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Sn_(1-x)(In_(1-y)Cu_y)_xO薄膜的合成
1
作者
郭玲玲
郑光裕
张治国
《物理实验》
2006年第9期12-16,共5页
利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8.5×10-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜.研究了蒸发源材料质量比不同的样品的薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的...
利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8.5×10-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜.研究了蒸发源材料质量比不同的样品的薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的关系.实验结果表明,Sn1-x(In1-yCuy)xO透明导电薄膜具有优良的光电特性,而且制备出的Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜中In的含量大大减少,可以成为ITO薄膜的潜在替代材料.
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关键词
sn
1
-x
(
in1
-ycuy
)
xo
薄膜
反应蒸发法
XRD衍射图
温度特性
透过率
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职称材料
金属有机物化学气相沉积法生长Ga_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的结构及光电性能研究
2
作者
杨帆
马瑾
+2 位作者
孔令沂
栾彩娜
朱振
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期7079-7082,共4页
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-x)In2xO3(x=0.1—0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分x=0.2时,样品为单斜β-Ga2O3结构;x=0.5的样...
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-x)In2xO3(x=0.1—0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分x=0.2时,样品为单斜β-Ga2O3结构;x=0.5的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善,由非晶结构转变为具有(222)单一取向的立方In2O3结构;对于x=0.8,薄膜为立方In2O3结构,退火后薄膜的晶体质量得到提高.在可见光区薄膜本身的透过率均达到了85%以上,带隙宽度随样品中Ga含量的改变在3.76—4.43eV之间变化,且经退火处理后带隙宽度明显增大.
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关键词
金属有机物化学气相沉积
Ga2(1
-x
)In2
xo
3
薄膜
蓝宝石衬底
退火
原文传递
题名
Sn_(1-x)(In_(1-y)Cu_y)_xO薄膜的合成
1
作者
郭玲玲
郑光裕
张治国
机构
泉州师范学院理工学院
出处
《物理实验》
2006年第9期12-16,共5页
文摘
利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8.5×10-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜.研究了蒸发源材料质量比不同的样品的薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的关系.实验结果表明,Sn1-x(In1-yCuy)xO透明导电薄膜具有优良的光电特性,而且制备出的Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜中In的含量大大减少,可以成为ITO薄膜的潜在替代材料.
关键词
sn
1
-x
(
in1
-ycuy
)
xo
薄膜
反应蒸发法
XRD衍射图
温度特性
透过率
Keywords
sn
1
-x
(
in1
-ycuy
)
xo
films
reaction evaporation
XRD spectra
temperature property
transmissivity
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
金属有机物化学气相沉积法生长Ga_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的结构及光电性能研究
2
作者
杨帆
马瑾
孔令沂
栾彩娜
朱振
机构
山东大学物理学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期7079-7082,共4页
基金
国家自然科学基金(批准号:50672054)资助的课题~~
文摘
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-x)In2xO3(x=0.1—0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分x=0.2时,样品为单斜β-Ga2O3结构;x=0.5的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善,由非晶结构转变为具有(222)单一取向的立方In2O3结构;对于x=0.8,薄膜为立方In2O3结构,退火后薄膜的晶体质量得到提高.在可见光区薄膜本身的透过率均达到了85%以上,带隙宽度随样品中Ga含量的改变在3.76—4.43eV之间变化,且经退火处理后带隙宽度明显增大.
关键词
金属有机物化学气相沉积
Ga2(1
-x
)In2
xo
3
薄膜
蓝宝石衬底
退火
Keywords
metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)
Ga2(
1
-x
)In2x O3 thin films
α-Al2O3 substrates
annealing
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Sn_(1-x)(In_(1-y)Cu_y)_xO薄膜的合成
郭玲玲
郑光裕
张治国
《物理实验》
2006
0
下载PDF
职称材料
2
金属有机物化学气相沉积法生长Ga_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的结构及光电性能研究
杨帆
马瑾
孔令沂
栾彩娜
朱振
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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