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化学法制备的PTCR型(Sr,Pb)TiO_3半导体陶瓷
被引量:
1
1
作者
王德君
郭或淳
+1 位作者
桂治轮
李龙土
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1997年第4期269-272,共4页
采用化学共沉淀法制备(Sr1-xPbx)TiO3粉末,在60~220°C间获得了五种居里温度的PTCR型(Sr,Pb)TiO3陶瓷。实验结果表明,材料室温电阻率低于20Ωcm,升阻比高于105.5。文中还给出了(...
采用化学共沉淀法制备(Sr1-xPbx)TiO3粉末,在60~220°C间获得了五种居里温度的PTCR型(Sr,Pb)TiO3陶瓷。实验结果表明,材料室温电阻率低于20Ωcm,升阻比高于105.5。文中还给出了(Sr,Pb)TiO3铁电体的四方→立方相转变温度(居里温度)、晶胞参数等一系列随Pb/Sr比变化的材料性质。
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关键词
钛酸锶铅
化学共沉淀法
PTCR型
半导体陶瓷
下载PDF
职称材料
题名
化学法制备的PTCR型(Sr,Pb)TiO_3半导体陶瓷
被引量:
1
1
作者
王德君
郭或淳
桂治轮
李龙土
机构
清华大学材料科学与工程系
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1997年第4期269-272,共4页
文摘
采用化学共沉淀法制备(Sr1-xPbx)TiO3粉末,在60~220°C间获得了五种居里温度的PTCR型(Sr,Pb)TiO3陶瓷。实验结果表明,材料室温电阻率低于20Ωcm,升阻比高于105.5。文中还给出了(Sr,Pb)TiO3铁电体的四方→立方相转变温度(居里温度)、晶胞参数等一系列随Pb/Sr比变化的材料性质。
关键词
钛酸锶铅
化学共沉淀法
PTCR型
半导体陶瓷
Keywords
sol gel method
,
li 2b 4o 7
,
thin film
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
TQ174.756 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
化学法制备的PTCR型(Sr,Pb)TiO_3半导体陶瓷
王德君
郭或淳
桂治轮
李龙土
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1997
1
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