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吲哚方酸菁半导体在场效应晶体管中的应用(英文)
被引量:
2
1
作者
孙秋健
董桂芳
+6 位作者
郑海洋
赵昊岩
乔娟
段炼
王立铎
张复实
邱勇
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期1893-1899,共7页
研究了2,3,3-三甲基-1-H-吲哚方酸菁的场效应性质,通过X射线衍射证实了方酸菁分子内电荷分离结构以及分子间面面堆积模式,并在Si/SiO2基片上通过真空蒸镀和旋涂的方法制备了p型晶体管器件.通过对器件性能与沟道形态的研究,我们发现退火...
研究了2,3,3-三甲基-1-H-吲哚方酸菁的场效应性质,通过X射线衍射证实了方酸菁分子内电荷分离结构以及分子间面面堆积模式,并在Si/SiO2基片上通过真空蒸镀和旋涂的方法制备了p型晶体管器件.通过对器件性能与沟道形态的研究,我们发现退火处理能促进方酸菁薄膜由无定形态向多晶态转变,从而使薄膜晶体管的迁移率从10-5cm2·V-1·s-1量级提高到10-3cm2·V-1·s-1量级.顶接触结构单晶器件获得了7.8×10-2cm2·V-1·s-1的迁移率.未封装的方酸菁晶体管在大气中也表现出较好的稳定性.
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关键词
方酸菁内盐
有机晶体管
旋涂
单晶
退火
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职称材料
题名
吲哚方酸菁半导体在场效应晶体管中的应用(英文)
被引量:
2
1
作者
孙秋健
董桂芳
郑海洋
赵昊岩
乔娟
段炼
王立铎
张复实
邱勇
机构
有机光电子与分子工程教育部重点实验室
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期1893-1899,共7页
基金
supported by the National Natural Science Foundation of China(60877026,50990062)
National Key Basic Research and Development Program of China(973)(2009CB930602)~~
文摘
研究了2,3,3-三甲基-1-H-吲哚方酸菁的场效应性质,通过X射线衍射证实了方酸菁分子内电荷分离结构以及分子间面面堆积模式,并在Si/SiO2基片上通过真空蒸镀和旋涂的方法制备了p型晶体管器件.通过对器件性能与沟道形态的研究,我们发现退火处理能促进方酸菁薄膜由无定形态向多晶态转变,从而使薄膜晶体管的迁移率从10-5cm2·V-1·s-1量级提高到10-3cm2·V-1·s-1量级.顶接触结构单晶器件获得了7.8×10-2cm2·V-1·s-1的迁移率.未封装的方酸菁晶体管在大气中也表现出较好的稳定性.
关键词
方酸菁内盐
有机晶体管
旋涂
单晶
退火
Keywords
squarylium innersalt
Organic transistor
Spin coating
Single crystal
Annealing
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
吲哚方酸菁半导体在场效应晶体管中的应用(英文)
孙秋健
董桂芳
郑海洋
赵昊岩
乔娟
段炼
王立铎
张复实
邱勇
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011
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