Sol-Gel方法制备BST粉体的化学机理和晶化过程研究

以钛酸丁酯、醋酸钡、醋酸锶为原料,乙二醇甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法按Ba∶Sr=0.65∶0.35的组分要求制备了(BaxSr1-x)TiO3粉体.应用FT—IR、X射线、DTA/TGA等分析手段,研究了Sol-Gel方法制备BST粉体过程中的物理化学过程及其晶化行为.实验结果表明:在BST凝胶中,COO—部分进入了凝胶的空间网络结构,起到一种中间连接体的作用;粉体在750℃时,完全晶化.

用改进的Sol-Gel方法制备PZT铁电薄膜的化学反应历程

通过傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、1H和13C核磁共振波谱(NMR)对制备PZT铁电薄膜的Sol-Gel化学反应过程进行了分析.结果表明,采用硝酸氧锆(ZrO(NO3)2·2H2O)为锆源并使用单一溶剂制备PZT铁电薄膜,溶胶-凝胶化过程中化学反应相对简单,多组分系统稳定性较高,工艺条件易于控制,所制备的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀.

用Sol-gel化学方法生产含能材料

Sol-gel化学用于制备均匀的含能材料(炸药、推进剂和烟火药)和／或能铸成近于网络的形状,和／或加工成精确的造型粉。Sog-gel方法是一种化学合成方法。用该方法。将反应性单体混入溶液中产生聚合反应。形成一种高度交联的三维固体网络——凝胶。在溶胶形成或在凝胶加工期间加入含能材料。随后用超临界萃取干燥凝胶。制成一种多孔的低密度气溶胶，或采用缓慢蒸发，形成干凝胶(Xerogel)。在萃取时施加压力可制成高密度的材料。因此，Sog-gel方法可用于制造精确的雷管用炸药。不仅能生产精确的炸药。推进剂和烟火药，而且也能生产具有强大威力的复合含能材料。美国政府已将本发明的权力授于美国能源部，加利富尼亚大学劳伦斯·利弗莫尔国家实验室。合同号W-7405-ENG-48。

改进sol-gel技术BST薄膜的制备及性能研究

为了制备高性能BST薄膜,采用改进的溶胶 凝胶(sol gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同结构、不同组成的BST薄膜;研究了BST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能。XRD分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的薄膜材料。SEM电镜显示,含种子层的Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ3种不同类型的BST薄膜的结晶状况有很大改善。得到的BST20薄膜的介电峰温区覆盖常温段,介电常数为405,介电损耗为0.011,剩余极化强度为Pr=2.3μC·cm-2,矫顽场为Ec=45kV/cm。

Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响

为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 的溶胶中制成 .研究结果表明 :利用新型Sol Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中 ,ZnCr2 O4相在较低的Cr2 O3 添加量时出现 ,当Cr2 O3 的摩尔分数为 0 .75 %时 ,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为 7,压敏电压为 6V ,漏电流密度为 0 .7μA/mm2 .

金属/SiO_2/Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的J-V特性

采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜.测试了其在直流电场下流过铁电薄膜的漏导电流J-V特性.测量结果显示正向漏电流明显小于负向漏电流.并讨论了金属–铁电薄膜所形成的整流接触特性,以及金属/SiO2/Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜系统在不同电压范围(0～±6 V)的导电机制.

SnO_2纳米半导体颗粒的微区电子输运特性

将 sol- gel方法制备的 Sn O2 纳米颗粒涂覆在 ITO(Indium- Tin- Oxide)导电玻璃上 ,用原子力显微镜的 I- V测试功能测试其微区电特性 .结果表明 ,不同粒度的伏 -安特性曲线具有不同的双向阈值电压 ,随颗粒度的减小 ,开启电压减小 .用表面能带理论分析结果表明 ,此现象与纳米 Sn O2 颗粒度尺寸效应和氧空位有关 .

钛铝硅复合氧化物的合成及应用研究

0引言 无机以及有机排放污水对环境和生态平衡造成严重的影响.粉煤灰是热电厂排弃物,其主要组成为SiO2@Al2O3,不仅对环境造成严重的污染,而且占用大量耕地;工业有机染料污水由于不易光催化分解、残留的时间长,不及时处理将会对地球表面水造成污染,因此,寻找科学、廉价的治理方法解决面临的实际问题就显得十分重要.

纳米晶Co_(1-x)Zn_xFe_2O_4薄膜的结构、磁性及温度特性

采用sol-gel方法制备了纳米晶Co1-xZnxFe2O4（x=0-0.3）薄膜。样品的结构、磁性及表面形貌分别用X射线衍射仪（XRD）、振动样品磁强计（VSM）和原子力显微镜（AFM）进行了表征。研究结果表明,400℃退火薄膜已生成单一的尖晶石结构,且样品的晶粒尺寸较小,平均晶粒尺寸在35nm以下。Zn^2＋离子含量的增加使样品的晶格常数有少许增大。Zn^2＋离子含量对样品的磁性能有较强的影响,样品的比饱和磁化强度在Zn^2＋离子含量x=0.2时达极大值（74.3（A·m^2）/kg）。变温测量显示,样品的磁化强度随温度升高呈下降趋势。当Zn^2＋含量从零增加到0.3,居里温度从530.0℃降至341.6℃。

发光体Mg_2Y_（8－x－y）（SiO_4）_6O_2：Eu_x^（3＋），B

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法首次在比较低的温度下制备了具有氧磷灰石结构的发光体Ｍｇ２Ｙ８－ｘ－ｙ（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ，Ｂｉ（ｘ，ｙ≥０），利用ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＧ－ＤＴＡ三种手段研究了发光体的形成过程。室温（２９３Ｋ）和液氮温度（７７Ｋ）的荧光光谱表明Ｅｕ３＋和Ｂｉ３＋在这种基质中分别发射红光和蓝光，每ｍｏｌ基质中其最佳掺杂浓度分别为０．１４ｍｏｌ和０．０３ｍｏｌ，并且其发光都存在温度猝灭。Ｅｕ３＋的激光感生荧光光谱中存在两条５Ｄ０－７Ｆ０跃迁线，表明Ｅｕ３＋同时进入４ｆ格位和６ｈ格位。在Ｅｕ３＋、Ｂｉ３＋共掺杂的发光体中，观察到了Ｂｉ３＋→Ｅ３＋的部分能量传递。

稀土掺杂TiO_2颗粒的制备及其悬浮液的电流变特性

通过掺杂稀土元素 ,使TiO2 电流变液的屈服强度提高到近 5kPa (3kV/mm)。用DSC-TG、IR和XRD等手段对材料的Sol- gel制备过程和产物的晶体结构进行了分析。结果表明纯TiO2 和掺杂稀土TiO2 凝胶的分解分三阶段完成 ,并形成锐钛矿结构。掺杂浓度小于一定值时 ,稀土离子以置换Ti位固溶于TiO2 晶格中并引起晶格膨胀。认为适当掺杂所导致的晶格常数变化改善了材料的介电性能 ,从而使TiO2

高疏水纳米二氧化硅薄膜的制备

溶胶凝胶方法制备高疏水薄膜,加入胶体二氧化硅粒子和TMCS控制薄膜表面粗糙度和表面化学性质。薄膜表面具有很大的表面粗糙度,使薄膜体现出很好的疏水性能。这种方法能够实现一步法大面积不规则镀制薄膜,具有一定的实用价值.

TiO_2膜的亲水性丧失原因及其光催化再生

利用Sol-Gel方法在钠钙玻璃上制备的TiO2膜,其新鲜表面的水接触角θw=0°.在实验室气氛中储存后亲水性逐惭向憎水性转化,XPS,ITD分析的结果表明,这是由于在空气环境中吸附了微量的有机污染物引起的,丧失的亲水性可以用光催化的方法再生.