喷雾热解法制备SnO2：Sb＋F透明导电薄膜

采用溶胶-凝胶与喷雾热解相结合的方法，在大面积浮法玻璃基板上制备出了SnO2：Sb＋F透明导电薄膜，研究了F／Sn比例、基板温度与SnO2薄膜的结构、形貌、光电性能的关系。实验结果表明：在溶胶的Sn：Sb：F比例为1：0．04：0.5和基板温度550℃的条件下，制备的SnO2：Sb＋F薄膜具有最佳的导电性能及较高的透光率，薄膜方阻达25Ω／□，电阻率为7．5×10^-4Ω·cm，平均可见光透过率为77．4％，辐射率e=0．208，表现出了较好的低辐射性。

采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究

以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。

喷雾热解法制备SnO_2∶F+Sb薄膜的结构及性能研究

采用喷雾热解法在玻璃基板上制备了SnO2∶F+Sb薄膜,对薄膜的结构及性能进行了研究。用STM对薄膜表面进行表征,发现薄膜表面光滑平整,粗糙度Ra为16.283nm。四探针测试仪测定薄膜方阻为60Ω/□,电阻率为2.1×10-3Ω.cm。用XRD表征薄膜结构,薄膜为四方相多晶SnO2结构,说明掺杂没有该变薄膜结构。对薄膜的光学性能进行了测试,可见光透过率达到80%,在2500nm处的中远红外区反射率由镀膜前的6%上升到36%。按国家标准测试了镀膜玻璃耐酸碱稳定性,实验前后薄膜的可见光透过率变化<3%,符合国家标准。同时本研究还对镀膜玻璃的保温性能进行了测试,结果表明本实验制备的镀膜玻璃具有较好的保温性能。