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Fabrication and Pressureless Sintering of Silicon Carbide Refractories
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作者 GUO Junhua WANG Wenwu +1 位作者 CAO Huiyan XU Haiyang 《China's Refractories》 CAS 2021年第4期40-44,共5页
This work studies the fabrication and pressureless sintering of silicon carbide(SiC)refractories.SiC particles were adopted as aggregates,introducing different amounts(20%,30%,40%,50%,and 60%,by mass)of submicron SiC ... This work studies the fabrication and pressureless sintering of silicon carbide(SiC)refractories.SiC particles were adopted as aggregates,introducing different amounts(20%,30%,40%,50%,and 60%,by mass)of submicron SiC powder,adding resin as the binder and the carbon source,and B4C as the sintering aid.It is found that when the mass ratio of B4C to the submicron SiC powder is 3%,the optimal sintering can be obtained.With the increase of the submicron powder addition,the sintering linear shrinkage increases and the mechanical properties enhance.The optimal sintering temperature is 2050-2100℃. 展开更多
关键词 silicon carbide refractories submicron silicon carbide powder pressureless sintering
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类球形亚微米碳化硅粉体的制备 被引量:3
2
作者 时利民 赵宏生 +2 位作者 闫迎辉 李自强 唐春和 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1397-1401,共5页
采用包混工艺将酚醛树脂和硅粉制备成粉体先驱体,然后经碳化和煅烧,制备出球形度好、粒径分布窄且均匀的亚微米碳化硅粉体,其平均粒径约为0.1μm。亚微米碳化硅粉体的生成过程为硅–酚醛树脂核壳粉体先驱体经过800℃碳化处理生成硅–碳... 采用包混工艺将酚醛树脂和硅粉制备成粉体先驱体,然后经碳化和煅烧,制备出球形度好、粒径分布窄且均匀的亚微米碳化硅粉体,其平均粒径约为0.1μm。亚微米碳化硅粉体的生成过程为硅–酚醛树脂核壳粉体先驱体经过800℃碳化处理生成硅–碳核壳粉料;在1500℃烧结,液态硅与碳壳内层反应生成碳化硅层;在热应力和液态硅的冲击下碳化硅壳破碎,形成的亚微米碳化硅颗粒进入液态硅中,通过碳化硅生成、破碎的不断循环,新的碳化硅层不断向碳层推进直至完全生成亚微米碳化硅球形粉体。 展开更多
关键词 亚微米 碳化硅 粉体 合成
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硅灰为原料制备类球形亚微米碳化硅粉体 被引量:2
3
作者 徐慢 王昭 +2 位作者 王树林 季家友 代小元 《中国陶瓷》 CSCD 北大核心 2017年第12期74-78,共5页
以硅灰为硅源、葡萄糖为碳源制备粉体先驱体,然后经过炭化和煅烧,制备类球形亚微米碳化硅粉体。实验采用1200、1300、1400、1500℃4种温度煅烧样品,并对产物进行物相、粒度、形貌分析。结果表明:1200℃时,碳热还原反应未发生,硅灰中无... 以硅灰为硅源、葡萄糖为碳源制备粉体先驱体,然后经过炭化和煅烧,制备类球形亚微米碳化硅粉体。实验采用1200、1300、1400、1500℃4种温度煅烧样品,并对产物进行物相、粒度、形貌分析。结果表明:1200℃时,碳热还原反应未发生,硅灰中无定形的二氧化硅转变为结晶形态;剩余三种温度下得到的产物均是3C型碳化硅,在1400℃下能够制备出球形度良好的亚微米碳化硅粉体,其平均粒径约为0.2μm;随着煅烧温度的升高,碳化硅的结晶度增强、粒度变大、球形度变差。 展开更多
关键词 类球形 亚微米 碳化硅
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添加亚微米SiC微粉对聚碳硅烷低温制备SiC多孔陶瓷性能的影响 被引量:1
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作者 黎阳 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期42-45,共4页
以平均粒径为20μm的SiC粉末为原料、亚微米SiC微粉为添加相、聚碳硅烷(polycarbosilane,PCS)为黏结剂,通过混粉、模压、热氧化不熔化处理、烧成等工序制备了SiC多孔陶瓷。研究了亚微米SiC微粉添加量对SiC多孔陶瓷微观形貌、线收缩率、... 以平均粒径为20μm的SiC粉末为原料、亚微米SiC微粉为添加相、聚碳硅烷(polycarbosilane,PCS)为黏结剂,通过混粉、模压、热氧化不熔化处理、烧成等工序制备了SiC多孔陶瓷。研究了亚微米SiC微粉添加量对SiC多孔陶瓷微观形貌、线收缩率、孔隙率和抗弯强度的影响。结果表明:随亚微米微粉添加量的增加,多孔陶瓷微观裂纹逐渐减少直至消失,孔隙率先急剧增大后逐渐减小,线收缩率先急剧减小后逐渐增大,抗弯强度先增大后减小;在PCS含量为10%、15%与20%时,对应亚微米SiC微粉添加量为15%、30%与40%时,抗弯强度获得最大值分别为52.1MPa、54.6MPa与62.4MPa,与未添加亚微米微粉时相比,提高幅度分别达180%、285%与392%。 展开更多
关键词 碳化硅 亚微米 多孔陶瓷 聚碳硅烷
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亚微米Al_(2)O_(3)对重结晶碳化硅的作用机制 被引量:6
5
作者 余超 邢广超 +5 位作者 吴郑敏 董博 丁军 邸敬慧 祝洪喜 邓承继 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期679-686,共8页
使用不同粒径的SiC和亚微米Al_(2)O_(3)添加剂制备重结晶烧结碳化硅并表征其物相组成、微观形貌、孔径分布和耐压性能,研究了亚微米Al_(2)O_(3)对重结晶碳化硅的作用机制。结果表明,在亚微米Al_(2)O_(3)作用下,重结晶碳化硅的烧结过程... 使用不同粒径的SiC和亚微米Al_(2)O_(3)添加剂制备重结晶烧结碳化硅并表征其物相组成、微观形貌、孔径分布和耐压性能,研究了亚微米Al_(2)O_(3)对重结晶碳化硅的作用机制。结果表明,在亚微米Al_(2)O_(3)作用下,重结晶碳化硅的烧结过程可分为液相烧结和重结晶烧结两个阶段。在液相烧结过程中高活性的亚微米Al_(2)O_(3)促进了液相的形成,使SiC的传质方式由扩散传质演变为粘性流动传质。在重结晶烧结温度SiC的传质以蒸发-凝聚为主,形成含铝气相并与SiC固溶促进了6H-SiC向4H-SiC晶型的转变。引入亚微米Al_(2)O_(3)后,重结晶碳化硅材料的孔径分布由单峰分布转变为多峰分布,其中孔径较小的特征峰对应重结晶烧结形成,而较大孔径的特征峰则来源于液相烧结的形成;同时,随着保温时间的延长SiC晶粒生长发育更为完全,由不规则颗粒状转变为较规则六方结构。但是,体积密度的下降、SiC晶粒尺寸不均一以及材料孔径的多峰分布使其耐压强度降低。 展开更多
关键词 无机非金属材料 碳化硅 重结晶 亚微米Al_(2)O_(3) 烧结机理
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