)和X射线衍射(XRD)方法对材料进行形貌表征,并对结构和组分进行分析。将该材料作为锂离子电池负极材料,在0.50 A/g的电流密度下,首次放电容量达到1292(mA·h)/g,充放电100次后容量保持在510(mA·h)/g。当电流密度提高至10.00 A/g时,仍具有460(mA·h)/g的放电容量,说明材料具有循环稳定性的同时还有较好的倍率性能。 展开更多
关键词 锂离子电池 锗-锡/碳负极材料 比容量 电流密度 锂化反应 倍率性能
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ICP-OES测定锗物料中Ge-As-Cu-Pb-Sb-Sn-Zn的方法研究
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作者 王学伟 彭南兰 金婷婷 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期525-529,共5页
锗物料的选冶是高纯锗提纯前必经的重要阶段,详细分析锗物料的主要成分可以对锗物料的进一步选冶提纯起到事半功倍的作用。试验采用ICP-OES法对锗物料中Ge等主要元素进行测定,研究了锗物料试样制备和分解方法的选择和优化,讨论了溶液中... 锗物料的选冶是高纯锗提纯前必经的重要阶段,详细分析锗物料的主要成分可以对锗物料的进一步选冶提纯起到事半功倍的作用。试验采用ICP-OES法对锗物料中Ge等主要元素进行测定,研究了锗物料试样制备和分解方法的选择和优化,讨论了溶液中硫酸酸度对被测元素谱线强度的影响。方法的检出限为0.0014~0.0407μg/mL,相对标准偏差小于3%,回收率介于95.22%~102.4%。方法得到的Ge结果和现行国家标准方法得到的结果相吻合。结果表明,该方法快速准确、回收率高,是目前较理想的锗物料中Ge-As-Cu-Pb-Sb-Sn-Zn等多元素准确测定方法。 展开更多
关键词 ICP-OES Ge-As-Cu-Pb-Sb-Sn-Zn 测定 锗物料
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