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SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜与SnO_2单层薄膜特性差异的研究
被引量:
4
1
作者
马晓翠
阎大卫
邹慧珠
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第7期423-429,共7页
用等离子体化学气相淀积法制备的SnO_2/Fe_2O_3多层膜的一些电学特性和气敏特性不同于SnO_2单层膜.当SnO_2层的沉积时间很短时,多层膜在空气中及在敏感气氛中的电导随沉积时间的增加而下降.多层膜的响应及恢复时间也呈现一些反常的变化...
用等离子体化学气相淀积法制备的SnO_2/Fe_2O_3多层膜的一些电学特性和气敏特性不同于SnO_2单层膜.当SnO_2层的沉积时间很短时,多层膜在空气中及在敏感气氛中的电导随沉积时间的增加而下降.多层膜的响应及恢复时间也呈现一些反常的变化.本文提出一个包括过渡层在内的模型用以解释这些现象.过渡层可在沉积过程中产生,存在于SnO_2与Fe_2O_3界面附近,其厚度达30nm数量级.
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关键词
sno/feo
多层薄膜
sno
单层薄膜
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职称材料
题名
SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜与SnO_2单层薄膜特性差异的研究
被引量:
4
1
作者
马晓翠
阎大卫
邹慧珠
机构
吉林大学电子科学系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第7期423-429,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
用等离子体化学气相淀积法制备的SnO_2/Fe_2O_3多层膜的一些电学特性和气敏特性不同于SnO_2单层膜.当SnO_2层的沉积时间很短时,多层膜在空气中及在敏感气氛中的电导随沉积时间的增加而下降.多层膜的响应及恢复时间也呈现一些反常的变化.本文提出一个包括过渡层在内的模型用以解释这些现象.过渡层可在沉积过程中产生,存在于SnO_2与Fe_2O_3界面附近,其厚度达30nm数量级.
关键词
sno/feo
多层薄膜
sno
单层薄膜
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜与SnO_2单层薄膜特性差异的研究
马晓翠
阎大卫
邹慧珠
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991
4
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