SrS:Eu,Sm荧光粉的制备及性能表征

制备了用于宽频谱红外上转换的SrS：Eu，Sin荧光粉。XRD分析表明，在1100℃，灼烧1h获得的SrS：Eu，Sm样品较理想，为SrS的面心立方结构；激发光谱表明，样品可被紫外和可见光有效激发；样品的荧光发射光谱由4个发射峰组成，峰值分别位于567，589，602和648nm。红外上转换发光光谱是峰值位于595nm附近的宽带谱，样品的红外响应范围主要位于800～1400nm。

红色LiM(M=Ca,Sr,Ba)BO_3∶Re^(3+)(Re=Eu,Sm)发光材料的特性

采用固相法制备了红色LiM(M=Ca,Sr,Ba)BO3∶Re3+(Re=Eu,Sm)发光材料,研究了材料的发光性能。研究发现LiM(M=Ca,Sr,Ba)BO3∶Eu3+材料呈现多峰发射,最强发射分别位于610,615,613 nm处,分别监测这三个最强峰,所得激发光谱峰值位于369,400,470 nm。LiM(M=Ca,Sr,Ba)BO3∶Sm3+材料也呈多峰发射,分别对应Sm3+的4G5/2→6H5/2、4G5/2→6H7/2和4G5/2→6H9/2跃迁发射;分别监测602,599,597 nm三个最强发射峰,所得激发光谱峰值位于374,405 nm。研究了激活剂浓度对材料发射强度的影响,结果随激活剂浓度的增大,发射强度先增强后减弱,即,存在浓度猝灭效应。实验表明,加入电荷补偿剂Li+、Na+或K+均可提高LiM(M=Ca,Sr,Ba)BO3∶Re3+(Re=Eu,Sm)材料的发射强度。

Ca_(1—n)Sr_nS:Cu^+,Eu^(2+)的合成与光谱特征

研究了Ｃｕ＋，Ｅｕ２＋共激活的Ｃａ１—ｎＳｒｎＳ的发光性质、基质组分Ｃａ／Ｓｒ摩尔比与荧光性质的关系．Ｃｕ＋和Ｅｕ２＋在纯ＣａＳ基质中的发射光谱分别位于４３０ｎｍ及６３０ｎｍ附近．随着基质中Ｓｒ含量的增加，红、蓝发射带都向绿区移动；当基质为纯ＳｒＳ时，红、蓝发射带复合为一个主峰在５１７ｎｍ、半宽度为８０ｎｍ的带谱．实验结果表明：Ｃａ１—ｎＳｒｎＳＣｕ＋，Ｅｕ２＋是一种红。

酰胺化合物对U(Ⅵ),Eu(Ⅲ),Sr(Ⅱ)和Fe(Ⅲ)的萃取

研究了酰胺荚醚 (PAⅡ )和二 (1 甲基庚基 )乙酰胺 (N 50 3)在硝酸溶液中对U(Ⅵ ) ,Eu(Ⅲ ) ,Sr(Ⅱ )和Fe(Ⅲ )的萃取。结果表明 ,PAⅡ对U(Ⅵ ) ,Eu(Ⅲ ) ,Sr(Ⅱ )均有良好的萃取性能 ,N 50 3只萃取U(Ⅵ ) ,两种萃取剂对Fe(Ⅲ )

镓置换铝对SrAl_2Si_2O_8∶Eu^(2+)晶体结构和发光特性的影响

采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Sr0.955Al2-xGaxSi2O8∶Eu2+(x=0～1.0)系列荧光粉,研究了Ga3+置换铝Al 3+对晶体结构和光谱特性的影响.Ga3+进入SrAl2Si2O8晶格与Al 3+发生类质同相替代使晶胞参量a、b、c、β和晶胞体积V都随Ga3+置换量呈线性增大,表明形成了连续固溶体.镓置换铝对晶胞参量c的影响最明显,b其次,a最小.Eu2+的宽带激发光谱位于230～400nm,表观峰值位于350nm,可由267nm、305nm、350nm和375nm四个峰拟合而成.随着镓置换量增加,较短波长的三个激发峰发生红移并且267nm和350nm峰强度减弱,305nm峰强度明显增强,375nm峰位和强度基本不变,表观激发峰半高宽由109nm减小至98nm,基本不随镓置换量变化.发射光谱位于380～600nm为不对称宽带,可由406nm和441nm两峰拟合而成并且随Ga3+置换量增加线性红移,拟合发射光谱峰面积之比线性递增,Ga3+进入晶格对较长波长发射中心影响较大.Ga3+置换量为1.0mol时,表观发射峰位从407nm线性红移至422nm,表观峰值随Ga3+置换量线性增大,半高宽由58nm增加至79nm.镓置换铝造成Eu-O距离变小,发光中心Eu2+所处晶体场增强,5d轨道能级分裂变大,最低发射能级下移.

SrS：Eu，Sm光存储材料的制备及表征

采用湿法在还原气氛下制备了SrS:Eu,Sm电子俘获光存储材料,研究了制备条件(灼烧温度、灼烧时间、助熔剂含量)对样品光激励发光性能的影响。XRD图谱表明,样品在750°C就可以形成SrS晶格。光谱分析表明,先将样品用紫外光饱和激发后,再用980nm半导体激光照射,具有光激励发光现象,发光峰值位于599 nm。对这种稀土掺杂硫化物材料的光存储机理进行了探讨。

SrS∶Eu,Sm光存储机理的研究

采用高温固相反应法在还原气氛下制备了SrS∶Eu,Sm样品,利用荧光光谱仪测量了这种光存储材料的激发光谱和发射光谱。将样品用紫外灯(265nm)照射激发饱和后,再用980nm的红外激光器激励,利用荧光光谱仪测试得到了峰值位于599nm的光激励发光光谱。此外还利用热释光谱仪测试了样品的热释光谱。探讨了SrS∶Eu,Sm的光存储机理,认为引入的稀土离子在SrS的带隙中形成分裂能级。当用紫外光照射材料时,Eu的电子从基态被激发到激发态或基质材料的导带,其中一部分电子被辅助激活剂Sm的陷阱俘获,实现信息写入。当材料被与陷阱深度相当的红外光激励时,电子陷阱Sm2+俘获的电子才可能跃出俘获能级,与空穴在Eu的激发态和基态能级上复合,多余的能量以可见光的形式释放出来,实现信息读出。

Sr_4Al_(14)O_(25)∶Eu,Nd夜光粉的晶体结构

通过对 Ｓｒ４ Ａｌ１４ Ｏ２５∶ Ｅｕ ， Ｎｄ 夜光粉 样品的 Ｘ 射线衍射 分析，确 定其是一 混晶结 构。 Ｅｕ ２ ＋取代基质 中 Ｓｒ２ ＋ 的位 置， Ｎｄ３ ＋ 取代 Ａｌ３ ＋ 的位置 。通过 扫描电 镜测定 了样 品的 外观 形貌 和颗 粒级配。

K_2NiF_4型Eu_(2-x)Sr_xCuO_4稀土复合氧化物的合成、结构及还原特性

研究了具有K2 NiF4 型结构的Eu2 -xSrxCuO4 复合氧化物的合成、物相结构及其还原特性。发现用络合 凝胶法制备时 ,Eu2 -xSrxCuO4 复合氧化物的生成温度为 110 0℃左右 ,粉末XRD表明Eu2 -xSrxCuO4 复合氧化物属四方晶系 ,空间群为I4/mmm ,其晶胞参数随x的增加而增加。当x≥ 0 7时 ,多余的Sr不能进入晶胞而呈游离的SrO形式存在 ,同时在物相中也存在一定数量的CuO物相。Eu2 -xSrxCuO4 系列复合氧化物对CO和甲烷的催化氧化反应的活性在x较小时随着x的增加而增加。

锗置换硅对SrAl_2Si_2O_8∶Eu^(2+)晶体结构和光谱特性的影响

通过高温固相合成Sr0.955Al2Si2-xGexO8∶Eu2(+x=0~1.0)系列试样荧光粉,系统研究Ge4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ge4+以类质同相替代SrAl2Si2O8晶格中的Si4+形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V随Ge4+置换量的增加呈线性递增。荧光激发谱为宽带,位于230~400 nm,可拟合成4个峰,表观峰值位于351 nm处;随着Ge4+置换量的增加,半高宽从105 nm减小到95 nm。发射光谱位于380~600 nm,可由406 nm和441 nm两个峰拟合而成,表观峰值位于407 nm处;随着Ge4+置换Si4+进入基质晶格,造成Eu—O距离变小,使Eu2+所处的晶体场强度增强,发光中心Eu2+的5d能级分裂增大,造成Eu2+最低发射能级重心下移,两拟合谱峰峰位均呈线性红移。

掺杂铕硅酸锶Sr(Eu,Bi)SiO_3,Sr(Eu,Bi)_2SiO_4的发光及结构特性(英文)

用高温高压方法合成了Sr(Eu,Bi)SiO3,Sr(Eu,Bi)2SiO4.研究了高压对其结构及发光性能的影响.与用溶脑—凝胶法和常压高温法合成的产品相比较,常压制备的Sr(Eu,Bi)SiO3为六角结构,而在2.34—4.10GPa的合成压力下,未发现其结构相变.高压能显地改就样品的发光特性.其发光强度和相对量子发光效率降低,半宽明显增加,且伴有红移发生.发光强度的改变是压致晶场的变化引起的.

SrS∶Eu,Sm的制备与光谱性能

采用高温固相法制备了SrS：Eu，Sm光激励发光材料。研究了稀土掺杂量对样品光激励发光性能的影响。XRD分析表明，在1000℃灼烧1h的样品为SrS面心立方结构，晶格常数a=0．6020nm；激发光谱表明，样品在紫外和可见光均有较强激发峰；样品的荧光发射光谱由3个发射峰组成，其主峰位于602．1nm。红外光激励发射光谱是峰值位于602nm附近的宽带谱，样品的光激励激发光谱是峰值位于1046nm宽带谱，带宽在800—1400nm。最佳稀土掺杂量为0．15％。

红色SrxCa0.99-xEu0.01WO4固溶体荧光粉光致发光的声子调控

采用微乳液法合成SrxCa0.99-xEu0.01WO4(x=0.01,0.02,0.05,0.08,0.10,0.20,0.50,0.80,0.99)固溶体.使用TEM、XRD和Raman光谱表征固溶体的形貌和结构,采用荧光分光光度计测试固溶体的光致发光谱.实验结果表明:当Sr2+掺杂摩尔分数从0.05增大到0.99时,固溶体开始由CaWO4逐步转变为SrWO4,其最大声子能量从912cm-1单调增长到922cm-1.通过声子能量可调节掺杂Eu3+的非辐射跃迁速率,进而在直接激发和基质敏化条件下调控Eu3+的发光特性.Sr2+在SrxCa0.99-xEu0.01WO4固溶体中最佳的掺杂摩尔分数为0.05,较低的声子能量对SrxCa0.99-xEu0.01WO4固溶体在紫外激发下成为高效发光的荧光粉具有积极作用.

应力发光材料Sr2SiO4∶Eu,Dy的光谱性质研究

采用高温固相法制备一系列Sr_2SiO_4∶Eu0.01,Dy_x(x=0.000 1,0.002 5,0.005,0.01)应力发光材料,研究了不同掺杂浓度下,Sr_2SiO_4∶Eu,Dy的光致发光和应力发光性质。研究结果表明在掺杂Dy^(3+)浓度较低时,样品同时存在α和β两种相,当掺杂Dy^(3+)浓度增加时,则出现β到α的相转变。由于Eu^(2+)占据Sr^(2+)格位的不同,样品在蓝光区486nm(Sr1)和绿光区530nm(Sr2)有两个峰存在。而应力发光光谱与余辉光谱类似,均只呈现出530nm的发光,这说明二者的发光来源于占据Sr_2格位的Eu^(2+),都是通过改变陷阱的浓度实现发光性能的变化,但Sr_2SiO_4∶Eu,Dy的应力发光强度的变化还与其结构改变有关。同时,Sr_2SiO_4∶Eu,Dy应力发光强度与所施加的力之间呈良好的线性关系,并且可用眼睛观察到明显的黄色应力发光,这为应力发光传感器准确检测物体所受应力提供依据。结合余辉、热释以及应力发光性质,推测Sr_2SiO_4∶Eu,Dy的应力发光机制应是压电产生的电致发光。

Sr^(2+)共掺杂YPO_4:Eu^(3+)发光材料的水热合成及其性能

采用水热法合成Sr^(2+)共掺杂YPO_4:Eu^(3+)发光材料,采用X射线衍射(XRD)和X射线荧光光谱对合成产物的物相结构和光学性能进行表征,对Sr^(2+)共掺杂浓度及反应体系p H值对合成样品的物相结构及发光性能的影响进行分析。结果表明,少量Sr^(2+)(≤15at%)共掺杂YPO_4:1at%Eu^(3+)均为纯相四方磷钇矿结构晶体,过量Sr^(2+)(≥20at%)共掺杂出现Sr_4P_2O_9杂相;p H值为6的反应体系可获得高结晶度的单一相Sr^(2+)、Eu^(3+)共掺杂YPO_4样品。X射线荧光光谱分析结果表明,采用水热法合成的YPO_4:1at%Eu^(3+),xat%Sr^(2+)样品可被396 nm的紫外光激发而发射出强烈的Eu^(3+)特征橙红色光,一定量的Sr^(2+)共掺杂能提高YPO_4:1 at%Eu^(3+)样品的发光性能,过量(>10at%)的Sr^(2+)掺杂导致Eu^(3+)荧光猝灭。YPO_4:1at%Eu^(3+),10at%Sr^(2+)样品在396 nm紫外光激发下位于620 nm处的发射峰相对强度较YPO_4:1at%Eu^(3+)样品提高了72.6%。

微波场对(Ba,Sr)_3MgSi_2O_8:Eu^(2+),Mn^(2+)荧光粉中Mn^(2+)660nm红光能量传递的影响

研究了2.45 GHz微波灼烧(Ba,Sr)3MgSi2O8:Eu2+,Mn2+荧光粉的非热效应对Mn2+离子660 nm红光发射强度的影响。在相同的加热温度条件下,增加微波场的输出功率,微波非热效应导致Eu2+离子蓝光的跃迁概率增加,Eu2+通过(Ba,Sr)3MgSi2O8基质晶格把能量传递给Mn2+,进而使Mn2+的跃迁概率增加,导致红光发射增强。提出了一种微波场非热效应对能量传递影响的新观点,认为在微波加热过程中强微波磁场可能会对像Mn2+这样具有顺磁性的激活剂离子的能级结构和能量传递性质产生干扰作用。

Synthesis and Characterization of IR Up-Conversion Material SrS∶Eu, Sm

Europium and samarium co-doped strontium sulfide (SrS∶Eu, Sm) infrared up-conversion phosphor was synthesized through calcining the precursor, which prepared by wet-method with strontium carbonate (SrCO_3), sulphur (S), europium oxide (Eu_2O_3) and samarium oxide (Sm_2O_3) as the starting materials, lithium fluoride (LiF) as the fluxing agent, at 750～1200 ℃ in carbon-reducing atmosphere. XRD analysis shows that SrS crystal structure is formed at 750 ℃, most completely at 1100 ℃. The IR up-conversion luminescence properties were characterized by excitation, emission, up-conversion excitation, up-conversion emission and thermoluminescence spectra. The spectral analysis associated with the physical model of up-conversion luminescence shows that the IR up-conversion luminescence is resulted from electron trapping process of Sm 3+ energy level. The thermoluminescence peak does not appear below 500 ℃ indicating the trapping energy level is appropriately deep, 800～1400 nm near infrared light can be the release light to realize up-conversion luminescence.

TODGA-TBP-OK体系对Sr(Ⅱ)、Eu(Ⅲ)萃取性能的研究

通过实验研究了以TODGA为萃取剂、TBP为改良剂、煤油为稀释剂的萃取体系在酸性溶液中对Sr(Ⅱ)、Eu(Ⅲ)的萃取性能的影响因素。结果表明:料液中HNO_(3)浓度在0.1~3.4 mol/L范围内,Sr(Ⅱ)分配系数随酸度的升高而增大;0.05mol/L的TODGA对Eu(Ⅲ)的萃取能力远远大于Sr(Ⅱ),可以实现料液中Sr(Ⅱ)与Eu(Ⅲ)的有效分离;Sr(Ⅱ)的分配系数随着料液浓度的升高而略有降低;TODGA萃取Sr(Ⅱ)的反应为放热反应,Sr(Ⅱ)的分配系数随温度的升高而降低;TODGA对Eu(Ⅲ)的萃取能力较强,料液酸度、浓度及环境温度变化对Eu(Ⅲ)分配系数影响不明显。

NO在Eu2-xSrxNiO4上的催化还原

本文研究了以Eu2-xSrxNiO4（x＝0．3、0．5、0．6、0．7、0．8、0．9、1．0、1．1、1．2）系列为催化剂对NO＋CO→N2＋CO2反应的催化作用，结果表明：反应中有中间产物N2O生成，低温下转化率XNO／XCO趋向0．1～0．8，高温下XNO／XCO趋向1。这是由于反应机理不同所造成的。

锶含量对稀土Eu掺杂锶钙羟基磷灰石发光性能及取代位置的影响

采用化学共沉淀法制备了一系列Sr含量不同的铕掺杂锶钙羟基磷灰石粉体(Ca_(10-x)-Sr_x-HAp:Eu),通过X射线衍射(XRD)、荧光光谱以及发光能量传递等研究了锶含量对稀土掺杂锶钙羟基磷灰石结构、荧光性能和取代位置的影响。XRD分析表明,掺杂Eu对锶钙羟基磷灰石样品的结构无明显影响,而Sr含量增加会使得样品的结晶程度和晶面间距增大。光谱分析表明,在394 nm波长激发下,Ca_(10-x)-Sr_x-HAp:Eu样品在596 nm和618 nm处的荧光强度随着Sr含量的增加先升高再降低,最强峰值出现在Ca_3-Sr_7-HAp:Eu样品中。同时,样品的荧光寿命随着Sr含量增加也出现相同的变化。此外,随着基体中Sr含量的增加,样品的电偶极跃迁与磁偶极跃迁强度比值(IR/IO)先增加后减小,而Eu荧光衰减过程中不同格点之间的能量传递参数(f)则先减小后增大,两者的转折点都出现在Ca_3-Sr_7-HAp:Eu样品中。实验表明:Eu在基质晶格中的取代位置受Sr在基质中含量和位置的影响,通过Sr/Ca比例的调节则可以使得Eu在基质中取代不同位点的比例变化进而获得可调节的荧光性能。