LiNbO_3晶片Sr^(2+)扩散的实验研究

对LN晶片进行了Sr2+扩散的实验研究,研究表明,LN晶体的Sr2+扩散宜选择LNLi:SrO=80:20的陶瓷粉为扩散源,于950℃下扩散25h。Sr2+扩散主要是通过缺陷进行的,扩散系数较大,扩散活化能较小,可在较低的温度下进行,扩散最大量为8.07％,且Sr2+扩散杂质分布较Sr2+掺杂杂质分布均匀。