基于March C+算法的Memory BIST设计与实现

随着信息技术的发展,设计越来越复杂,嵌入式存储器在SoC芯片面积中所占的比例越来越大,由于本身单元密度很高,嵌入式存储器容易造成硅片缺陷,降低了芯片的成品率.针对投影仪梯形校正项目嵌入的存储器模块存在的故障等问题,讨论了基于M arch C+算法的B IST的设计与实现,并对B IST进行改进,完成对存储器故障的检测和定位,整个测试故障覆盖率接近100%、测试时间为35.546 m s.

SoC嵌入式flash存储器的内建自测试设计

深亚微米技术背景下,嵌入式存储器在片上系统芯片(system-on-a-chip,SoC)中占有越来越多的芯片面积,嵌入式存储器的测试正面临诸多新的挑战。本文论述了两种适合SoC芯片中嵌入式flash存储器的内建自测试设计方案。详细讨论了专用硬件方式内建自测试的设计及其实现,并且提出了一种新型的软硬协同方式的内建自测试设计。这种新型的测试方案目标在于结合专用硬件方式内建自测试方案并有效利用SoC芯片上现有的资源,以保证满足测试过程中的功耗限制,同时在测试时间和芯片面积占用及性能之间寻求平衡。最后对两种方案的优缺点进行了分析对比。

SoC嵌入式存储器内建自修复方法

嵌入式存储器的内建自测试及修复是提高SoC芯片成品率的有效办法。详细描述了存储器良率的评估方法,提出了一种基于Mentor公司Tessent工具的存储器修复结构。该结构采用了冗余修复及电可编程熔丝eFuse硬修复的方法,具有很好的通用性及可行性,已多次应用在实际项目中。

SoC中存储器测试技术的研究

随着集成电路规模的不断扩大,基于IP核复用的SoC设计技术被广泛应用,但是由于IP核的来源不同,使得SoC的测试变得越来越困难。IEEE Std 1500给IP核提供商与用户之间提供了标准的测试接口,简化核测试信息的复用。文章基于此标准设计了SoC中存储器的Wrapper测试壳结构和BIST控制器,以DRAM和SRAM为测试对象进行验证,结果表明了在不同测试指令和故障模式下,测试壳和控制器的有效性。

嵌入式闪存器件技术进展

首先介绍了嵌入式闪存器件的基本工作原理,并根据具体的技术特点和应用整理归纳出了嵌入式闪存器件的三种主流单元结构:单晶体管器件结构、分裂栅器件结构和选择晶体管加存储晶体管的两管器件结构,然后详细分析和比较了这三种器件结构的优缺点。接着进一步重点介绍嵌入式闪存器件近年来的最新发展,列举了传统浮栅器件在65 nm技术代的先进解决方案,并讨论了融合分立电荷陷阱存储概念的新型SONOS和纳米晶存储技术,介绍了该类型技术较之传统浮栅结构的突出优势以及目前的研究进展。最后,对嵌入式闪存技术在32 nm以下节点将遭遇的瓶颈以及进一步发展方向进行分析和展望,给出了可能的解决方案。

嵌入式与独立存储器设计上的差异分析和研究

进入21世纪,随着集成电路的发展,SoC(System on Chip)片上系统应运而生。而作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器,在SoC中所占的比重正逐步增加,并起着越来越重要的作用,那么嵌入式存储器与独立的存储器芯片在设计上存在着哪些差异?对此本文将以NOR型闪存为例在制造工艺的选取、衍生产品的设计、功耗与噪声、后端功能仿真、测试与修复等方面进行分析和研究。