太阳微波爆多峰的频谱和时延与磁场之间的关系

本文给出了太阳微波爆与源参数之间关系的估算公式,计算了磁场随时间的变化率.计算和分析表明:1.非热电子的能谱指数在τ_0达极小值时,爆发的流量继续上升,约经过0.2—0.5m后才达峰值.因此,非热电子的注射/加速在峰值前就已停止或大大减弱了.2.在ι_0之后,若存在谱指数为常数,则时延为零.这表明,除磁场不变化之外,还存在谱指数不变使时延为零的情况.3.时延量大小随磁场和谱指数时变率的变大而增大.4.从多峰结构的谱指数和时延计算得的磁场时变率随时而成线性增加.这表明多峰可能是从一个耀斑环发出的,磁场为偶极场;或者是从有强耦合的相邻的环发出的.

一个微波爆发的源区磁场和高能电子的能流估计

本文分析了１９９３年１０月２日０７：３９：４０－０７：４１：００ＵＴ时段太阳产生的一个多脉冲微波暴的观测，认为它是由多个脉冲爆发叠加在一个慢变爆发背景上组成的．根据谱分析和利用我们的日冕磁场诊断公式［１］，第一次获得了一个爆发源区的磁场强度和高能电子的信息，其主要结果是：（１）脉冲爆发分量在光薄部分的射电谱指数的平均值比慢变爆发背景的值小１，即前者的谱比后者的硬．在１９．６ＧＨｚ上的亮度温度前者比后者高６倍．（２）从脉冲爆发分量和慢变爆发背景分量推断的源区磁场平均值分别为１５８和５３１高斯，且发现在爆发期间，慢变暴源区磁场强度随时间圣马鞍形变化，在极大相的值比脉冲相和下降相低约５０％（３）产生脉冲暴分量的高能电子的柱密度ＮＬ和数密度Ｎ（＞Ｅ０）分别为慢变暴分量的４％和８％，但它们所携带的能流和发射系数要比慢变爆发分量的值高１倍和８倍！表明这两种爆发成份可能分别来自能谱不同的两群电子在不同爆发源区的辐射．