新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究

采用新型ｓｏｌ－ｇｅｌ技术在 Ｐｔ／Ｔｉ／ＳiO2/Si基片上制备出了厚度为 ２～６０μｍ的ＰＺＴ铁 电厚膜材料；研究了ＰＺＴ厚膜的结构及其介电、铁电性能．ＸＲＤ谱分析显示，ＰＺＴ厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构，无焦绿石相存在．ＳＥＭ电镜照片显示，ＰＺＴ膜厚均匀一致，无裂 纹、高致密．厚度为５０μｍ的ＰＺＴ厚膜的介电常数为８６０，介电损耗为０.０３，剩余极化强度 是２５μＣ／ｃｍ２．矫顽场是４０ｋＶ／ｃｍ.

新型sol-gel技术制备BST0—3型厚膜

采用传统高温固相烧结法合成了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷粉,并用高能球磨法将其细化为纳米粉,均匀分散于组分相同的BST溶胶中,形成稳定的厚膜先体溶液,而后用匀胶法制备出厚度约为6.5μm的BST厚膜。XRD测试结果表明,650℃热处理后的厚膜为单一钙钛矿相。SEM观测显示厚膜表面均匀一致,无裂纹出现。800℃热处理后的厚膜在室温、频率1kHz下相对介电常数εr和介质损耗tgδ分别为455、0.036。

复合材料领域中的纳米技术进展

纳米技术是当代制备材料的新技术 ,本文作者概要地叙述了纳米粒子的结构特征 ,并介绍了五种纳米复合材料制备技术——直接分散法、原位聚合法、前驱体法、原位插入聚合法、sol- gel技术的机理和特点 ,及所制备材料的性能 。

Sol-gel方法制备ZnO陶瓷材料的正电子寿命谱研究

利用正电子寿命谱（PAS）对Sol－gel法制备的ZnO压敏陶瓷材料进行了研究，分析了寿命参数与材料致密度和非线性系数a之间的关系，讨论了不同的烧结温度及时间对ZnO压敏特性的影响。

铁电薄膜的制备及应用技术研究

研究出具有特色的制备铁电薄膜的 sol-gel技术;制备出高质量、高可靠的 PLT、PZT、PYZT、BST”l、PbTiO3、BaTiO3、Bi4Ti3O12多晶铁电薄膜,PLT、PZT和伽里O3异质外延生长铁电薄膜;研制出铁电薄膜热释电单元红外传感器,8元、9元、1O元线列和8X8元阵列;研制出热释电火情探测器和热释电非接触式温度测试仪。

超微粒子制备技术在功能包装材料制造中的应用研究

研究了超微粒子制备技术在功能包装中的应用 ,特别是与超微粒子气相沉积技术 ,CVD合成技术 ,PVD技术以及SOL -GEL技术等结合在各种功能包装材料中的应用方法及前景。

制备功能陶瓷薄膜的Sol—Gel技术

本文论述了用Sol-Gel技术制备功能陶瓷薄膜的潜在优越性，对涉及化学方面的基本问题做了分析。用金属醇盐和无机盐为原材料，用适量的醋酸为催化剂，制备出性能良好的BaTiO3凝胶；用迥肇法成膜技术，控制每次成膜厚度，制得无裂纹的BaTiO3薄，为无定形相；经600℃以上热处理后，得到四方相BaTiO3铁电薄膜。采用不同性质的基片，可制备多晶、高度取向或外延薄膜。对薄膜的微结构和电学性能进行了分析和测试。最后指出了用Sol-Gel技术制备优质功能陶瓷薄膜尚需进一步研究的问题。

氧化锌薄膜溶胶-凝胶分析

应用sol gel技术,在普通载玻片上制备出透明的ZnO薄膜。由于醋酸锌前驱体在醇中的溶解度小,因此制备过程中,选用了质子化能很强的物质(如乙醇胺)改变了其在醇中的溶解度。本文还通过热分析、红外光谱等手段分析了不同温度下ZnO的sol gel热分解过程,并应用AFM、X射线衍射和UV Vis吸收光谱对sol gel路线制得的薄膜进行表征。实验结果表明:二水醋酸锌 单乙醇胺 异丙醇体系sol gel的热分解过程与纯二水醋酸锌过程的分解大相径庭。ZnO薄膜的sol gel的分解趋于一步完成。预处理温度对ZnO薄膜的性能有显著影响。只有通过控制试验条件,才能保证ZnO薄膜的透光率。

热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的研究

采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)技术,在Pt/Ti/SiO2/Si3N4/SiO2/Si基片上研制出具有优良热释电性能的BST,PLT和PZT铁电薄膜,它们是制备单片式非致冷红外焦平面阵列的优选探测材料。解决了制备热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的关键技术,成功研制出8元、9元、10元线列和8×8元阵列,器件电压响应率(RV)达8.6×103V/W。

0-3型(Ba_(1-x-y)Sr_xPb_y)(Mn,Ti)O_3铁电厚膜的制备与表征

铁电纳米超细粉体的合成与分散技术是成功制备0-3型铁电厚膜的关键和难点之一。采用Sol-Gel技术可制备呈球形软团聚、钙钛矿相结构完整的30nm～70nmMPBST超细粉体,以及致密无裂纹、表面光洁和铁电性能优良(Pr=3.8μC/cm2)的0-3型铁电厚膜。通过TEM、XRD、TGA-DTA、AFM等手段分析了Sol-Gel工艺的化学机制和热演化历程,结果表明:采用以乙二醇乙醚为主要溶剂的Sol-Gel技术可降低MPBST粉体/厚膜的合成温度,提高粉体均匀性和晶相结构单一性。

-AlOOH溶胶的制备和表征

以异丙醇铝为原料，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ技术制备出了稳定、具有超细胶粒和窄粒度分布的－ＡｌＯＯＨ溶胶。

Ce、V共掺杂BiFeO_3多铁薄膜及其电性能研究

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备出纯BiFeO3(BFO)和Ce、V共掺杂Bi0.97Ce0.03Fe1-xVxO3(x=0,0.01,0.02,0.03)(BCFVx)薄膜。结构和形貌测试表明,Ce、V共掺杂使得BFO薄膜发生从菱方结构到伪四方结构的转变,且薄膜晶粒变小。介电性能和漏电流测试表明,Ce、V共掺杂BFO薄膜的介电常数增大,介电损耗和漏电流密度减小。铁电性能测试表明在x=0.01时,BCFV 0.01薄膜具有较好矩形度的电滞回线,表现出较好的铁电性能。

Sb掺杂SnO_2/SiO_2纳米光学气敏薄膜的制备及其性质

采用溶胶 凝胶(sol gel)工艺制备了Sb掺杂SnO2/SiO2复合膜。通过X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外谱(FT IR)及原子力显微镜(AFM)表征了薄膜样品的物相结构与表面形貌,利用紫外 可见光谱研究了复合薄膜光学特性,利用p 偏振光双面反射法对薄膜的气敏特性进行了测试。实验结果表明,薄膜中的晶粒具有纳米尺寸(～35nm)的大小,比表面积大,孔隙率高;薄膜的透光率高,可见光波段近95%;纳米Sb:SnO2/SiO2复合膜的气敏灵敏度高于纯SnO2薄膜及Sb掺杂的SnO2薄膜。