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Sn2S3电子结构和光学性质的第一性原理研究
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作者 刘咏梅 宗建华 覃坤南 《现代盐化工》 2016年第2期23-25,29,共4页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了Sn2S3超晶胞模型并进行了几何结构优化,对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算。结果显示,Sn2S3带隙值为0.027eV.,且其具有数量级104cm-1的吸收系数,能强... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了Sn2S3超晶胞模型并进行了几何结构优化,对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算。结果显示,Sn2S3带隙值为0.027eV.,且其具有数量级104cm-1的吸收系数,能强烈地吸收光能。 展开更多
关键词 半导体材料 sn2s3 电子结构 光学性质 第一性原理计算
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Sn_2S_3薄膜制备及结构与光学特性 被引量:6
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作者 卢建丽 李健 +1 位作者 白海平 杨晶 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期130-134,共5页
采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备Sn2S3薄膜。研究不同Sn和S配比及热处理条件对薄膜的结构及光学特性的影响。结果显示:采用Sn∶S为1∶1.2(at%)混合粉末制备出的薄膜,在T=430℃,t=40min氮气保护热处理后,可得到结构良好的n型Sn2S3纳米... 采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备Sn2S3薄膜。研究不同Sn和S配比及热处理条件对薄膜的结构及光学特性的影响。结果显示:采用Sn∶S为1∶1.2(at%)混合粉末制备出的薄膜,在T=430℃,t=40min氮气保护热处理后,可得到结构良好的n型Sn2S3纳米多晶薄膜。薄膜表面致密较平整,颗粒分布均匀,平均晶粒尺寸为60.37nm。Sn2S3薄膜的直接光学带隙约为2.0eV。 展开更多
关键词 sn2s3 薄膜 真空蒸发 结构和光学特性
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Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的表征及电学特性 被引量:5
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作者 柴燕华 李健 卢建丽 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期89-94,共6页
真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜经380℃热处理30 min可获得结构良好正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜的电阻率从未掺杂时的79kΩ.cm降到2... 真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜经380℃热处理30 min可获得结构良好正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜的电阻率从未掺杂时的79kΩ.cm降到23.7Ω.cm,下降了三个数量级。Sn2S3薄膜表面为颗粒状,体内化学计量比Sn/S为1∶1.49,与标准计量比非常接近;掺Sb(5%)后为1∶0.543,Sn过量。Sn和S以Sn2+,Sn4+,S2-形式存在于薄膜中;Sb元素显示正5价,部分Sb5+进入晶格替位Sn4+。 展开更多
关键词 真空蒸发 热处理 sn2s3薄膜 Sb掺杂 电学特性
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Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的制备及光学特性 被引量:2
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作者 王艳 李健 卢建丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B04期320-324,共5页
真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜(玻璃衬底),研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出5%掺Sb的薄膜经380℃热处理30min(氮气保护)得到正交晶系的Sn2S3;Sb多晶薄膜,薄膜表面颗粒大... 真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜(玻璃衬底),研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出5%掺Sb的薄膜经380℃热处理30min(氮气保护)得到正交晶系的Sn2S3;Sb多晶薄膜,薄膜表面颗粒大小均匀,膜面致密有轻微颗粒聚集现象。薄膜体内Sn与S化学计量比为1:1.49,掺Sb后为1:0.543,薄膜中Sn、S、SB分别以Sn2+、Sn4+、S2-、Sb5+存在。纯Sn2S3薄膜的光透过率在350~500nm波长范围内基本为零,随着波长增大,光透过率增加,其直接光学带隙为2.2eV,吸收边为564nm;掺Sb后薄膜的光透率明显降低,光学带隙为1.395eV比未掺杂时减小0.805eV,吸收边发生红移为889nm。 展开更多
关键词 真空蒸发 热处理 sn2s3薄膜 Sb掺杂 光学特性
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Zn掺杂Sn_2S_3薄膜的特性 被引量:2
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作者 李云 李健 王艳 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第22期3180-3184,共5页
高纯Sn和S粉按1∶0.41%(质量分数)配比,均匀掺入9%(质量分数)的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析显示,380℃,55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3薄膜。掺Zn 9%(质量分数)的薄膜经370℃热处理15... 高纯Sn和S粉按1∶0.41%(质量分数)配比,均匀掺入9%(质量分数)的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析显示,380℃,55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3薄膜。掺Zn 9%(质量分数)的薄膜经370℃热处理15min得到的薄膜仍属简单正交晶系。掺Zn后Sn2S3薄膜的表面均匀和致密性变好,平均晶粒尺寸从未掺Zn时的35.69nm增加到58.80nm。Sn2S3薄膜的导电类型均为N型,掺Zn后薄膜的电阻率为60.5(Ω·cm),比未掺杂时降低1个数量级。Sn2S3薄膜的直接光学带隙为1.85eV,本征吸收边为551nm;Sn2S3∶Zn 9%(质量分数)薄膜的光学带隙1.41eV,本征吸收边873nm发生红移,Sn2S3薄膜的光吸收系数均达到105cm-1。 展开更多
关键词 sn2s3薄膜 Zn掺杂 单源共蒸发 热处理 电、光特性
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层状K_4Ag_2Sn_3S_9·2H_2O的溶剂热合成与表征 被引量:10
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作者 白音孟和 纪敏 +3 位作者 刘新 安永林 贾翠英 宁桂铃 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1391-1394,M003,共5页
用溶剂热法合成了 K4 Ag2 Sn3S9· 2 H2 O,通过单晶 X射线衍射、 DSC、 TG、 IR和紫外漫反射光谱等手段对其进行了表征 .结果表明 ,K4 Ag2 Sn3S9· 2 H2 O属单斜晶系 ,P2 1 / m空间群 ,a=0 .780 71 ( 2 ) nm,b=2 .73 5 0 8( 1 )... 用溶剂热法合成了 K4 Ag2 Sn3S9· 2 H2 O,通过单晶 X射线衍射、 DSC、 TG、 IR和紫外漫反射光谱等手段对其进行了表征 .结果表明 ,K4 Ag2 Sn3S9· 2 H2 O属单斜晶系 ,P2 1 / m空间群 ,a=0 .780 71 ( 2 ) nm,b=2 .73 5 0 8( 1 ) nm,c=1 .0 5 0 0 8nm,α=90°,β=1 0 3 .87( 6)°,γ=90°,Z=4.其层状结构内具有一维孔道 。 展开更多
关键词 溶剂热合成 K4Ag2Sn3S9·2H2O 层状结构
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鼓形有机锡氧杂环羧酸簇合物[PhCH_2Sn(O)(O_2CC_4H_3S)]_6·2CH_2Cl_2 和 [PhCH_2Sn(O)(O_2CC_3H_2NO)]_6·2CH_2Cl_2的合成和晶体结构 被引量:17
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作者 尹汉东 王传华 +1 位作者 马春林 房海霞 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期958-963,共6页
利用三苄基氧化锡与 2 -噻吩甲酸和 2 -唑甲酸反应 ,合成了六聚体苄基锡氧 2 -噻吩甲酸酯 (1 )和六聚体苄基锡氧 2 -唑甲酸酯 (2 )鼓形簇合物 .通过元素分析、红外光谱和 X射线单晶衍射对其结构进行了表征 .测试结果表明 :化合物 1... 利用三苄基氧化锡与 2 -噻吩甲酸和 2 -唑甲酸反应 ,合成了六聚体苄基锡氧 2 -噻吩甲酸酯 (1 )和六聚体苄基锡氧 2 -唑甲酸酯 (2 )鼓形簇合物 .通过元素分析、红外光谱和 X射线单晶衍射对其结构进行了表征 .测试结果表明 :化合物 1属三斜晶系 ,空间群 P1 ,a=1 . 2 76 0 (3) nm,b=1 .30 5 6 (3) nm,c=1 .334 3(3) nm,α=1 0 5 .6 5 (3)°,β=96 .2 7(3)°,γ=97.2 0 (3)°,Z=1 ,V=2 .0 997(7) nm3 ,Dc=1 .80 9g/ cm3 ,μ=2 .0 97mm- 1 ,F(0 0 0 ) =1 1 1 6 ,R=0 .0 6 5 1 ,w R=0 .1 2 92 .化合物 2属三斜晶系 ,空间群 P1 ,a=1 .2 2 4 0 (4 ) nm,b=1 .36 73(4 ) nm,c=1 .374 4(4 ) nm,α=1 0 7.76 0 (4 )°,β=98.0 6 9(5 )°,γ=91 .4 80(5 )°,Z=2 ,V=2 .1 6 31 (1 2 ) nm3 ,Dc=3.373g/ cm3 ,μ=3.799mm- 1 ,F (0 0 0 ) =2 1 36 ,R=0 .0 382 ,w R=0 .0 79.它们均为鼓形簇状结构 ,锡原子呈畸变的八面体构型 .化合物 1通过分子间 S… S近距离作用 ,形成一维链状结构 . 展开更多
关键词 鼓形有机锡氧杂环羧酸簇合物 [PhCH2Sn(O)(O2CC4H3S)]6·2CH2C12 [PhCH2Sn(O)(O2CC3H2N0)]6·2CH2Cl2 合成 晶体结构 2-噻吩甲酸 2-噁唑甲酸 三苄基氧化锡
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Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜的溶液法制备及其光电性能研究
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作者 陈建彪 常乐 +2 位作者 赵雲 李燕 王成伟 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第2期50-54,共5页
采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N_2保护下硒化获得到Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研... 采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N_2保护下硒化获得到Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研究结果表明,适当的硒化退火温度,如480℃,可得到表面平整、结晶度高、晶粒致密和双层结构(上层大、下层小晶粒)的Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,其带隙为1.28 eV,载流子浓度可低至6.780×10^(17) cm^(-3),迁移率高达18.19 cm^2·V^(-1)·S^(-1),可用于薄膜太阳能电池的光吸收层. 展开更多
关键词 Cu2Sn(S Se)3薄膜 溶液法 硒化温度
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化学气相沉积法制备Sn_2S_3一维纳米结构阵列 被引量:3
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作者 彭跃华 周海青 +6 位作者 刘湘衡 何熊武 赵丁 海阔 周伟昌 袁华军 唐东升 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1249-1253,共5页
运用化学气相沉积法(CVD),直接以Sn和S为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(SEM)图片显示:Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在10... 运用化学气相沉积法(CVD),直接以Sn和S为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(SEM)图片显示:Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在100nm左右,长约几个微米.X射线衍射(XRD)谱显示:所制备样品的晶体结构属于正交晶系,沿[002]方向生长.紫外-可见漫反射谱表明Sn2S3一维纳米结构是带隙为2.0eV的直接带隙半导体.讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn2S3一维纳米结构生长的影响,并指出其生长可能遵循气-固(V-S)生长机理. 展开更多
关键词 一维纳米结构 阵列 化学气相沉积法 三硫化二锡 气-固生长机理
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Facile fabrication of ZnIn2S4/SnS2 3D heterostructure for efficient visible-light photocatalytic reduction of Cr(Ⅵ) 被引量:4
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作者 Jingwen Pan Zhongjie Guan +1 位作者 Jianjun Yang Qiuye Li 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期200-208,共9页
Photocatalytic method has been intensively explored for Cr(VI)reduction owing to its efficient and environmentally friendly natures.In order to obtain a high efficiency in practical application,efficient photocatalyst... Photocatalytic method has been intensively explored for Cr(VI)reduction owing to its efficient and environmentally friendly natures.In order to obtain a high efficiency in practical application,efficient photocatalysts need to be developed.Here,ZnIn2S4/SnS2 with a three-dimensional(3D)heterostructure was prepared by a hydrothermal method and its photocatalytic performance in Cr(VI)reduction was investigated.When the mass ratio of SnS2 to ZnIn2S4 is 1:10,the ZnIn2S4/SnS2 composite exhibits the highest photocatalytic activity with 100%efficiency for Cr(VI)(50 mg/L)reduction within 70 min under visible-light irradiation,which is much higher than those of pure ZnIn2S4 and SnS2.The enhanced charge separation and the light absorption have been confirmed from the photoluminescence and UV-vis absorption spectra to be the two reasons for the increased activity towards photocatalytic Cr(VI)reduction.In addition,after three cycles of testing,no obvious degradation is observed with the 3D heterostructured ZnIn2S4/SnS2,which maintains a good photocatalytic stability. 展开更多
关键词 ZnIn2S4/SnS2 3D heterostructure Photocatalytic Cr(VI)reduction Visible-light response Charge separation Photocatalytic stability
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