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掺杂Y2O3制备高非线性和低泄漏电流的SnO2压敏电陶瓷 被引量:1
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作者 范少华 赵洪峰 +2 位作者 梁温馨 康加爽 谢清云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期12180-12183,12197,共5页
SnO2压敏陶瓷是一种新型的高非线性、高梯度压敏陶瓷。它在酸性和碱性环境中都有良好的稳定性,这使得它非常适合户外工作。但目前SnO2压敏电阻的综合性能还不能与主流的ZnO压敏电阻相媲美,特别是在非欧姆特性方面还需要更进一步提高。在... SnO2压敏陶瓷是一种新型的高非线性、高梯度压敏陶瓷。它在酸性和碱性环境中都有良好的稳定性,这使得它非常适合户外工作。但目前SnO2压敏电阻的综合性能还不能与主流的ZnO压敏电阻相媲美,特别是在非欧姆特性方面还需要更进一步提高。在以SnO2·CoO·Nb2O5·Cr2O3的基础配方上通过添加不同含量的Y2O3,用传统工艺烧结来探究综合性能更加优异的SnO2压敏电阻。并通过对样品进行扫描电镜(SEM)、电流-电压(E-J)、电容-电压(C-V)、X射线衍射等的测量,研究SnO2压敏电阻电学特性的形成机理。结果表明,当加入0.02mol%Y2O3时,样品的电学性能最好(电压梯度为763V/mm,漏电流为10.31μA/cm^2,非线性系数为47.5)。本研究对探索高非线性、低泄漏电流的SnO2变阻器具有重要的参考价值。 展开更多
关键词 sno2压敏电阻 微观结构 致密陶瓷 非欧姆特性 肖特基势垒
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SnO2压敏陶瓷掺杂MnO2的制备和性能研究 被引量:1
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作者 梁温馨 赵洪峰 +3 位作者 康加爽 王昊 周远翔 谢清云 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第6期810-813,819,共5页
采用MnO2部分替代ZnO的方法固相烧结制备了SnO2-ZnO-Ta2O5基压敏陶瓷。研究了Zn,Mn共同掺杂对SnO2微观结构和电学性能的影响,发现少量Mn的替代掺杂可以改善SnO2压敏陶瓷的非线性并显著提高其电压梯度。当MnO2的摩尔分数为0.25%时,样品... 采用MnO2部分替代ZnO的方法固相烧结制备了SnO2-ZnO-Ta2O5基压敏陶瓷。研究了Zn,Mn共同掺杂对SnO2微观结构和电学性能的影响,发现少量Mn的替代掺杂可以改善SnO2压敏陶瓷的非线性并显著提高其电压梯度。当MnO2的摩尔分数为0.25%时,样品的非线性达到了21.37,电压梯度为422 V/mm,泄漏电流为72.12μA/cm^2。造成这种变化的主要原因是Mn补充了SnO2晶格中ZnO原有的不溶部分,通过固溶反应产生了受主缺陷离子Mn″Sn,增大了受主浓度,促进了势垒的形成。同时,Mn在SnO2晶格中的溶解度较低,容易在晶界层析出,阻碍晶粒生长,增加了电压梯度。 展开更多
关键词 sno2压敏陶瓷 泄漏电流 电压梯度 微观结构 肖特基势垒
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SnO_2-Sb_2O_3基压敏陶瓷致密化及脉冲电流耐受特性 被引量:2
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作者 卢振亚 黄欢 吴建青 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期841-844,共4页
实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响.研究结果表明,TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化,根据XRD图谱分析结果,Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相,TiO2则固溶于SnO2晶相;Sb... 实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响.研究结果表明,TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化,根据XRD图谱分析结果,Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相,TiO2则固溶于SnO2晶相;Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化;复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力.获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品,其压敏电压V1mA约为350V/mm,非线性系数α达到50,漏电流小于5μA,并且在8/20μs脉冲电流冲击试验中,φ14mm的样品能够经受2kA的脉冲峰值电流. 展开更多
关键词 sno2压敏电阻 致密化 耐电流冲击特性
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SnO_2基压敏陶瓷的阻抗谱的研究 被引量:4
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作者 张楼英 徐国跃 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第12期22-23,26,共3页
研究了掺CoO、Nb2O5、La2O3的SnO2基压敏陶瓷,在25~300℃范围内的电特性.用尼奎斯特图表示了阻抗数据,结果表明:制备的样品有2个时间常数,分别代表两种激活能,一个在低频,一个在高频.这些激活能与晶界氧的吸附及氧与晶粒边界的作用有关... 研究了掺CoO、Nb2O5、La2O3的SnO2基压敏陶瓷,在25~300℃范围内的电特性.用尼奎斯特图表示了阻抗数据,结果表明:制备的样品有2个时间常数,分别代表两种激活能,一个在低频,一个在高频.这些激活能与晶界氧的吸附及氧与晶粒边界的作用有关,在晶界吸附的O′和O〞作为受主态,有利于形成肖特基势垒. 展开更多
关键词 二氧化锡基压敏陶瓷 阻抗谱 晶粒边界 肖特基势垒 电特性 激活能
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TiO_2掺杂导致的SnO_2压敏陶瓷晶粒尺寸效应 被引量:3
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作者 明保全 王矜奉 +3 位作者 陈洪存 苏文斌 臧国忠 高建鲁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期20-22,27,共4页
研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻... 研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻抗最大。随TiO2掺杂量的增加晶粒逐渐变小,晶粒尺寸的减小归因于未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的TiO2阻碍相邻SnO2晶粒融合。为了解释SnO2-Co2O3-Nb2O5-TiO2系电学非线性性质的根源,对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正。 展开更多
关键词 压敏材料 二氧化锡 电学性能 晶粒尺寸 缺陷势垒模型 TiO2掺杂 sno2
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压敏陶瓷研究的最新发展 被引量:3
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作者 范积伟 刘向洋 +2 位作者 赵慧君 张小立 张振国 《中原工学院学报》 CAS 2012年第3期29-33,共5页
根据本研究组在压敏陶瓷材料方面的研究成果,结合有关文献报道,对国内外压敏材料研究的最新发展状况作了简述,指出随着科学技术的飞速发展,各种压敏材料和压敏元器件的研发都取得了很大进展.近年来国外ZnO压敏材料的新发展和新应用以及... 根据本研究组在压敏陶瓷材料方面的研究成果,结合有关文献报道,对国内外压敏材料研究的最新发展状况作了简述,指出随着科学技术的飞速发展,各种压敏材料和压敏元器件的研发都取得了很大进展.近年来国外ZnO压敏材料的新发展和新应用以及新型SnO2压敏材料的显著进展,应引起国内业界的关注. 展开更多
关键词 压敏陶瓷 ZNO sno2 压敏电阻
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半导体SnO_2掺杂改性研究示例 被引量:1
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作者 杨雪 张跃 +1 位作者 李明 胥佳颖 《大学物理实验》 2019年第2期18-21,共4页
通过烧结法和溶胶凝胶法分别获得ZnO掺杂和Fe掺杂的SnO_2材料,分析2种掺杂对半导体SnO_2结构和性能的影响。实验结果表明,适量的ZnO掺杂可以提高材料的烧结性能;同时,在一定掺杂浓度下材料的的非线性系数和压敏电压均随温度升高先增大... 通过烧结法和溶胶凝胶法分别获得ZnO掺杂和Fe掺杂的SnO_2材料,分析2种掺杂对半导体SnO_2结构和性能的影响。实验结果表明,适量的ZnO掺杂可以提高材料的烧结性能;同时,在一定掺杂浓度下材料的的非线性系数和压敏电压均随温度升高先增大后减小;在1 450℃烧结的掺入0.5 mol%ZnO的材料烧结性最好,非线性系数最高,压敏电压最大;另一方面,Fe掺杂降低了SnO_2纳米颗粒的结晶度;溶胶凝胶后经水热法制备的样品随Fe掺杂浓度增加的变化缓慢,样品更稳定。 展开更多
关键词 sno2 掺杂 非线性系数 压敏电阻 结晶度 稳定性
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SnO_2基压敏陶瓷的阻抗-相角关系研究
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作者 张楼英 徐国跃 蔡绍 《电子元器件应用》 2004年第4期54-56,共3页
研究了掺CoO、Nb2O5、La2O3的SnO2基压敏陶瓷,用阻抗相角图表明了阻抗数据,结果表明,在所测的压敏陶瓷中,其晶粒边界处有不同的缺陷。主要的载流子是O′和0″。LaSn′的作用是促进O′和O″缺陷的形成,它对在晶粒边界区接触面处势垒的形... 研究了掺CoO、Nb2O5、La2O3的SnO2基压敏陶瓷,用阻抗相角图表明了阻抗数据,结果表明,在所测的压敏陶瓷中,其晶粒边界处有不同的缺陷。主要的载流子是O′和0″。LaSn′的作用是促进O′和O″缺陷的形成,它对在晶粒边界区接触面处势垒的形成起了决定性作用。 展开更多
关键词 sno2基压敏陶瓷 晶粒边界 阻抗 相位
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SnO_2与ZnO压敏电阻特性比较分析 被引量:5
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作者 张鹏 张枨 +1 位作者 鞠晓雨 李祥超 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期23-26,共4页
采用电子扫描显微镜对SnO2压敏电阻和ZnO压敏电阻内部结构进行了综合比较,并结合离子迁移理论,利用冲击发生器和热稳定仪器进行了大量实验,结果表明:SnO2压敏电阻较ZnO压敏电阻内部相态更简单、结构更均匀,在冲击老化和工频老化中表现更... 采用电子扫描显微镜对SnO2压敏电阻和ZnO压敏电阻内部结构进行了综合比较,并结合离子迁移理论,利用冲击发生器和热稳定仪器进行了大量实验,结果表明:SnO2压敏电阻较ZnO压敏电阻内部相态更简单、结构更均匀,在冲击老化和工频老化中表现更好;在大电流冲击时,SnO2压敏电阻的残压远远高于ZnO压敏电阻,这一缺陷限制了其在低压浪涌防护中的应用,因此今后在如何减低SnO2压敏电阻的残压方面还有待更加深入的研究。 展开更多
关键词 压敏电阻 sno2 ZNO 老化 残压
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氧化锡压敏电阻特性分析 被引量:7
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作者 魏乔苑 何金良 胡军 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期629-633,共5页
SnO2压敏陶瓷是一种新型压敏电阻材料,具有良好的非线性特性。传统的ZnO压敏陶受微观结构的限制,其温度稳定性和老化问题仍有待改善。为此,综合比较了SnO2压敏陶瓷和传统ZnO压敏陶瓷的微观结构、热力学性质和电气性能。结果表明,相比Zn... SnO2压敏陶瓷是一种新型压敏电阻材料,具有良好的非线性特性。传统的ZnO压敏陶受微观结构的限制,其温度稳定性和老化问题仍有待改善。为此,综合比较了SnO2压敏陶瓷和传统ZnO压敏陶瓷的微观结构、热力学性质和电气性能。结果表明,相比ZnO压敏陶瓷,SnO2压敏陶瓷具有掺杂量少,由氧化物挥发导致的掺杂损失小,以及热导率高等优点,使得其在结构均匀性、晶界有效性、热稳定性和老化特性方面表现更好。对于在电力系统避雷器中的应用,SnO2压敏陶瓷具有很大的发展潜力。 展开更多
关键词 sno2 ZnO 压敏陶瓷 热力学性质 破坏特性 电气性能 老化特性
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Sn掺杂对ZnO压敏变阻器电学性能的影响
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作者 杨明珠 牟海维 吕树臣 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期149-152,共4页
本文采用沉淀法以SnCl2.H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器。分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响。随着SnO2含量的增加,漏电流和压敏电压明显增大;而非线性系数在SnO2掺杂量达到3.0 mol%时达到极大值。通过适当的掺杂,得到了漏电流为0... 本文采用沉淀法以SnCl2.H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器。分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响。随着SnO2含量的增加,漏电流和压敏电压明显增大;而非线性系数在SnO2掺杂量达到3.0 mol%时达到极大值。通过适当的掺杂,得到了漏电流为0.08μA,非线性系数为80.3,压敏电压为1006.7 V1mA/mm性能良好的ZnO变阻器。 展开更多
关键词 ZNO变阻器 Sn掺杂 电性能
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SnO_2/Zn_2SnO_4复合陶瓷的压敏性质研究
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作者 张运强 张华 王改民 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期26-29,共4页
采用固相反应法制备了Zn2SnO4粉体,通过传统陶瓷制备工艺获得了致密的SnO2/Zn2SnO4复合陶瓷,研究了不同SnO2、Zn2SnO4复合比例对陶瓷压敏性质的影响。结果表明,当Zn2SnO4的比例为15%时,该复合陶瓷的非线性系数和压敏电压分别达到最大值... 采用固相反应法制备了Zn2SnO4粉体,通过传统陶瓷制备工艺获得了致密的SnO2/Zn2SnO4复合陶瓷,研究了不同SnO2、Zn2SnO4复合比例对陶瓷压敏性质的影响。结果表明,当Zn2SnO4的比例为15%时,该复合陶瓷的非线性系数和压敏电压分别达到最大值3.4和最小值17V/mm。另外,随着Zn2SnO4含量的变化,样品的压敏电压、介电常数分别与晶粒尺寸的变化规律一致和相反,这表明,晶粒大小是影响样品介电性质的重要因素。进一步研究发现,样品的晶界势垒高度仅为0.5ev左右,这可能是SnO2/Zn2SnO4复合陶瓷材料具有低压压敏性质的重要原因。 展开更多
关键词 sno2 复合陶瓷 压敏电阻材料 肖特基势垒
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掺锡氧化锌变阻器的制备和性能研究
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作者 杨明珠 吕树臣 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2006年第2期48-52,共5页
本文采用液相沉淀法以SnC l2.H2O代替SbC l3制备了ZnO(含有5%的B i,Mn,Co,Sn)变阻器.通过SEM和XRD技术确定了我们制备的ZnO基变阻器的晶相及其分布情况,结果表明微观结构包括ZnO主相,Zn2SnO4尖晶石相和富B i2O3相.分析了SnO2对变阻器电... 本文采用液相沉淀法以SnC l2.H2O代替SbC l3制备了ZnO(含有5%的B i,Mn,Co,Sn)变阻器.通过SEM和XRD技术确定了我们制备的ZnO基变阻器的晶相及其分布情况,结果表明微观结构包括ZnO主相,Zn2SnO4尖晶石相和富B i2O3相.分析了SnO2对变阻器电性能的影响.当SnO2含量增加时,漏电流明显增大;而非线性系数只对低浓度的SnO2有明显的依赖关系,且存在一个使非线性系数达到极值的临界浓度(1.0 mol%).SnO2的含量对压敏电压没有明显的影响.添加适当含量的B i2O3会提高变阻器的电性能,而过量时则会使变阻器性能劣化.我们得到了漏电流为0.34 A,非线性系数为62,压敏电压为1063V1 mA/mm性能良好的变阻器. 展开更多
关键词 ZNO变阻器 掺杂sno2 微观结构 压敏电压
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Dependence of residual voltage ratio behavior of SnO_2-based varistors on Nb_2O_5 addition
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作者 WEI QiaoYuan HE JinLiang HU Jun 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2011年第6期1415-1418,共4页
SnO2-based varistor samples doped with Co2O3,Nb2O5 and Cr2O3 were prepared by ball-mixed oxide method.The microstructure,nonlinear I-V characteristic and surge current performances of these samples were investigated.T... SnO2-based varistor samples doped with Co2O3,Nb2O5 and Cr2O3 were prepared by ball-mixed oxide method.The microstructure,nonlinear I-V characteristic and surge current performances of these samples were investigated.This paper mainly focused on the dependence of the residual voltage ratio behavior of SnO2-based varistors on Nb2O5 addition,different factors influencing the residual voltage ratio in different concentration of Nb2O5 were analyzed.The Nb2O5 addition influences its residual voltage ratio by changing the grain size,forming defects(especially the free electrons) and cumulative effect.The measured results indicated that the optimally obtained sample with 0.07mol% Nb2O5 possesses the lowest residual voltage ratio of 1.86,the corresponding nonlinear coefficient and the threshold electric field are 42.6 and 364.6 V/mm,respectively. 展开更多
关键词 sno2-based varistor NB2O5 residual voltage ratio
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微量Bi_2O_3对ZnVSnO基压敏陶瓷显微结构和电学非线性的影响 被引量:3
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作者 赵鸣 吴晓亮 +2 位作者 李海松 王聚云 张锰 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期459-462,472,共5页
采用传统混合氧化物工艺在800℃经4小时烧结制备了0.01-0.2mol%Bi2O3掺杂的ZnO-V2O5-SnO2(ZnVSnO)基压敏陶瓷,采用电子天平、SEM、XRD和I-V测试仪研究了其密度、显微结构和电性能随Bi2O3含量的变化。结果表明:随Bi2O3含量升高,ZnVSnO基... 采用传统混合氧化物工艺在800℃经4小时烧结制备了0.01-0.2mol%Bi2O3掺杂的ZnO-V2O5-SnO2(ZnVSnO)基压敏陶瓷,采用电子天平、SEM、XRD和I-V测试仪研究了其密度、显微结构和电性能随Bi2O3含量的变化。结果表明:随Bi2O3含量升高,ZnVSnO基陶瓷密度变化不大,相对密度均超过了98%;样品均由ZnO主晶相和少量的Zn2SnO4、Bi2Sn2O7第二相组成,但平均晶粒直径从2.13μm降到1.54μm,样品的压敏场强和非线性系数随之升高。当Bi2O3掺杂量为0.2mol%时样品性能最优,其压敏场强、非线性系数和漏电流密度分别为2842V/mm、51.2和0.0925mA/cm2。 展开更多
关键词 ZnO—V2O5-sno2基压敏陶瓷 BI2O3 显微结构 电学非线性
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