ZnO-Nb_2O_5掺杂SnO_2基陶瓷研究

通过常压烧结制备SnO2基陶瓷,研究了ZnO、Nb2O5单掺杂及ZnO-Nb2O5复合掺杂对SnO2基陶瓷的烧结性能及电阻率的影响。采用SEM及XRD对试样分别进行了微观结构观察及物相分析。研究表明,掺杂ZnO能提高陶瓷的体积密度,但对于降低电阻率的影响不明显,当ZnO掺杂量在0.5%～0.75%(质量分数)时,SnO2基体积密度可达到6.67～6.73g/cm3;掺杂Nb2O5不能有效提高烧成陶瓷的体积密度,但能显著降低SnO2基陶瓷的电阻率;0.5%(质量分数)ZnO～1.5%(质量分数)Nb2O5复合掺杂在1450℃下烧成的陶瓷可得到较好的性能,其体积密度可达到6.61g/cm3,常温电阻率为867.84Ω.cm。

La_2O_3掺杂对SnO_2基陶瓷显微结构与电阻率的影响

以La2O3作掺杂剂,制备了La2O3掺杂的SnO2陶瓷。采用XRD、SEM以及其它测试手段对该陶瓷进行测试。结果表明:掺入适量的La2O3能够降低SnO2基陶瓷电阻率,促进SnO2晶相的形成和生长,对SnO2基陶瓷的致密化起到良好的作用。

掺杂SnO_2基导电陶瓷的制备及性能研究

以氧化锡(SnO_2)、五氧化二铌(Nb_2O_5)和三氧化二锑(Sb_2O_3)粉末为原料,通过无压固相烧结技术制备了SnO_2基导电陶瓷,研究了Nb_2O_5单掺杂及Nb_2O_5-Sb_2O_3双掺杂SnO_2基陶瓷的电导率和热膨胀性。采用X射线衍射仪对试样物相结构进行了表征。研究发现,当Nb_2O_5掺杂量为14%(摩尔分数,下同)时,SnO_2基陶瓷800℃的电导率达10.51S/cm;在此基础上,当Sb_2O_3添加量为2%时,500℃的电导率达1.61S/cm。SnO_2-Nb_2O_5基陶瓷的热膨胀系数随Nb_2O_5掺杂量的增加而降低,Sb_2O_3的添加使SnO_2基陶瓷的热膨胀系数增大。X射线衍射仪分析结果表明,Nb_2O_5能均匀分布在SnO_2粉末中,形成稳定的固溶体;Sb_2O_3的添加不利于Nb_2O_5形成稳定的固溶体。

SnO_2基压敏陶瓷的烧结

通过对影响SnO_2基压敏陶瓷的烧结添加剂CoO,Cr_2O_3,Nb_2O_5,Ta_2O_5,La_2O_3等化合物以及不同烧结工艺条件对SnO_2密度的影响的研究,给出了添加剂的影响结果,并对其进行了理论解释;对烧结工艺条件进行探索,分析其结果,并给出相应的理论解释。为SnO_2基压敏陶瓷烧结的进一步研究提供了依据。

SnO_2基压敏陶瓷的阻抗-相角关系研究

研究了掺CoO、Nb2O5、La2O3的SnO2基压敏陶瓷,用阻抗相角图表明了阻抗数据,结果表明,在所测的压敏陶瓷中,其晶粒边界处有不同的缺陷。主要的载流子是O′和0″。LaSn′的作用是促进O′和O″缺陷的形成,它对在晶粒边界区接触面处势垒的形成起了决定性作用。