溶胶-凝胶(sol-gel)法制作掺铒Al_2O_3薄膜及其光致发光光谱特性测量

介绍一种用溶胶 凝胶方法制作掺铒Al2 O3薄膜的工艺 实验测量了薄膜样品的光致发光光谱特性 结果表明光致发光光谱的峰值波长为 1.5 36 μm ,半值宽度为 34nm ;同时测量了光致发光光谱的峰值强度与泵浦功率。

Sol-Gel法制备木材功能性改良用SiO_2凝胶

以正硅酸乙酯（TEOS）原料，HCl／HF混合酸为水解催化剂，研究应用于木材功能性改良的SiO2凝胶的制备工艺条件。所配制3种反应溶液的TEOS／EtOH／H2O比例分别为FU1=1．00：15．35：7．45，FU2=1．00：5．43：10．10，FU3=1．00：5．47：5．77，HCl／HF摩尔比分别为0．02／0．01、0．02／0．04和0．02／0．06，可在120min左右得到醇凝胶。将醇凝胶在-21℃条件下陈化1～3d后，在12h内自然升温至室温，24h内置于超临界流体中进行干燥单元操作，可以得到适合木材功能性改良用并具有纳米结构的SiO2气凝胶。

sol-gel法制备纳米TiO_2-SiO_2宽带高增透膜

通过模拟计算设计出一种透射比为99%、包含一层TiO2薄膜和一层SiO2薄膜的宽带高增透膜。两层薄膜均由溶胶-凝胶法制得并采用提拉法成形于玻璃基片上。对增透膜样品的透射比、表面形貌、膜厚等进行了表征,考察了提拉速度、退火温度、催化条件等对其透射比、表面均匀性的影响。结果表明:增透膜的使用提高了玻璃基片的透射比;当提拉速度为9cm/min,增透膜厚约为255nm时,基片在400～800nm波段的透射比提高了7%。控制退火温度,可以使增透膜在某些波段的透射比增强。增透膜样品的表面均匀性良好,室温下膜层的均方根表面粗糙度(RMS)为1.682,平均粗糙度(RA)为1.208,在550℃的温度以下,随着退火温度升高,表面粗糙度降低。

sol-gel法制备ZnFe_2O_4及其NO_2气敏性能的研究

采用sol-gel法制备了尖晶石结构的ZnFe2O4粉体,以其为电极材料在钇稳氧化锆陶瓷片(YSZ)上利用丝网印刷技术制备了片式NO2传感器,并对传感器在不同NO2浓度和不同温度下的输出电动势E和响应时间进行了研究。结果显示:在φ(NO2)为(68～494)×10–6范围内,E随着NO2浓度的增大而增大,并与NO2浓度的对数呈现良好的线性关系。在600℃高温时,传感器上升和下降响应时间分别为60和120s,且重复性较好。但随着工作温度的升高,传感器的灵敏度下降。

Sol-gel法制备多铁性Bi_(0.85)Eu_(0.15)FeO_3薄膜及其性能

采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi0.85Eu0.15FeO3薄膜。研究了退火温度对其晶相形成的影响,发现在较低温度退火(450℃)时,Bi0.85Eu0.15FeO3晶相开始形成,但存在杂相,而且结晶度较差;在490～600℃可以获得结晶较好的单相Bi0.85Eu0.15FeO3薄膜。同时对经550℃退火的薄膜的介电、铁电和铁磁性能进行了研究,结果表明,Bi0.85Eu0.15FeO3薄膜具有较好的介电及铁磁性能。当测试频率为1MHz时,薄膜的介电常数和介电损耗分别为80、0.024,饱和磁化强度约为26.2emu/cm3。

Sol-gel法介孔SiO_2膜的制备工艺研究

以正硅酸乙酯为硅源,氨水为催化剂,研究了solgel法介孔SiO2膜的制备工艺,得到了制备SiO2溶胶的优化工艺条件。发现催化剂氨的浓度是影响SiO2溶胶质量的关键因素,在影响SiO2膜制备的众多因素中,溶胶pH值、溶胶浓度和成膜助剂是影响膜制备的关键因素。实验发现,在适宜的条件例如合适的pH值下,溶胶凝胶干燥过程具有自适应性,能够自动调节凝胶和干燥速度,从而使凝胶干燥过程中存在的收缩在很大程度上得到减少甚至避免。采用液液排除法对优化条件下制备的SiO2膜的孔径分布进行了表征,结果表明,在实验条件下所获得的SiO2膜的孔径分布在8.8～14.4nm。

sol-gel法制备镉掺杂铁酸镧气敏材料

研究了气敏材料的制备条件、相组成、电导和气敏性能。结果表明:固溶体La1–xCdxFeO3(0≤x≤0.15)呈典型的p型半导体。270℃操作温度下,掺杂x(Cd2+)为25%的LaFeO3材料(700℃下热处理4h)对浓度为4.5×10–5mol·dm–3的C2H5OH的灵敏度达81.5。有望开发为一类新型的酒敏传感器。

微波辐射sol-gel法制备硅铁红

探讨了微波辅助干燥工艺在sol-gel法制备硅铁红陶瓷颜料中的作用。研究结果表明,Fe2O3/SiO2的最佳合成条件为:硅/铁摩尔比为7∶1,微波辐射功率和时间分别为75%和8 min,前驱体煅烧温度和时间分别为750℃和2 h;此条件制备的Fe2O3/SiO2,其包裹率达到93.1%。

Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究

采用Sol—Gel法，结合旋转涂覆技术在Si（100）衬底上制备了ZnO：Cd薄膜，并对其在600～800℃热处理。X-射线衍射仪（XRD）结果表明，ZnO：Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构，且随着热处理温度的升高，（002）衍射峰的强度逐渐增强。峰半高宽（FWHM，ZnO（002））不断减小，并沿c轴择优取向生长；Cd掺杂后，未出现CdO或其他镉化物等杂质相，但在（002）峰-峰顶出现了分叉（多峰）现象。随着退火温度的升高，多峰消失，但这方面的报道甚少。扫描式电子显微镜（SEM）显示ZnO：Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征。以石英为基片的透射光谱实验计算表明，ZnO：Cd薄膜的禁带宽度平均为3．10eV；800℃，x（Cd）=8％样品的禁带宽度为2．80eV，比纯ZnO晶体禁带宽度（3．30eV）明显减小，这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。

Sol-Gel法制备LAS微晶玻璃的研究现状与应用进展

LAS系统微晶玻璃由于其膨胀系数低,耐高温及抗热冲击性等优异性能而受到广泛重视。主要介绍了溶胶-凝胶制备过程及在LAS系微晶玻璃上的应用,简述了LAS系微晶玻璃的应用现状。

Sol-gel法制备Al_2O_3复合膜的EPMA研究

研究采用 Sol- gel法成功地制备了一种新型的 Al2 O3- Si O2 - Ti O2 - Zr O2 复合陶瓷膜 ,其膜面平整 ,无宏观缺陷。利用电子探针微区分析 (EPMA)重点研究了膜的表面和膜与基体界面的化学成分及微观结构。并分析了修饰物添加剂对膜的形貌和性能的影响。结果表明 Ti O2 、Si O2 、Zr O2 掺杂对 Al2 O3膜起到了良好的修饰作用。

Sol-Gel法合成SiO_2-Cr_2O_3纳米粉体及性能研究

以Si(OC2H5)4、EtOH、(NH4)2Cr2O7和HNO3水溶液为原料,采用Sol-Gel法首次合成出SiO2掺杂Cr2O3纳米粉体,其中Si与Cr摩尔比为3∶1。运用FTIR、XRD、TEM、TG和BET等技术手段对其结构和性能进行了表征。结果表明:SiO2-Cr2O3纳米粉体平均粒径为47.7nm、比表面积为151.2m2.g-1。在纳米粉体中,Cr2O3为晶态、SiO2为非晶态,实现了金属氧化物/非金属氧化物在分子水平的掺杂,并发现SiO2-Cr2O3纳米粉体FTIR谱有蓝移现象,探讨了蓝移的原因和反应历程。

盐酸和甲酰胺对sol-gel法制备SiO_2凝胶性能的影响

为制备透明度高和防裂性能优良的SiO2凝胶,本文以正硅酸乙酯为硅源,乙醇和水的混合物为溶剂,采用sol-gel法制备SiO2凝胶。侧重研究了HCl和甲酰胺对生成的SiO2凝胶性能影响,利用X射线衍射仪、扫描电镜、原子能谱仪对凝胶微观结构、化学键、相结构、纯度进行测试并分析。

钛酸锶钡纳米晶及其薄膜的Sol-Gel法制备和表征

用Sol-Gel法制备了钛酸锶钡(Ba0.8Sr0.2TiO3)纳米晶,用FT-IR、XRD、TG-DTA、AFM等表征技术研究了其晶化过程.结果表明,溶胶经冰乙酸适度稀释后稳定性提高,易于制备高质量的薄膜;薄膜的晶化温度为750℃.在单晶硅基底上制备了粒径分布均匀、平均晶粒约为50nm的钛酸锶钡(Ba0.8Sr0.2TiO3)薄膜.

Sol-Gel法制备Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及其性能研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和表面形貌进行了表征,制备的BTO薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构和表面平整致密。对700℃退火的BTO薄膜进行了铁电性能和疲劳特性测试,在测试电压为6 V时,剩余极化值2Pr约为12.5μC/cm2,矫顽电场2Ec约为116.7 kV/cm;经1×109次极化反转后,剩余极化值下降了24%,对其疲劳机理进行了探讨。

Sol-gel法制备BZT铁电薄膜及其电性能的研究

Sol-gel法制备BZT铁电薄膜,用X射线衍射仪(BSX3200)和扫描电子显微镜研究了BZT的结构和表面形貌,用差热-热失重(TG-DTA)分析谱分析BZT粉体的退火工艺。测定了薄膜的电性能:薄膜不加偏压下的介电常数大约为620左右,介电损耗和调谐量分别为0.0335和48.63%。

室温下Sol-Gel法制备BiFeO_3薄膜的铁电和介电性

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在LaNiO3包覆的SiO2/Si衬底上采用不同退火工艺制备了BiFeO3薄膜。原子力显微镜研究表明,薄膜表面光滑,并由不同大小的晶粒组成。X-射线表明不同样品结晶程度不同,并根据不同的退火工艺分别呈(010)择优取向和随机取向。2种取向的薄膜的双剩余极化强度分别为2.84μC/cm2和2.56μC/cm2。择优取向的薄膜在低频下的介电常数和介电损耗较大,且其薄膜中观察到大漏电流。并对两薄膜的导电机制用空间电荷限制的电导理论进行了分析。

Sol-gel法制备LaNiO_3/Bi_4Ti_3O_(12)异质薄膜及性能研究

采用Sol-gel(溶胶-凝胶)法在Si衬底上制备LaNiO_3/Bi_4Ti_3O_(12)(LNO/BTO)叠层薄膜,并研究了不同退火温度下BTO薄膜的生长行为和铁电、介电性能。试验表明,与单晶Si直接作衬底制备的Bi_4Ti_3O_(12)薄膜相比,引入过渡层LNO降低了Bi_4Ti_3O_(12)薄膜与衬底的晶格失配度,减少了热应力和外应力,缓解了薄膜龟裂的现象,而且制备出的Ag/BTO/LNO/Si异质薄膜电容具有优良的介电性质。

快速热处理中退火温度对Sol-gel法制备PZT铁电薄膜性能的影响

利用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上用快速热处理(Rapid Thermal Processing,RTP)退火工艺制备出了致密的PZT铁电薄膜,主要研究了在退火时间为500s时退火温度对薄膜的结晶结构、表面形貌和铁电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和铁电测试仪对制备的薄膜进行了性能表征。研究结果表明,当退火温度为6000C时,PZT薄膜具有(111)择优取向,表面致密无裂纹,且具有较好的铁电性能(其饱和极化值约为30 C/cm2,剩余极化约为20 C/cm2,矫顽场约为150KV/cm)。在100KV/cm电场下,电流密度J在10-1A/cm2数量级,表明所制的PZT纳米薄膜质量较好,能承受较高的场强以达到饱和极化状态而不被击穿。

Sol-gel独立前驱单体制备PZT铁电薄膜技术

采用醋酸铅、硝酸氧锆(硝酸锆)、钛酸丁酯独立稳定的前驱单体,sol gel法旋转涂膜技术制备了PZT铁电薄膜。研究了水的添加量对溶胶形成的影响,比较了不同的溶胶浓度、膜层结构(PT/PZT/PTSandwich)及热处理工艺条件对薄膜结构、铁电性能的影响。