Sonazoid与SonoVue超声造影在肝血管瘤诊断中的应用价值研究

目的:探讨Sonazoid和Sono Vue超声造影在肝血管瘤诊断中的应用价值。方法:回顾性分析2020年1月—2022年12月于无锡市人民医院就诊的肝血管瘤患者30例的超声及临床资料,分析肝血管瘤在两种超声造影剂下的灌注模式,在动脉期、门脉期、延迟期和血管后期(Kupffer期)的超声造影表现。以手术、穿刺病理或多种临床资料诊断结果为肝血管瘤为“金标准”,分别计算Sonazoid和Sono Vue超声造影检查在肝血管瘤诊断中的准确率。结果:以手术、穿刺病理或多种临床资料诊断结果为肝血管瘤作为诊断“金标准”,Sonazoid和SonoVue超声造影诊断肝血管瘤的准确率分别为85.37%、80.49%。结论:Sonazoid和SonoVue超声造影对于肝血管瘤的诊断准确性无明显统计学差异,应用Sonazoid可以利用Kupffer相的增强特点来对病灶的良恶性进行进一步的鉴别诊断,但对于肝血管瘤的超声造影诊断,血管相仍然是诊断的重点。

SONOS存储单元数据保持特性退化研究

探讨了基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿进行编程、擦除的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储单元在擦写循环后的数据保持特性。分别通过分析和实验研究了擦写过程中操作电压大小对于VTH(编程)态、VTL(擦除)态存储单元数据保持性能退化的影响。对于VTH态单元,其数据保持性能退化程度受操作电压大小的影响不明显,电荷流失速度主要受温度影响;而VTL态单元数据保持性能退化程度受操作电压大小的影响较大,电荷流失速度与温度的关系不明显。通过对比不同操作条件下进行擦写循环后的数据保持性能退化程度,总结了有利于减小SONOS存储器数据保持性能退化的操作条件。

乳腺肿块SonoCT高频超声显像与钼靶X线诊断对照研究

目的 分析比较SonoCT高频超声显像与钼靶X线摄影法对乳腺肿块的临床诊断价值。 方法 193例乳腺肿块患者 ,其中乳腺癌 5 8例 ,良性肿块 135例 ,在术前 1周内同时行SonoCT高频超声显像和钼靶X线摄影检查。 结果 超声诊断早期乳腺癌 46例 ,其敏感性 79 31%,特异性 94 81%,准确性 90 16 %。钼靶诊断早期乳腺癌 47例 ,其敏感性和特异性为81 0 3%和 89 6 3%,准确性为 87 0 5 %。超声对于良性肿瘤分类诊断的敏感性、特异性和准确性均高于钼靶。 结论 SonoCT高频超声与钼靶X线摄影比较 ,发现前者对早期乳腺癌的敏感性和阴性预测值近于后者 ,特异性和阳性预测值则高于后者 ,而对于良性肿瘤的分类诊断前者优于后者。

SONOS非挥发性存储器件的研究进展

随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景.

Sono CT和XRES技术在乳腺肿瘤中的临床应用

目的评价Sono CT和XRES技术在乳腺肿瘤诊断中的临床应用价值。方法应用实时合成成像(Sono CT)和XRES技术及普通超声对72例经手术病理证实的乳腺肿瘤患者的声像图进行对比分析。结果Sono CT和XRES技术使乳腺肿瘤组织分辨率明显增加,可改善乳腺肿瘤的边界和界面清晰度,肿瘤伪像减少,由此可加强对病变组织微细结构的观察,使较小病灶检出率增加;Sono CT和XRES技术可使乳腺囊肿的侧壁回声失落完全被抑制。结论Sono CT和XRES技术联合应用,大大提高了乳腺肿瘤图像质量,增加了乳腺疾病检出率。

Sono CT和XRES技术在乳腺肿瘤显像中的临床应用

目的评估Sono CT和XRES技术在乳腺肿瘤诊断中的临床应用价值。方法应用Sono CT和XRES技术和普通超声成像对38例经手术病理证实的乳腺肿瘤患者的声像图进行对比分析。结果应用Sono CT和XRES技术观察乳腺肿瘤,使肿瘤边界、内部细微结构及层次显示清晰,侧壁回声失落消失,伪像消失。结论Sono CT和XRES技术联合应用,可提高乳腺肿瘤图像质量,增加乳腺疾病的检出率。

基于SONOS型嵌入式flash存储器的扰动失效测试算法研究

目前flash扰动失效测试算法无法检测SONOS型flash存储器的全部扰动失效,特别是对读扰动失效检测的失效覆盖率低,且测试效率不高.针对这一问题,本文对March-FT测试算法进行扩展和优化,提出了一种用于检测SONOS型flash存储器的扰动失效测试算法——March-SONOS.结合算法评估系统验证,March-SONOS测试算法可检测SONOS型flash存储器的全部扰动失效,且失效覆盖率达到100%,同时算法测试效率提高55.97%.

Sono Vue输卵管超声造影在检查输卵管性不孕症中的应用研究

通过对36例不孕症患者的68条输卵管分别行Sono Vue超声造影与碘油造影检查,比较两种造影方法的一致性以及不良反应发生情况。结果两种方法检查结果差异无统计学意义(χ2=0.142,P>0.05),但Sono Vue输卵管超声造影副作用明显小于碘油造影(χ2=29.6,P<0.001)。Sono Vue输卵管超声造影检查具有安全性好、准确性高、副作用小等优点,可作为临床检查女性输卵管性不孕症的首选方法。

应用彩色多普勒超声及Sono CT技术检测心梗病人的颈动脉

目的:以颈动脉做为体表窗口,观察心肌梗塞病人的颈动脉粥样硬化病变及其程度,以说明动脉粥样硬化是心肌梗塞的重要危险因素。方法:应用彩色多普勒超声及Sono CT技术检测 49例心梗病人的双侧颈动脉,并与21例有可比性的健康查体者进行对照分析。结果:49例心梗病人均有不同程度的颈动脉粥样硬化,发生率为100％,其中软斑、硬斑、混合斑的检出率分别为30％、32％、19％,明显高于对照组,两者有显著差异(P<0.01)。结论:动脉粥样硬化为心梗的潜在危险因素,彩色多普勒超声及Sono CT技术可较敏感地动态观察颈动脉粥样硬化的发生,对预防冠心病心肌梗死的发生,在临床上有重要的实用价值。

基于SOI-SONOS存储器的高速辐照加固灵敏放大器设计

总剂量辐照下,存储单元和MOS管阈值电压均会发生漂移,引起灵敏放大器性能退化.基于0.6μmSOI工艺,设计了一种用于SONOSEEPROM存储器中的高速、辐照加固的新型灵敏放大器.该电路中采样反相器和参考支路采用电路补偿技术,以达到抗辐照效果.双支路预充技术用于提高读取速度.仿真结果表明灵敏放大器中采样反相器噪声容限,以及参考电流基本不受辐照引起的阈值电压漂移的影响.此外,辐照后新型灵敏放大器电路延迟时间仅为9.16ns,与传统单支路预充结构相比,延迟时间缩短27%.

Sono Vue超声造影对肝脏、肾脏占位性病变鉴别诊断的价值

超声造影使超声医学飞速发展,随着声学造影剂的进一步改进和超声显像技术的发展,使声学造影真正达到了非创性和高效性的目的。二维灰阶超声和彩色多普勒超声可以准确地检出肝、肾脏病灶,可在一定程度上诊断为何病,但对部分肝、肾占位性病变不能定性。

超声定量技术及Sono CT在2型糖尿病颈动脉病变中的应用

目的:探讨超声内-中膜自动测量技术(QLAB)和实时复合成像(Sono CT)对2型糖尿病颈动脉病变检测的价值。方法:对124例2型糖尿病患者及82例对照组的颈动脉分别进行检测,观察颈动脉后壁内-中膜厚度(IMT)、有无斑块形成,并根据是否伴有高血压及病程长短分组,将结果进行比较分析。结果:糖尿病各组IMT增厚共101例(81.5%),检出斑块96例(78.2%),对照组IMT增厚33例(40.2%),检出斑块26例(31.7%)。两组比较有显著性差异(P<0.05)。糖尿病合并高血压组斑块检出率高于无高血压组,经QLAB测量的IMTmean>无高血压组,结果有显著性差异(P<0.05)。糖尿病病程>5年者斑块检出率高于病程≤5年者,IMT厚度大于病程≤5年者厚度,结果有显著性差异(P<0.05)。结论:2型糖尿病患者颈动脉病变以IMT增厚为主,其次是斑块形成。SonoCT技术可使颈部血管细微结构的分辨率提高,增加血管病变边界的可见度,QLAB测定颈动脉内膜平均厚度较最厚值更具优越性,对糖尿病血管病变的早期诊断及指导治疗具有重要价值。

飞利浦Sonos5500彩超故障维修2例

0引言超声探测技术在医学领域中的应用起始于20世纪50年代初,经过近60 a的不断摸索,得到了飞速的发展。飞利浦Sonos5500彩超是Sonos7500的前身,我院于2003年4月购买了此台机器沿用至今,十多年来为我院带来了可观的经济效益和社会效益,对临床科室辅助诊断也起到很大的协助作用。Sonos5500彩超实物图如图1所示。

SONOS结构EEPROM单元辐射效应分析

随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足应用的需要,文章比较了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,分析了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出:SONOS结构的EEPROM单元,其抗辐射性能优于FLOTOX结构。并分析了在辐射条件下,SONOS结构受辐射影响的数学模型。文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM研究提供了理论基础。

An Improved Charge Pumping Method to Study Distribution of Trapped Charges in SONOS Memory

In silicon-oxide-nitride-oxide-silicon （SONOS） memory and other charge trapping memories, the charge distribution after programming operation has great impact on the devic＇s characteristics,such as reading,programming/erasing, and reliability. The lateral distribution of injected charges can be measured precisely using the charge pumping method. To improve the precision of the actual measurement, a combination of a constant low voltage method and a constant high voltage method is introduced during the charge pumping testing of the drain side and the source side, respectively. Finally, the electron distribution after channel hot electron programming in SONOS memory is obtained,which is close to the drain side with a width of about 50nm.

SONOS存储器中隧穿氧化层淀积预清洗工艺研究

介绍了当今业界流行的两种隧穿氧化层淀积预清洗工艺:改进的RCA预清洗工艺以及HF-last预清洗工艺。通过实验对比各自优缺点,分析差异产生的根本原因。相对于改进的RCA预清洗工艺,HF-last预清洗工艺使SONOS存储器阈值电压窗口增大约600mV。但可靠性测试结果表明,HF-last工艺会降低器件的耐烘烤和耐擦写循环能力。进一步的电荷泵对比实验结果表明,HF-last工艺引起的耐烘烤和耐擦写循环能力的降低,分别由Si-SiO2界面态增加和隧穿氧化层变薄引起。

N_2O气氛退火对SONOS非易失性存储器性能的优化研究

SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关。通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程中增加适当的N2O退火工艺,改善了器件的擦除深度和编程速度,从而使得SONOS器件的存储器性能得到优化。通过进一步电荷泵测试表明,电荷泵电流值Icp由1.8×10-6A减小到1.3×10-6A,减小27.8%,即隧穿氧化层与衬底之间的界面态显著减少。因此,在SONOS工艺中增加适当的N2O退火工艺,能有效地优化存储器的存储能力,提高SONOS存储性能。

SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应

采用0.6μm SOI SONOS工艺技术平台研制了0.6μm SOI SONOS EEPROM管,分析其擦写特性。辐射前,SONOS EEPROM管的阈值窗口电压为5.04 V。利用Co-60γ源研究存储管的电离总剂量辐射特性,给出了SONOS EEPROM管擦除态、编程态的Id-Vg曲线及阈值窗口随辐射总剂量的变化关系,在辐射总剂量达到500 Krad(Si)时,EEPROM管仍有0.7 V的阈值窗口,可以实现存储电路的设计,并对总剂量辐射引起存储管阈值漂移的机理进行了探讨。

Sono CT联合CDFI在精神分裂症患者下肢动脉病变诊断中的应用

目的探讨实时图像合成(Sono CT)技术联合彩色多普勒血流显像(CDFI)在精神分裂症患者下肢动脉病变诊断中的应用价值。方法分别应用Sono CT技术联合CDFI和常规超声联合CDFI对55例精神分裂症患者双侧下肢动脉进行检查,测量血管内径、收缩期最大流速、内中膜厚度、斑块大小及数目,并与30例健康志愿者进行对照,比较两种方法对动脉病变的诊断效果。结果 Sono CT技术联合CDFI在二维图像质量、血流图像质量及血流参数上与传统方法相比有统计学意义(P<0.05);经Sono CT技术联合CDFI检查的精神分裂症患者下肢动脉血管的硬化斑块、狭窄、闭塞的发生率高于对照组。结论与常规二维超声相比,Sono CT技术联合CDFI提高了对下肢动脉血管斑块、狭窄、闭塞的检出率,可明确精神分裂症患者下肢动脉病变的部位和程度,对该类疾病的临床治疗具有指导意义。

SONOS非易失性存储器件研究进展

随着半导体存储器件的小型化、微型化,传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大,对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近,基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件,以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展,并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。