不同锡硫配比及热处理参数对SnxSy薄膜结构特性的影响

真空热蒸发法制备纳米SnxSy薄膜。在玻璃衬底制备好的薄膜利用不同的热处理工艺条件对其进行热处理,可得到晶相结构性能良好的纳米SnxSy多晶薄膜。研究发现不同锡硫摩尔配比的混合蒸发粉末对合成SnxSy薄膜有较大的影响。当混合粉末中锡硫摩尔配比为1:0.8制备的薄膜,在氮气气氛下进行热处理,热处理条件为T=330℃,t=40 min时,可得到P型SnS薄膜,其微观结构良好、且沿(021)晶向择优生长,属正交晶系,晶粒尺寸约为62.17 nm。当混合粉末中锡硫摩尔配比为1:1.2制备的薄膜,热处理温度为430℃在氮气保护下热处理40 min,可获得Sn2S3薄膜,导电类型为N型,并且晶相结构良好,也属正交晶系,其晶粒尺寸约为60.37 nm。当混合粉末中锡硫摩尔配比为1:1.5时,同样热处理温度为430℃在氮气保护气氛中热处理40 min,可获得SnS2薄膜,其结构性能良好,导电类型为N型,属六角晶系,其晶粒尺寸约77.07 nm。能谱分析给出,Sn2S3薄膜化学计量偏离标准化学计量比稍大,SnS,SnS2薄膜化学计量与标准化学计量比比较接近.

硫化温度和时间对Sn_xS_y薄膜结构和成分的影响

用热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层sn薄膜，在真空条件下，将其在150～300℃下硫化30．60min．对在不同温度和时间下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析，结果表明：在不同温度和不同时间下硫化，所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异．当硫化温度为240℃、硫化时间为45min时，所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜，其均匀性、致密性以及对基片的附着力都较好，具有（111）方向优先生长，薄膜粒径在200～800nm，且晶格常数与标样的数值吻合很好．

硫化温度对Sn_xS_y薄膜光电性能的影响

用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,分别在硫化温度为210,240和270℃的条件下硫化45min。研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响。结果显示:随着硫化温度的升高,其电阻率减小;但薄膜导电类型不受硫化温度的影响,都为p型。当硫化温度为240℃时,薄膜为斜方SnS多晶薄膜,沿{111}方向优先生长,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,薄膜粒径为200～800nm,薄膜的直接能带间隙为1.46eV,电阻率为25.54Ω·cm。